• Proceedings of the KIEE Conference
• /
• 1995.11a
• /
• pp.332-334
• /
• 1995

In this paper, structual, optical properties of CdTe thin films and photovoltaic properties of thin film CdS/CdTe solar cell prepared by thermal vacuum evaporation were studied. The crystal structure of CdTe films was zircblend type with preferential orientation of the (111)plane parallel to the substrate. The heat treatment appears to stabilize this structure. The result of optical absorption and transmittance show that solar radiation with energy larger than bandgap is almost completely absorbed within an about $2{\mu}m$ thickness of the evaporated CdTe layer and transmittance of the CdTe film was larger with increasing annealing temperature. It was found that CdS/CdTe solar cell characteristics were improved by the heat treatment.

• Proceedings of the KIEE Conference
• /
• 2015.07a
• /
• pp.1020-1021
• /
• 2015

본 논문에서는 상용전압 AC 220V를 인가전압으로 사용하여 PMIC(Power Management IC)의 구동에 적합한 전압을 인가해주는 Pre-Regulator를 설계하였다. 설계된 Pre-Regulator는 상용전압을 사용하기 때문에 Device의 내압이 700V인 Magnachip $0.35{\mu}m$ BCD 공정을 이용하여 설계되었으며, 회로의 구성은 저전압 입력 보호 기능 및 JFET의 구동 제어를 위한 Under Voltage Lock Out(UVLO)회로, 전압조정기(Regulator)의 기준전압을 생성해주는 밴드갭 기준전압 발생(Bandgap Reference)회로, LDO(Low Drop Out)회로로 구성되어있다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 2014.02a
• /
• pp.237.2-237.2
• /
• 2014

이번 연구는 system-on-panel에 적용하기 위한 비휘발성 메모리의 전하보유시간 및 메모리 윈도우 특성 향상에 관한 연구이다. 이를 위해 SiO2/SiOX/SiOXNY의 메모리 구조를 이용하였으며, 채널층으로 결정화 온도에 따른 수소화된 미세결정 실리콘-게르마늄을 이용하였다. 채널 층으로 사용된 수소화된 미세결정 실리콘-게르마늄은 비정질 실리콘-게르마늄보다 더 낮은 bandgap과 더 적은 defect density로 인하여 더 향상된 전하보유시간 및 메모리 윈도우를 얻을 수 있었다. 결정화가 거의 이루어지지 않은 실리콘-게르마늄 비휘발성 메모리의 경우 약 4.9V의 메모리 윈도우를 얻을 수 있었다. 반면 300oC에서 약 43.4%의 결정화가 이루어진 실리콘-게르마늄의 메모리 윈도우는 약 5.9V로 약 17%의 향상이 있으며, 10년 후 74.5%의 높은 전하보유시간을 가졌다.

• Journal of Information Display
• /
• v.10 no.2
• /
• pp.87-91
• /
• 2009

Highly efficient red phosphorescent OLEDs (PHOLEDs) with a simple, organic, triple-layer structure was developed using the narrow-bandgap fluorescent host material bis(10-hydroxybenzo[h] quinolinato)beryllium complex (Bebq2) and the deep-red dopant tris(1-phenylisoquinoline)iridium (Ir(piq)3). The maximum current and power efficiency values of 12.71 cd/A and 16.02 lm/W, respectively, with an extremely low doping technology of 1%, are demonstrated herein. The results reveal a practical, cost-saving host dopant system for the fabrication of highly efficient PHOLEDs involving the simple structure presented herein, with a reduction of expensive Ir dopants.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
• /
• 2001.11b
• /
• pp.13-16
• /
• 2001

반도체 동작시에 파워 손실을 최소화하는 것은 2000년대의 에너지, 산업전자, 정보통신 산업분야에서의 가장 주요한 요구 사항중의 하나이다. 실리콘계 반도체 소자들은 완전히 새로운 구동기구의 소자가 개발되지 않는 한, 실리콘 재료의 낮은 열전도율이나 낮은 절연파괴전계와 같은 물리적 특성한계 때문에 이러한 요구를 만족시키는 것이 불가능한 실정이다. 따라서 21세기를 위한 대안으로 고열전도융의 WBG(WideBand-Gap) 물질 그 중에서도 탄화규소(SiC) 반도체가 제시되고 있다. SiC 반도체는 실리콘에 비하여 밴드갭(band gap: $E_{g}$)이 높을 뿐만이 아니라 절연파괴강도 ($E_{B}$)가 한 자릿수 이상 그리고 전자의 포화 drift 속도, $V_{s}$ 및 열전도도 k가 3배 가량 크다. 따라서 SiC는 고온 동작 내지는 고내압, 대전류, 저손실 반도체를 제작하는데 아주 유리하다. 본고에서는 응용성이 넓고, 단결정 제조가 비교적 용이한 SiC 반도체의 기술현황에 대하여 살펴보고자 한다.

• 전기의세계
• /
• v.26 no.6
• /
• pp.86-92
• /
• 1977

The phenomenon of non-steady-state current flow through the interface traps during the dielectric relaxation of MOS device is presented. Experimental method is also described for determining the energy distribution of interface traps, which is based on isothermal dielectric relaxation current technique. Actually, the energy distribution of interface traps was obtained by measuring the transient current through the traps at Si-SiO$_{2}$ interface only in lower-half of the bandgap. It is shown that the trap energy distributio has peak value 1.72*10$^{13}$ cm$^{-2}$ eV$^{-1}$ near 0.73eV approximately.

• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
• /
• 2011.11a
• /
• pp.64.1-64.1
• /
• 2011

다중접합 태양전지는 흡수대역이 다른 juntion으로 구성되어, 각각의 태양전지 간의 전류정합(current matching)이 효율 향상에 중요하다. 본 실험에서는 Top cell에 i-a-Si:H(Thinckness:100nm), Middle cell에는 i-a-SiGe:H(Thickness:800nm)을 적용하였고, bottom cell에는 i-${\mu}c$-Si:H(Thickness:1800nm), 수광부의 p-layer에 에 SiOx을 이용하여 triple juntion amorphous silicon solar cell(삼중접합태양전지)을 구현하였다. 이를 최적화 시키기 위해 ASA simulation을 이용하여 각 Cell의 intrinsic layer의 밴드갭을 가변하였다. 가변 결과 i-a-Si:H : 1.85 eV, i-a-SiGe:H: 1.6 eV, i-${\mu}c$-Si:H: 1.4 eV에서 태양전지 효율 14.5 %을 기록 하였다. 본 연구를 통해 Triple juntion cell에서의 intrinsic layer의 밴드갭 최적화를 구현해 볼 수 있었다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 2011.02a
• /
• pp.489-489
• /
• 2011

The effect of Si quantum dots for solar cell appications was investigated. The 5 ~ 10 nm Si nanoparticle was fabricated on p-type single and poly crystalline wafer by magnetron sputtering and laser irradiation process. Scanning electron microscopy (SEM), atomic force measurement (AFM) and transmission electron microscopy (TEM) images showed that the Si QDs array were clearly embedded in insulating layer ($SiO_2$). Photoluminesence (PL) measurements reliably exhibited bandgap transitions with every size of Si QDs. The photo-current measurements were showed different result with size of QD and number of superlattice.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 2003.08a
• /
• pp.108-108
• /
• 2003

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 2011.08a
• /
• pp.368-368
• /
• 2011

I-III-VI족 화합물반도체인 CuInSe2(CIS)는 1.02 eV 직접천이형 bandgap을 가지고 있으며 높은 광흡수 계수($1{\times}10^5\;cm^{-1}$)를 가지고 있어 박막형태양전지의 광흡수층으로 많이 사용되고 있다. 특히 저비용, 대면적화, 고효율의 태양전지 구현을 위해 CIS 나노입자를 합성하고 용매에 분산시켜 Ink화하는 연구가 진행되고 있다. 하지만 기존의 CIS 나노입자합성에 사용되는 수열합성법은 독성이 강하고 고비용의 용매를 사용하는 단점을 갖고 있다. 따라서 본 연구에서는 이러한 문제를 해결하고자 수용액기반의 수열합성법과 열처리과정을 통하여 CIS 나노입자를 합성하였다. 합성된 나노입자를 XRD, EDAX, SEM, TEM 분석을 통하여 CIS가 합성된 것을 확인하였다.