• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2003년도 제25회 학술발표회 초록집
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• pp.108-108
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• 2003

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2009년도 9th International Meeting on Information Display
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• pp.1428-1429
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• 2009

Compared to the indium zinc oxide (IZO) film fabricated by micro-powder target, the IZO film with nano-powder target exhibited improved optoelectronic properties of wide bandgap, high transmittance, surface uniformity, and low sheet resistance due to the high film density.

• Korean Chemical Engineering Research
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• 제58권3호
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• pp.486-492
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• 2020

가시광 LED 빛에 반응하는 페로브스이트형 bismuth ferrite (BFO) 광촉매 제조방법과 가시광 광촉매 반응 특성을 조사하였다. BFO는 졸-겔법에 따라 제조하였다. 제조된 BFO는 주로 BiFeO₃ 구조로 이루어져 있으며 Bi₂₄Fe₂O₃₉ 구조도 포함한 나노 크기의 결정을 이루고 있었다. BFO 나노 결정은 약 600 nm까지 자외선과 가시광선을 흡수하는 것을 UV-visible 확산 반사 스펙트럼으로부터 확인하였다. 확산 반사 스펙트럼으로부터 구한 BFO의 밴드갭은 약 2.2 eV로 나타났다. 포름알데히드는 585 nm와 613 nm 파장의 가시광 LED 램프의 빛과 BFO 광촉매와의 광반응에 의하여 분해되어 제거되었다. BFO의 가시광 LED 빛에서 광촉매 활성은 BFO의 좁은 밴드갭에서 기인하는 것으로 보인다.

• 대한전자공학회논문지TC
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• 제45권1호
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• pp.115-119
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• 2008

본 논문에서는 도허티 전력증폭기의 출력 정합단에 새로운 광전자밴드갭(PBG) 구조를 적용하여 높은 효율을 유지하면서 선형성을 개선시키도록 하였다. 제안된 나선형 PBG 구조는 비평면 제조 공정을 요구하지 않는 유전체 판 위에 패턴을 뜬 2차원의 규칙적인 격자이다. 실험결과를 통해서 보면, 이 구조는 접지 평면에 세 개의 셀을 식각시킨 기본적인 PBG 구조보다 더 넓은 저지대역과 더 높은 저지 특성을 갖는다. 또한 더욱 가파른 스커트 특성을 갖는다. 이 새로운 PBG 구조는 선형성 개선을 위하여 도허티 전력증폭기에 적용되어 질 수 있다. 나선형 PBG 구조를 적용한 도허티 전력증폭기의 3차 혼변조 왜곡(IMD3)은 코드분할 다중접속(CDMA) 응용에서 -33dBc이다. 제안된 PBG 구조가 없는 도허티 전력증폭기와 비교했을 때, PAE는 유지하면서 IMD3은 -8dBc 개선되었다. 더욱이 나선형 PBG 구조는 기본적인 PBG 구조보다 물리적인 크기가 줄어서 전력증폭기의 전체 크기를 줄일 수 있었다.

• 한국컴퓨터정보학회논문지
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• 제27권8호
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• pp.211-218
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• 2022

광반사 변조 분광법에서 측정된 결과를 해석하기 위하여 전산모사 프로그램을 개발하였다. 개발된 프로그램은 광반사 변조 분광 특성해석에 필요한 인자들을 사용자가 손쉽게 바꿀 수 있으며, 그 값에 따른 결과를 실제 측정 결과와 동시에 확인할 수 있도록 구현하였다. 광반사 변조 분광법에서 얻어지는 결과는 밴드갭 주변에서 변조되어 나타나는 TDFF(Third Derivative Function Form)와 밴드갭보다 높은 에너지에서 나타나는 표면 및 계면에서의 전기장에 기인한 FKO(Franz-Keldysh Oscillation)신호가 혼합하여 나타난다. 전산모사 프로그램을 통하여, 실제로 단일층으로 형성된 GaSb Epi 층에서 나타나는 광변조 특성에 대하여 해석하였으며, 광변조 분석에 특화되어 매우 유용한 결과를 얻을 수 있었다. 또한, FFT (Fast Fourier Transform) 해석 Tool을 추가하여 FKO의 주파수 특성분석을 보다 용이하게 하였다.

• 전기학회논문지
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• 제62권4호
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• pp.517-522
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• 2013

The spurious electromagnetic radiation is generated due to the RF unbalanced current on a conductive cable connecting an electronic device to another. A metamaterial-based filtering geometry with frequency selectivity is suggested to reduce the radiation with a bandgap structure, where the right-handed inductance and capacitance stem from the transmission-like configuration between the cable and the metal protrusion, and the left-handed components come from the narrow cavities. The effect of the structure on the unbalanced current pulse and its spurious radiation is presented in the FDTD-method frame work.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2006년도 하계종합학술대회
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• pp.69-70
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• 2006

Air-guided single-mode propagation of THz radiation in a photonic crystal waveguide (PCW) has been experimentally demonstrated for the first time. The PCW has been fabricated by introducing an air defect at the center of an air/Si 1D photonic crystal. By using a THz time-domain spectroscopic technique, we have experimentally shown that the guiding mechanism of the air-guiding PCW is the photonic bandgap effect.

• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제13권1호
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• pp.63-66
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• 2014

ZnO is a wide bandgap (3.3 eV) semiconductor with high mobility and good optical transparency. However, off-current characteristics of ZnO thin-film transistor (TFT) need improvements. In this work we studied the variation in ZnO TFT current under different annealing conditions. Annealing usually modifies gas adsorption at grain boundaries of ZnO. When oxygen is adsorbed, electron density decreases due to strong electronegativity of the oxygen, and TFT current decreases as a result. Our experiments showed that current increased after vacuum annealing and decreased after air annealing. We explain that the change of off-current is caused by the desorption and adsorption of oxygen at the grain boundaries.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2001년도 하계학술대회 논문집 D
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• pp.2579-2581
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• 2001

넓은 가변 범위를 가지는 LC 탱크 전압 제어 발진기에 관해 본 논문에서 소개하고자 한다. LC 탱크 전압 제어 발진기의 발진을 소멸시키는 밀러 증폭기의 ESR을 제거함으로써 넓은 가변 범위를 얻을 수 있다. LC 탱크 전압 제어 발진기는 발진기 코어와 버퍼, 밴드갭(bandgap) 기준 전압 발생기 그리고 드라이브 증폭기로 구성되어 있다. 발진기 코어는 1.3mA의 전류를 소모하고 약 1GHz의 가변 범위를 가진다. 출력주파수의 가변 범위내에 발진기의 출력 전력은 3dBm 이내로 변한다. 이러한 LC 탱크 전압 제어 발진기는 BiCMOS 공정을 이용하여 제작되었고 2.7V 단일 전원에서 31.5mW의 전력을 소모한다.

• Journal of Power Electronics
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• 제12권1호
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• pp.19-23
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• 2012

This paper presents a practical methodology for realistic simulation on reverse characteristics of Wide Bandgap (WBG) SiC and GaN p-n junctions. The adjustment on certain physic-based model parameters, such as the trap density and photo-generation for SiC junction, and impact ionization coefficients and critical field for GaN junction are described. The adjusted parameters were used in Synopsys Medici simulation to obtain a realistic p-n junction avalanche breakdown voltage. The simulation results were verified through benchmarking against independent data reported by others.