1-부텐의 산화탈수소화에서 다양한 인 전구체가 촉매의 반응활성에 미치는 영향을 조사하기 위하여 $BiFe_{0.65}MoP_{0.1}$ 산화물 촉매를 모델 촉매로 선정하여 인산수소암모늄, 인산수소이암모늄, 인산, 트리에틸인산, 오산화인 등의 인 전구체를 사용하어 촉매를 제조하고 산화탈수소화 반응을 수행하였다. 제조한 촉매의 물리 화학적 특성을 알아보기 위하여 X-선 회절분석(XRD), 질소 흡착 탈착분석($N_2$ sorption), 원소분석(ICP), 전자주사현미경(SEM), 승온재산화분석(TPRD) 등의 특성분석을 수행하였다. 제조한 촉매의 물리적 특성은 인 전구체에 따른 큰 차이는 관찰되지 않았지만 산화탈수소화 반응에서 촉매의 활성은 사용된 인 전구체의 특성에 따라 다르게 관찰되었다. 인산을 전구체로 사용하여 제조한 $BiFe_{0.65}MoP_{0.1}$ 산화물 촉매가 사용된 촉매 중에서 가장 우수한 활성을 나타내었으며, 14시간 동안의 산화탈수소화 반응기준으로 n-부텐의 전환율은 79.5%, 1,3-부타디엔 수율은 67.7%의 수치를 보였다. 인 전구체의 양이온의 특성에 따라 촉매의 격자 구조가 영향을 받는 것으로 추측되며, 이러한 격자 구조의 차이는 촉매의 재산화 능력에 영향을 주는 것으로 사료된다. 환원 처리된 촉매의 승온재산화 실험으로부터 촉매의 반응활성은 촉매의 재산화 능력과 밀접하게 관련이 있었으며, 인산을 전구체로 사용하여 제조한 산화물 촉매가 다른 인 전구체와 비교하여 가장 좋은 재산화 능력을 나타내었다.
Background: To compare the anesthetic efficacy of supplemental buccal infiltration (BI) (1.7 ml) versus intraligamentary (IL) injection containing 0.4 ml of 4% articaine with 1:100.000 epinephrine after an inferior alveolar nerve block (IANB) with 1.7 ml 2% lidocaine in the first and second mandibular molars diagnosed with irreversible pulpitis (IP). Methods: One hundred subjects diagnosed with IP of either the mandibular first (n = 50) or second molars (n = 50) and failed profound anesthesia following an IANB were selected. They randomly received either the IL or BI techniques of anesthesia. Pain scores on a 170 mm Heft-Parker visual analog scale were recorded initially, before, and during supplemental injections. Furthermore, pulse rate was measured before and after each supplemental injection. During the access cavity preparation and initial filing, no or mild pain was assumed to indicate anesthetic success. The chi-square test, Mann-Whitney U test, and independent samples t-test were used for the analyses. Results: The overall success rates were 80% in the IL group and 74% in the BI group, with no significant difference (P = 0.63). In the first molars, there was no significant difference between the two techniques (P = 0.088). In the second molars, IL injection resulted in a significantly higher success rate (P = 0.017) than BI. IL injection was statistically more successful (P = 0.034) in the second molars (92%) than in the first molars (68%). However, BI was significantly more successful (P = 0.047) in the first molars (88%) than in the second molars (64%). The mean pulse rate increase was significantly higher in the IL group than in the BI group (P < 0.001). Conclusions: Both the IL and BI techniques were advantageous when used as supplemental injections. However, more favorable outcomes were observed when the second molars received IL injection and the first molars received BI.
BiCMOS circuit consist of CMOS part which constructs logic function, and bipolar part which drives output load. In BiCMOS circuits, transistor stuck-open faults exhibit delay faults in addition to sequential behavior. In this paper, proposes a method for efficiently generating test pattern which detect stuck-open in BiCMOS circuits. In proposed method, BiCMOS circuit is divided into pull-up part and pull-down part, using structural property of BiCMOS circuit, and we generate test pattern using set theory for efficiently detecting faults which occured each divided blocks.
Bismuth-antimony-telluride based thermoelectric thin film materials were prepared by metal organic vapor phase deposition using trimethylbismuth, triethylantimony and diisopropyltelluride as metal organic sources. A planar type thermoelectric device has been fabricated using p-type $Bi_{0.4}Sb_{1.6}Te_3$ and n-type $Bi_2Te_3$ thin films. Firstly, the p-type thermoelectric element was patterned after growth of $4{\mu}m$ thickness of $Bi_{0.4}Sb_{1.6}Te_3$ layer. Again n-type $Bi_2Te_3$ film was grown onto the patterned p-type thermoelectric film and n-type strips are formed by using selective chemical etchant for $Bi_2Te_3$. The top electrical connector was formed by thermally deposited metal film. The generator consists of 20 pairs of p- and n-type legs. We demonstrate complex structures of different conduction types of thermoelectric element on same substrate by two separate runs of MOCVD with etch-stop layer and selective etchant for n-type thermoelectric material. Device performance was evaluated on a number of thermoelectric devices. To demonstrate power generation, one side of the device was heated by heating block and the voltage output was measured. The highest estimated power of 1.3mW is obtained at the temperature difference of 45K. We provide a promising approach for fabricating thin film thermoelectric generators by using MOCVD grown thermoelectric materials which can employ nanostructures for high thermoelectric properties.
Endoplasmic reticulum (ER)내에 단백질의 folding과 안정화에 관여하는 단백질을 molecular cha-perone이라고 한다. GRP94 역시 ER내에 존재하는 molecular chaperone으로 알려지고 있지만 갑상선세포에서 단백질의 folding에 관여한다는 증거는 아직 불충분하다. 본 설험은 molecular chaperone을 세포내에서 overexpression시킬 수 있는 system을 확립하였다. 그 중에서 GRP94가 단백질의 folding에 직접적으로 관여한다는 증거를 얻기 위하여, endogenous GRP94를 code한 cDNA를 overexpression vector에 의해서 forced expression시킴으로 신생thyroglobulin의 folding에 직접적으로 관여하는 증거를 immun-oprecipitation으로 증명하였다.
$Bi_{2}Te_{3}-Sb_{2}Te_{3}$, $Bi_{2}Te_{3}-Bi_{2}Se_{3}$ solid solutions are of great interest as materials for thermoelectric energy conversion. One of the key technologies to ensure the efficiency of thermoelectric device is to obtain chemically homogeneous solid solutions. In this work, the new process with rapid solidification followed by hot pressing was investigated to produce homogeneous thermoelectric materials. Characteristics of the materials were examined with XRD, SEM, EPMA-line scan and bending test. Property variations of the materials were investigated as a function of variables, such as excess Te quantity and hot pressing temperature. Quenched ribbons are very brittle and consisted of homogeneous $Bi_{2}Te_{3}$, $Sb_{2}Te_{3}$ solid solutions. When the process parameters were optimized, the maximum figure of merit was 3.073$\times$$10^{-3}K^{-4}$. The bending strength of the material, hot pressed at 45$0^{\circ}C$, was 5.87 kgf/${mm}^2$.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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