The layered semiconductors $Bi_2O_2Q$ (Q = S, Se) consists of $Bi_2O_2$ layers sandwiched by Q square nets. On the basis of density functional theory calculations, we examined the thermoelectric properties of $Bi_2O_2S$, $Bi_2O_2Se$ as well as hypothetical structure of $Bi_2O_2$($S_{0.5}Se_{0.5}$) consisting of mixed chalcogen nets. The thermoelectric power factor of $Bi_2O_2S_{0.5}Se_{0.5}$ is much greater than those of $Bi_2O_2S$ and $Bi_2O_2Se$, suggesting that introducing mixed chalcogen net in $Bi_2O_2Q$ is a possible way of enhancing the thermoelectric property of $Bi_2O_2Q$.
We could obtan c-axis oriented $SrBi_2$$Ta_2$$O_9$ thin films on usual Pt(111)/Ti/$SiO_2$/Si(100) substrate using a r. f. magnetron sputtering technique. According to the increase of sputtering pressure from 250 to 300 mTorr the Bi content and degree of the c-a xis preferred orientation of $SrBi_2$$Ta_2$$O_9$ thin films were increased. By controlling Bi(or $Bi_2O_3$) loss from $SrBi_2$$Ta_2$$O_9$ thin films during post annealing and by inserting $Bi_2O_3$ layer in $SrBi_2$$Ta_2$$O_9$ thin films the effect of Bi content on the c-axis oriented growth of $SrBi_2$$Ta_2$$O_9$ thin films could be investigated without the effect of sputtering pressure. The degree of the c-axis preferred orientation of $SrBi_2$$Ta_2$$O_9$ thin films was increased with increasing with increasing Bi content by control of Bi(or $Bi_2O_3$) loss of $SrBi_2$$Ta_2$$O_9$ thin films. But the c-axis oriented growth of $SrBi_2$$Ta_2$$O_9$ thin films disappeared by the inserting of $Bi_2O_3$ lay-er in $SrBi_2$$Ta_2$$O_9$ thin films.
Various crystal defects such as voids, inclusions dislocations, stacking faults and precipitates were observed in the Czochralski-grown Bi12GeO20 crystals. Particularly, precipitates were found in the whole crystals. The phase of these precipitates was identified as Bi4Ge3O12 by EPMA and transmission electron microscopy. The precipitates were produced by pulling rapidly from a non-stoichiometric charge. During the pulling of Bi12GeO20 crystals, the melt composition of stoichiometric charge was changed Bi-deficent with gradual volatilization of Bi2O3. Precipition of the second phase may have been affected by an abrube thermal stress. By adding excess Bi2O3 into the stoichiometric batch, the precipitation of Bi4Ge3O12 was suppressed. At a pulling speed of 2 mm/hr, clear and precipitate from crystals of Bi12GeO20 were grown from the melt of the Bi2O3 excess charge.
Phase equilibria and reaction paths of the superconducting phases and other compatible phases at $850^{\circ}C$ in the Bi-Sr-Ca-Cu-O system were studied. $Bi_2O_3$ was added to $Sr_2CaCu_2O_x$ by 5% up to 40 mole% Bi in the pseudo-binary $Bi_2O_3-(Sr_2CaCu_2O_x)$ system and the heat treated samples were analysed using XRD. SEM, EDS. and DT A. When Bi contents were greater than 35 mole% Bi, liquid phase was formed which was compatible with $Bi_2Sr_2CaCu_2O_8$ phase. The m.p. of $Bi_2Sr_2CaCu_2O_8$ phase decreased as the content of (Sr+Ca)decreased. $Bi_{2+x}Sr_2CaCu_2O_8$ phase first segregated out of liquid phase around $Bi_2Sr_2CaCu_2O_8$ phase during cooling of liquid phase.
We have observed the temperature dependences of Bi $L_{III}$ edge spectra by extended X-ray absorption spectroscopy for a high quality single crystal and a powder of the $Ba_{0.6}K_{0.4}BiO_3$ superconductor. $Ba_{0.6}K_{0.4}BiO_3$ has the cubic structure and metallic states. The deformation of the $BiO_{6}$ octahedra, which is due to the anomalies of the Bi-O and Bi-Ba bond length, was showed by the double-shell fit. It was clearly found that these anomalies are owing to the difference in the strength of Bi-O bonds. The temperature dependences of both bond lengths and the Debye-Walter factor ${\sigma}^2$ of the Bi-O and Bi-(Ba,K) bond are discussed to illustrate local structural features of the $Ba_{0.6}K_{0.4}BiO_3$
According to the phase diagram, 6Bi2O3.GeO2 composition melts congruently at 93$0^{\circ}C$ and forms a stable ${\gamma}$-6Bi2O3.GeO2 crystal phase below the melting point. But when the melt of this composition was cooled at a rate 1-15$0^{\circ}C$/min without tapping by a glass rod or impurity addition, a metastable $\delta$-6Bi2O3.GeO2 crystal phase was formed. It is due to that as the nucleation energy barrier of $\delta$-6Bi2O3.GeO2 crystals, which have more open and defective structure, is lower than that of ${\gamma}$-6Bi2O3.GeO2 crystals. When impurities or ${\gamma}$-6Bi2O3.GeO2 crystals existed in the melt, stable ${\gamma}$-6Bi2O3.GeO2 crystal phase was formed at various cooling rate. It is because of that the impurities or the ${\gamma}$-6Bi2O3.GeO2 crystals role as a seed crystal and as a result the nucleation energy barrier of ${\gamma}$-6Bi2O3.GeO2 crystals is lowered.
To enhance the formation of Bi,Sr,Ca,Cu,O,(Bi-2223) single phase in a shorter reaction time, the intermediate compounds such as Bi,Sr,CuO,(Bi-2201). BizSr,CaCuz08(Bi-2212) and (Ca, Sr,, ,9)CuOz in the Bi-Sr-Ca-Cu-0 system were used as the precursors. The formation of Bi-2223 was enhanced in the mixture of Bi-2201 and (Ca, ,,Sr, 119)C~eOsZpe,c ially from the mixture with (Ca, 9I Sr, ,,)CuO,-rich composition compared to Bi, iPb, 4Sr2Ca,Cu3010-cxo mposition. The formation of Bi- 2223 essentially completed within 60h at 860$^{\circ}$C and 870$^{\circ}$C. However, a small amount of the remnant Bi-2212 phase did not disappear even after a prolonged reaction at 870'C. The merit of the proposed synthetic method using the intermediate precusors can be summarized as a shorter reaction time for the formation of Bi-2223 phase, in addition to a smaller amount of second phases compared to the conventional solid-state reaction method.
M/BM -series catalysts, $MoO_3$ supported on ${\alpha}-Bi_2Mo_3O_{12}$ were also prepared by impregnation method. BM/M-series catalysts, ${\alpha}-Bi_2Mo_3O_{12}$ supported on $MoO_3$ were also prepared by coprecipitation. Structure and catalytic properties of the two phase catalysts were studied by means of using nitrogen adsorption, X-ray diffraction, and scanning electron microscopy. The reaction test for the selective oxidation of propylene to acrolein over Bi-molybdate catalysts was studied using a fixed-bed reactor system. In M/BM-series catalysts, $MoO_3$ was dispersed on ${\alpha}-Bi_2Mo_3O_{12}$, and the crystal structure of ${\alpha}-Bi_2Mo_3O_{12}$ remains unchanged by the presence of excess $MoO_3$. However the surface morphology and bulk structure of BM/M-series catalysts were altered probably because the precipitated $Bi(OH)_3$ reacted with $MoO_3$ during the calcination to form ${\alpha}-Bi_2Mo_3O_{12}$ phase. The results of propylene oxidation on both series catalysts showed that the reaction took place over the surface of ${\alpha}-Bi_2Mo_3O_{12}$ particle and the role of excess $MoO_3$ was to supply oxygen to ${\alpha}-Bi_2Mo_3O_{12}$. These increasing effects on activity were also observed in the mechanical mixtures of ${\alpha}-Bi_2Mo_3O_{12}$ and $MoO_3$.
The effect of Bi-substitution in $BaO.(Nd_{1-x}Bi_x)_2O_3.4TiO_2$ ceramic was studied on the formation of crystal phases, microstructure, and microwave dielectric properties. $BaO.(Nd_{1-x}Bi_x)_2O_3.4TiO_2$, solid solution (0$\leq$x$\leq$0.2) were formed by Bi-substitution into the Nd site of $BaO.(Nd_{1-x}Bi_x)_2O_3.4TiO_2$ ceramics. Average grain size increased with Bi-substitution. Dielectric constant(${\varepsilon}_r$) increased from 84 to U8, and the temperature coefficient of resonant frequency(${\tau}_f$) decreased from 44 ppm/$^{\circ}C$ to -30 ppm/$^{\circ}C$ when Bi contents increased up to x=0.2 in $BaO.(Nd_{1-x}Bi_x)_2O_3.4TiO_2$ solid solutions. $BaO.(Nd_{1-x}Bi_x)_2O_3.4TiO_2$ solid solutions with x=0.04~0.08 showed the most superior microwave dielectric properties, those are ${\varepsilon}_r$= 89-92, Q . f = 5855~6091 GHz, and (${\tau}_f$)= -7.5-7.5 ppm/$^{\circ}C$.
The heterojunction structures of BiOCl/$Bi_3O_4Cl$, exhibiting considerable visible-light photocatalytic efficiency, were prepared by a simple wet-chemical process at ambient condition. The prepared nanocomposites were characterized by XRD, TEM, and UV-visible diffuse reflectance spectra. Under visible light (${\lambda}\geq$420 nm) irradiation, BiOCl/$Bi_3O_4Cl$ exhibited an enhanced photocatalytic activity in decomposing 2-propanol (IP) in gas phase and salicylic acid (SA) in aqueous solution, whereas the bare BiOCl and $Bi_3O_4Cl$ showed negligible activities. It is deduced that the remarkable visible-light photocatalytic activity of the BiOCl/$Bi_3O_4Cl$ originates from the hole $(h^+)$ transfer between VB of the $Bi_3O_4Cl$ and BiOCl semiconductors.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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