The gene for iso-1-cytochrome c for Saccharomyces cerevisiae was recloned into a pSP65 vector containing an active bacteriophage SP6 promoter. The iso-1-cytochrome c gene was cloned as an 856 bp Xho 1-Hind III fragment. When the resulting plasmid was digested at the Hind 111 site 279 bases downstream from the termination codon of the gene and transcribed in vitro using SP6 RNA polymerase, full length transcripts were produced. The SP6 iso-1-cytochrome c mRNA was translated using a rabbit reticulocyte lysate system and the protein products analyzed on SDS polyacrylamide gels. One major band was detected by autofluorography. This band was found to have a molecular weight of 12,000 Da and coincided with the Coomassie staining band of apocytochrome c from S. cerebisiae. The product was also shown to be identical with that of standard yeast apocytochrome c on an isoelectric focusing gel. The in vitro synthesized iso-a-cytochrome c was methylated by adding partially purified S-adenosyl-L-methionine . protein-lysine N-methyltransferase (Protein methylase III; EC 2.1.1.43) from S. cerevisiae along with S-adenosyl-L-methionine to the in vitro translation mixtures. The methylation was shown to be inhibited by the addition of the methylase inhibitor S-adenosyl-L-homocysteine or the protein synthesis inhibitor pu omycin. The methyl derivatives in the protein were identified as $\varepsilon$-N-mono, di and trimethyllysine by amino acid analysis. The molar ratio of methyl groups incorporated to that of cytochrome c molecules synthesized showed that 23% of the translated cytochrome c molecules were methylated by protein methylase III.
A girl aged 18 years and 1 month, had a Angle's Class III malocclusion, characterized by .anterior crossbite, anterior crowding, and constriction from right lower 2nd premolar to right lower 2nd molar. This patient underwent sealing and (equation omitted) extraction, and multibanded system was placed. After 14 months, anterior crossbite and crowding was corrected, an bothdental arches were improved. After 6 months from debanding, band space disappeared and any relapse was not detected.
한국초전도학회 2000년도 High Temperature Superconductivity Vol.X
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pp.15-20
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2000
We demonstrated a single balanced mixer of the combination of high-T. superconductor (HTS) and III-V GaAs beam lead Schottky diodes operating in the mini-cryogenic chamber. The HTS hybrid mixer was designed with a center frequency of 27.5 GHz and a bandwidth of 1 GHz, and consisted of a rat-race coupler circuit with beam-lead diodes attached to its balanced ports. The HTS hybrid mixer with 1 GHz RF bandwidths exhibits a conversion loss of 6 dB. A LO-to-RF isolation was greater than 40 dB in the range of operating frequencies. Since the HTS/III-V hybrid mixer devices have lower noise and conversion loss, this technique provide us with new capabilities that can be effectively utilized in the field of local-point distribution service (LMDS) systems.
The luminescence spectra of Eu(Ⅲ) complexes have been measured as a function of molar metal-to-ligand ratio and pH. The ligands used in this study are tridentate iminodiacetate (IDA) and methyliminodiacetate (MIDA). The 620 nm emission band, attributed to the $^5D_0{\to}^7F_2$ transition, is monitored to investigate the optimum condition for $EuL_3^{3-}$ complex formation in aqueous state. In addition, the sensitivity of the 465 nm absorption band, attributed to the $^7F_0{\to}^5D_2$ transition, to the ligand environment has been also investigated.
InSb (III-V compound semiconductor) is used for photodiode to detect the mid-wavelength infrared radiation. Generally the quantum efficiency of InSb IR FPAs(Focal Plane Arrays) is known to be determined by thickness of InSb and transmittance of anti-reflection coating layer. In this study, we confirmed that the C-V characteristics of detector array affects the quantum efficiency of the InSb IR FPAs. We fabricated the IR FPAs with various $V_{fb}$(flat band voltage) values and confirmed the tendency between the $V_{fb}$ value and quantum efficiency of the IR FPAs.
사원화합물 반도체 $Ga_xIn_{1-x}Sb_yAs_{1-y}$을 구성하는 네 가지 이원화합물 반도체 GaAs, GaSb, InAs, InSb의 최고 가전자띠 준위와 최저 전도띠 준위를 밀접결합방법에 근거한 해석적 근사법으로 계산하였다. 이들을 이종 접합시켰을 때 경계면에서의 밴드정렬상태를 구한 결과, GaAs/InAs와 GaAs/InSb, GaSb/InSb는 제 I형, GaAs/GaSb는 제 II형, GaSb/InAs, InSb/InAs는 제III형의 밴드 정렬 형태를 갖는다는 것을 알 수 있었다. 또한 범용적 밀접결합을 이용하여 사원화합물 반도체 $Ga_xIn_{1-x}Sb_yAs_{1-y}$의 성분비 x와 y에 따른 최고 가전자 띠와 최저 전도 띠 준위변화를 구하였다. $Ga_xIn_{1-x}Sb_yAs_{1-y}$을 GaSb와 InAs 격자 정합시켜 경계면에서의 밴드정렬상태를 구해 본 결과 성분비에 따라 제 II형과 제 III형 사이의 밴드정렬형태의 전이가 일어남을 알 수 있었다. $Ga_xIn_{1-x}Sb_yAs_{1-y}$를 GaSb에 격자 정합 시켰을 때 $x{\geq}0.15$에서 제 III형 밴드정렬이었던 것이 $x{\geq}0.81$에서는 제 II형의 밴드정렬 상태로 전이되며, 이와 반대로 $Ga_xIn_{1-x}Sb_yAs_{1-y}$를 InAs에 격자정합 시켰을 때 $x{\geq}0.15$에서 제 II형 밴드 정렬이 $x{\geq}0.81$에서 제 III형 밴드정렬로 전이됨을 알 수 있었다.
$Fe_{16}N_{2}$의 전자, 자기적구조를 이해하고자 우리는 자체충족적 국제 밀도함수 근사 LMTO(Linearized Muffin Tin Orbita)밴드 방법을 이용하여 전자구조이론 연구를 수행하였다. $Fe_{16}N_{2}$ 금속 화합물의 기저상태의 물리적 파라미터들, 즉 에너지 밴드, 상태밀도, Stoner 상수, 자기 모멘트 등을 구하여 이들 의 전자기적 물성을 고찰하고 이들을 토대로 하여 이 화합물의 자기적 구조와 Fe 원자에서의 자기모멘트 증가를 미시적으로 고찰하였다. $Fe_{16}N_{2}$에 존재하는 3종류의 Fe 원자, Fe I, Fe II, Fe III 원자들의 자기모멘 트는 각각 2.13, 2.50, $2.85\;{\mu}_{B}$로 주어져 N 원자에서부터 멀리 떨어져잇는 Fe II, Fe III 원자들에서 큰 자기모멘트 증가를 얻었고 Fe 원자의 자기모멘트 결정에는 주위 국재환경이 매우 중요하다는 결론을 얻었다. Fe 원자당 평균 자기모멘트는 $2.50\;{\mu}_{B}$로 계산되어 보고된 측정 산출치($-3.0\;{\mu}_{B}$)보다는 적은 값을 얻었다.
본 시험은 고구마 육종에 필요한 기초 자료를 제공하고자 1993년과 1994년에 작물시험장에서 보유하고 있는 유전자원 100품종에 대하여 전기영동법으로 esterase 동위효소와 단백질 특성을 분류하였던 바 결과는 다음과 같다. 1. 잎의 esterase 동위락소 특성은 14가지 형으로 분류되었고 Ⅸ형에 가장 많은 46품종이 속하여 있으며, 다음은 Ⅶ, I, III, Ⅷ, II 및 V형의 순으로 47품종이 속하여 있고 나머지 7품종은 각기 다른 특성을 가지고 있었다. 효소의 수가 많은 I형에는 신율미, Beniastma 및 High Starch 등 육질이 분질인 품종이 분포 되었다. 2. 괴근의 esterase 동위리소 특성은 18가지 형으로 분류되 었고 C형은 가장 많은 22품종을 포함하고 있으며 그 다음은 B, K, A, E, 1 및 N 형 순이었다. 3. 괴근의 단백질 특성은 7가지 형으로분류되었고 I형은 36품종, IV형 27품종을 포함하였으며 다음은 II, III, Ⅶ 및 Ⅵ형 순이었다. 4. 잎과 괴근의 major esterase 동위효소와 major 단백질 분석 결과 Beniastma, Beniaka, Beniazuma 및 Benikomachi, Shiroshistma와 Shiroshastma는 유사한 품종이었고 기타는 다른 품종임을 알 수 있었다.
홍화 수집종의 RAPD 분석을 통한 유전적 다양성 및 유연관계를 밝히고 품종군을 분류하여 품종육성의 기초자료로 활용코자 시험한 결과는 아래와 같다. RAPD 분석에 적용한 37개의 Primer 중 25개의 적정 primer를 선발하였고, 증폭원 PCR산물은 $0.1{\sim}4.0kb$에서 재현성있는 band를 보였으며 각 primer에 의해 증폭된 band의 수는 $1{\sim}9$개로 다양하였고 평균 4.8개였다. PCR 반응에 사용된 25개의 primer에서 120개의 band가 관찰되었으며 다형성을 보이는 band될 수는 23개(19.2%)였다. RAPD-PCR에 의해 얻어진 dendrogram에서 유연계수 0.042를 기준으로 합을 했을 때 6개 군으로 분류되었고 II군과 III군은 각각 12종(38%)씩 속하였다.
Gallium Nitride (GaN) powders were synthesized by calcining a gallium(III) sulfate salt in flowing ammonia in the temperature range 500-1100$^{\circ}C$. The process of conversion of the salt to GaN was monitored by X-Ray Diffraction (XRD). The salt decomposed to ${\gamma}$-Ga$_2$O$_3$ and then converted to GaN without ${\gamma}$-${\beta}$Ga$_2$O$_3$ phase transition. Variations in XRD patterns and weight loss of samples with temperature indicate that the conversion of ${\gamma}$-Ga$_2$O$_3$ to GaN does not proceed through Ga$_2$O but stepwise via amorphous gallium oxynitride (GaO$\_$x/N$\_$y/) as intermediates. Room-temperature photoluminescence spectra of GaN powders obtained showed the emission peak at 363 nm and no yellow band.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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