• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2010년도 하계학술대회 논문집
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• pp.11-11
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• 2010

Thin-film-transistors (TFTs) that can be deposited at low temperature have recently attracted lots of applications such as sensors, solar cell and displays, because of the great flexible electronics and transparent. Transparent and flexible transistors are being required that high mobility and large-area uniformity at low temperature [1]. But, unfortunately most of TFT structures are used to be $SiO_2$ as gate dielectric layer. The $SiO_2$ has disadvantaged that it is required to high driving voltage to achieve the same operating efficiency compared with other high-k materials and its thickness is thicker than high-k materials [2]. To solve this problem, we find lots of high-k materials as $HfO_2$, $ZrO_2$, $SiN_x$, $TiO_2$, $Al_2O_3$. Among the High-k materials, $Al_2O_3$ is one of the outstanding materials due to its properties are high dielectric constant ( ~9 ), relatively low leakage current, wide bandgap ( 8.7 eV ) and good device stability. For the realization of flexible displays, all processes should be performed at very low temperatures, but low temperature $Al_2O_3$ grown by sputtering showed deteriorated electrical performance. Further decrease in growth temperature induces a high density of charge traps in the gate oxide/channel. This study investigated the effect of growth temperatures of ALD grown $Al_2O_3$ layers on the TFT device performance. The ALD deposition showed high conformal and defect-free dielectric layers at low temperature compared with other deposition equipments [2]. After ITO was wet-chemically etched with HCl : $HNO_3$ = 3:1, $Al_2O_3$ layer was deposited by ALD at various growth temperatures or lift-off process. Amorphous InGaZnO channel layers were deposited by rf magnetron sputtering at a working pressure of 3 mTorr and $O_2$/Ar (1/29 sccm). The electrodes were formed with electron-beam evaporated Ti (30 nm) and Au (70 nm) bilayer. The TFT devices were heat-treated in a furnace at $300^{\circ}C$ and nitrogen atmosphere for 1 hour by rapid thermal treatment. The electrical properties of the oxide TFTs were measured using semiconductor parameter analyzer (4145B), and LCR meter.

• 콘크리트학회논문집
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• 제28권3호
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• pp.257-265
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• 2016

철근콘크리트 깊은 보의 파괴거동은 전단경간비, 휨철근비, 하중점과 지지점의 조건, 그리고 사용재료의 성질 등의 여러 변수간의 복합적인 역학관계로 인해 매우 복잡하다. 이 논문에서는 철근콘크리트 깊은 보의 파괴거동 특성을 합리적인 방법으로 반영하여 전단경간비가 3 이하인 철근콘크리트 보의 설계를 수행할 수 있는 두 종류의 단순 1차 부정정 스트럿-타이 모델을 제안하였다. 또한 1차 부정정 스트럿-타이 모델을 정정 스트럿-타이 모델로 변환시켜 현행 스트럿-타이 모델 설계기준에 의한 철근콘크리트 깊은 보의 설계를 가능하게 하는 부정정 스트럿-타이 모델의 하중분배율을 제안하였다. 하중분배율 결정 시 철근콘크리트 보의 강도 및 거동에 영향을 미치는 전단경간비, 휨철근비, 콘크리트의 압축강도 등의 영향을 반영하였다. 이 논문의 동반논문에서는 여러 현행 설계기준의 방법들과 이 연구에서 제안한 스트럿-타이 모델 및 하중분배율을 이용하여 파괴실험이 수행된 전단경간비가 3 이하인 다양한 종류의 335개 철근콘크리트 보의 강도를 평가하고, 이 연구에서 제안한 스트럿-타이 모델 및 하중분배율의 타당성을 검증하였다.

• 한국어류학회지
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• 제24권2호
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• pp.84-93
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• 2012

본 연구에서는 2007년 여름, 2009년 겨울, 2010년 봄, 여름과 가을까지 총 5회의 조사를 통하여 36과 92종의 어류가 출현하였다. 종다양성 지수는 1.893~2.962, 균등도 0.050~0.231로 나타났다. 낙동강 하구 주변 해역에서 조사한 연구에서 출현종 수는 1998년 봄에 72종으로 가장 많았으며, 2002년 겨울에 10종으로 가장 적었다. 단위면적당 개체수에 대한 상위 10종에 대한 우점 비율은 전체 어획개체수의 70% 이상을 차지하는 것으로 나타났다. 종다양성 지수는 1.234~2.962의 범위를 나타냈으며, 균등도는 0.047~0.324의 범위를 나타냈다. 주요 우점종은 성대, 청보리멸, 반딧불 게르치, 황아귀, 열동가리돔, 홍어, 물가자미, 문치가자미, 달고기, 보구치로 어획개체수와 어획량 모두 높았다. 이전 연구를 포함한 총 23회의 조사에서 상위 10종의 우점어류의 대한 유사도 분석에서는 연별 계절별 어종의 변화가 큰 것으로 나타났으며, 1987~1988년과 1998년, 2001~2002년, 그리고 2007~2008년과 2009~2010년의 조사로 세 그룹으로 구분되었다. 체장조성의 변화는 현 연구에서는 이전연구보다 평균체장이 크고 체장범위도 어획최소체장이 커지고 범위도 더 넓었다. 우점종의 서식밀도 변화를 살펴보면, 현 연구의 우점종은 이전 연구에 비하여 어획개체수가 증가하였으며, 어획량도 많아졌다. 특히, 황아귀, 홍어, 물가자미, 달고기는 2008년 이후 조사에서 이전연구보다 개체수와 어획량이 월등하게 높아졌다. 이전 연구의 주요 우점종인 꼼치, 실양태 그리고 주둥치는 2002년 이전까지의 연구에서 어획개체수가 많았으며, 2008년 이후 연구에서 어획 개체수가 급격히 줄었다.

• 한국의학물리학회지:의학물리
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• 제22권3호
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• pp.148-154
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• 2011

TRS-398 프로토콜에서 중심전극에 대한 최근의 연구 결과들을 적용하여 선질인자($k_{Q,Q_0}$)를 평가하였다. 대상 전리함은 PTW-31010과 IBA-CC13이었다. 광자선 및 전자선 선질의 함수로서 선질인자를 계산하였으며 현재 TRS-398 프로토콜의 값들과 비교하였다. PTW-31010 전리함과 같이 알루미늄 전극으로 구성된 전리함에 대하여 새로운 보정을 취하는 경우에 선질인자가 광자선에서 최대 0.4% 그리고 전자선에서 최대 0.9% 증가하는 것으로 나타났다. 또한 IBA-CC13과 같이 C-552 전극을 사용하는 전리함의 경우에 기존의 보정체계를 그대로 적용할 수 있음을 확인하였다.

• 공업화학
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• 제28권6호
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• pp.607-618
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• 2017

석탄화력발전소를 포함한 다양한 산업설비에서 유해 대기오염물질이 배출되고 있으며, 이러한 오염물질은 인체 건강과 자연 생태계에 영향을 준다. 특히, 질소산화물($NO_x$)와 이산화황($SO_2$)은 인체 건강에 악영향을 주는 미세먼지($PM_{2.5}$) 형성에 원인물질로 알려져 있다. 이러한 $NO_x$와 $SO_2$ 배출을 저감하기 위해서 선택적 촉매 환원(SCR)과 습식 탈황 공정(WFGD)으로 결합된 혼합 시스템이 사용되고 있으나, 높은 설치비용 및 운전비용을 필요로 하며, 유지보수의 문제점, 기술적인 한계점을 가지고 있다. 최근에 이러한 혼합 시스템을 대체하기 위한 $NO_x$, $SO_2$ 동시 저감 기술이 연구되고 있으며, 제안된 기술들은 흡수, 고도 산화(AOPs), 저온 플라즈마(NTP), 전자 빔(EB) 등이 있다. 이러한 기술들은 강한 수용성 산화제 및 산화력을 가진 화학활성종에 의한 $NO_x$, $SO_2$를 $HNO_3$, $H2SO_4$ 형태로의 산화 반응, 기-액 계면에서 $HNO_3$와 $H2SO_4$ 흡수 반응, 화학 첨가제에 의한 중화 반응을 기본으로 하고 있다. 본 논문에서는 각각의 동시 저감공정에 대한 기술적인 특징과 대용량 처리 공정 응용을 위한 향후 전망을 정리하였다.

• 한국방사선학회논문지
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• 제5권6호
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• pp.369-375
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• 2011

치과 방사선 검사 중 파노라마(panorama) 촬영은 왜곡현상이 발생하여 정량적인 평가 시 부정확한 결과를 야기할 수 있다. 최근 임상에 적용되고 있는 새로운 영상화 기법인 cone beam형 전산화단층촬영(이하 CBCT)은 고해상도의 영상과 위치 정보를 제공한다. 본 실험에서는 DCT-90-P IMPLAGRAPHY Dental CT system (Vatech, Korea)을 사용하여 20명의 환자를 검사하였고, 촬영조건은 관전압 85kVp, 관전류 7mA, 촬영시간은 24초이다. CBCT 데이터를 3차원 컴퓨터 프로그램을 이용하여 재구성하고, 형태 계측학적으로 평가 분석하였다. 그 결과 하악체에 기울기에 따라 변화를 주었을 때, 하악관의 직경의 왜곡이 감소하는 것을 알 수 있었다. 결론적으로 피사체와 필름간의 거리가 클수록 확대가 많이 나타나고, 초점에서 벗어난 거리에 따라 영상이 차이가 있을 것으로 예상되기 때문에 재구성시 해부학적 위치의 구조에 맞게 부분적으로 알맞은 방법을 채택을 해야 하는 것으로 사료된다.

• 한국강구조학회 논문집
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• 제22권2호
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• pp.151-160
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• 2010

최근 기상이변으로 인한 겨울철 폭설로 농가 시설물 중의 하나인 비닐하우스의 붕괴사고가 빈번히 발생하여 농가의 피해가 증가되고 있다. 하지만 이에 대한 정부의 대책이 미약하여 매년 붕괴사고가 일어난다. 프레임 붕괴의 주된 이유는 폭설시 저항할 수 있는 휨내력이 부족하기 때문이다. 본 연구에서는 현재 이용되는 비닐하우스에 인장타이로 보강한 실험연구를 수행하였다. 비닐하우스의 스팬은 6.5m이고, 단면은 두 가지 종류(${\phi}25.4{\times}1.5$, ${\phi}31.8{\times}1.5$)를 사용하였다. 비닐하우스의 곡선 보와 직선 기둥 연결부에 임시적인 인장타이로 스틸와이어와 로프를 이용하여 보강하였다. 프리텐션을 인장타이에 적용시켰고, 적설하중을 등가의 수직하중으로 파괴할 때까지 적용하였다. 무보강과 로프 보강을 비교한 결과 로프 보강의 붕괴하중이 10∼45% 증가하였고 무보강과 스틸와이어 보강을 비교한 결과 스틸와이어 보강의 붕괴하중이 58~73% 증가하였다. 강도와 관련해서는 비교적으로 스틸와이어가 효과적이나, 연결부 및 프리텐션 적용이 로프보다 복잡하고 어려우므로 로프가 더 효율적인 것으로 판단된다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제33권2호
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• pp.99-104
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• 2020

In this study, we fabricated a metamorphic high-electron-mobility transistor (mHEMT) device with a T-type gate structure for the implementation of W-band monolithic microwave integrated circuits (MMICs) and investigated its characteristics. To fabricate the mHEMT device, a recess process for etching of its Schottky layer was applied before gate metal deposition, and an e-beam lithography using a triple photoresist film for the T-gate structure was employed. We measured DC and RF characteristics of the fabricated device to verify the characteristics that can be used in W-band MMIC design. The mHEMT device exhibited DC characteristics such as a drain current density of 747 mA/mm, maximum transconductance of 1.354 S/mm, and pinch-off voltage of -0.42 V. Concerning the frequency characteristics, the device showed a cutoff frequency of 215 GHz and maximum oscillation frequency of 260 GHz, which provide sufficient performance for W-band MMIC design and fabrication. In addition, active and passive modeling was performed and its accuracy was evaluated by comparing the measured results. The developed mHEMT and device models could be used for the fabrication of W-band MMICs.

• 항공우주정책ㆍ법학회지
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• 제19권1호
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• pp.79-107
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• 2004

차폐이론은 영구적 장애물에 의해 차폐되는 음영면 이하의 장애물에 대하여는 제한고도를 초과하더라도 그 건축을 허용하는 이론이다. 동 이론은 ICAO의 권고사항으로 규정되어 있고, 현행 군용항공기지법도 2002. 8. 26. 개정을 통해 동 이론을 반영하였다. 그러나, 군용항공기지법의 경우, 45미터라는 일률적인 차폐기준을 설정하고 있는바, 이는 외국의 사례에서 찾아보기 어려운 독특한 입법 형태이다. 재산권 제한의 완화와 동시에 비행안전을 고려하여 비행장별, 구역별, 지점별 차폐정도를 구체적 타당성 있게 고려하도록 하는 것이 차폐이론의 본질이다. 이러한 본질에 비추어 볼 때, 획일적인 기준을 설정하고 있는 군용항공기지법에 대해서는 차폐이론의 본질을 오해하고 있다는 문제를 제기해 볼 수 있다. 이러한 문제제기를 시작으로 본고에서는 차폐이론을 반영하고 있는 군용항공기지법 제8조 제2항의 문제점을 검토하고, 바람직한 개선 방향을 제시하고자 하였다. 우선, 차폐기준을 설정하고 있는 ICAO나 외국의 사례를 검토하였고, 차폐이론에 대한 국내법적 근거와 군용항공기지법상 차폐기준의 특성을 논의하였다. 이를 바탕으로 차폐이론의 일반적 문제점과 동 이론을 반영하고 있는 군용항공기지법의 문제점을 살펴보았다. 궁극적으로는 일률적인 차폐기준을 설정할 것이 아니라 비행안전심사를 통해 비행장별, 구역별, 지점별 차폐정도를 구체적 타당성 있게 고려해야 할 것이라는 입법론을 제기하고 있다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.324-325
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• 2014

Quantum wells infrared photodetectors (QWIPs) have been used to detect infrared radiations through the principle based on the localized stated in quantum wells (QWs) [1]. The mature III-V compound semiconductor technology used to fabricate these devices results in much lower costs, larger array sizes, higher pixel operability, and better uniformity than those achievable with competing technologies such as HgCdTe. Especially, GaAs/AlGaAs QWIPs have been extensively used for large focal plane arrays (FPAs) of infrared imaging system. However, the research efforts for increasing sensitivity and operating temperature of the QWIPs still have pursued. The modification of heterostructures [2] and the various fabrications for preventing polarization selection rule [3] were suggested. In order to enhance optical performances of the QWIPs, double barrier quantum well (DBQW) structures will be introduced as the absorption layers for the suggested QWIPs. The DBWQ structure is an adequate solution for photodetectors working in the mid-wavelength infrared (MWIR) region and broadens the responsivity spectrum [4]. In this study, InGaAs/GaAs/AlGaAs double barrier quantum well infrared photodetectors (DB-QWIPs) are successfully fabricated and characterized. The heterostructures of the InGaAs/GaAs/AlGaAs DB-QWIPs are grown by molecular beam epitaxy (MBE) system. Photoluminescence (PL) spectroscopy is used to examine the heterostructures of the InGaAs/GaAs/AlGaAs DB-QWIP. The mesa-type DB-QWIPs (Area : $2mm{\times}2mm$) are fabricated by conventional optical lithography and wet etching process and Ni/Ge/Au ohmic contacts were evaporated onto the top and bottom layers. The dark current are measured at different temperatures and the temperature and applied bias dependence of the intersubband photocurrents are studied by using Fourier transform infrared spectrometer (FTIR) system equipped with cryostat. The photovoltaic behavior of the DB-QWIPs can be observed up to 120 K due to the generated built-in electric field caused from the asymmetric heterostructures of the DB-QWIPs. The fabricated DB-QWIPs exhibit spectral photoresponses at wavelengths range from 3 to $7{\mu}m$. Grating structure formed on the window surface of the DB-QWIP will induce the enhancement of optical responses.