The nucleophilic substitution reactions of ethylene phosphorochloridate (2) with X-pyridines are investigated kinetically in acetonitrile at $-20.0^{\circ}C$. The free energy correlations for substituent X variations in the nucleophiles exhibit biphasic concave upwards with a break point at X = 3-Ph. Unusual positive ${\rho}_X$ (= +2.49) and negative ${\beta}_X$ (= -0.41) values are obtained with the weakly basic pyridines, and rationalized by the isokinetic relationship with isokinetic temperature at $t_{ISOKINETIC}=6.6^{\circ}C$. The pyridinolysis rate of 2 with a cyclic five-membered ring is forty thousand times faster than its acyclic counterpart (3: diethyl chlorophosphate) because of great positive value of the entropy of activation of 2 (${\Delta}S^{\neq}$ = +49.2 eu) compared to negative value of 3 (${\Delta}S^{\neq}$ = -44.1 eu) over considerably unfavorable enthalpy of activation of 2 (${\Delta}H^{\neq}=28.4\;kcal\;mol^{-1}$) compared to 3 (${\Delta}H^{\neq}=6.3\;kcal\;mol^{-1}$). Great enthalpy and positive entropy of activation are ascribed to sterically congested transition state (TS) and solvent structure breaking in the TS. A concerted mechanism involving a change of nucleophilic attacking direction from a frontside attack with the strongly basic pyridines to a backside attack with the weakly basic pyridines is proposed.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제3권1호
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pp.4-8
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2002
The typical mold method for FED (field emission display) fabrication is used to form a gate electrode, a gate oxide layer, and emitter tip after fabrication of a mold shape using wet-etching of Si substrate. However, in this study, new mold method using a side wall space structure was developed to make sharp emitter tips with the gate electrode. In new method, gate oxide layer and gate electrode layer were deposited on a Si wafer by LPCVD (low pressure chemical vapor deposition), and then BPSG (Boro phosphor silicate glass) thin film was deposited. After then, the BPSG thin film was flowed into the mold at high temperature in order to form a sharp mold structure. TiN was deposited as an emitter tip on it. The unfinished device was bonded to a glass substrate by anodic bonding techniques. The Si wafer was etched from backside by KOH-deionized water solution. Finally, the sharp field emitter array with gate electrode on the glass substrate was formed.
Hot embossing is to fabricate desired pattern on the polymer substrate by pressing the patterned mold against the substrate which is heated above the glass transition temperature, and it is a high throughput fabrication method for bio chip, optical microstructure, etc. due to the simultaneous large area patterning. However, the bad pattern fidelity in large area patterning is one of the obstacles to applying the hot embossing technology for mass production. In the present study, PDMS pad was used as a cushion on the backside of the micro-patterned 4 inch Si mold to improve the pattern fidelity over the 4 inch PMMA sheet by increasing the conformal contact between the Si mold and the PMMA sheet. The pattern replicability improvement over 4 inch wafer scale was evaluated by comparing the replicated pattern height and depth for PDMS-cushioned Si mold against the rigid Si mold without PDMS cushion.
Recently, finishing materials at spandrel area, a part of curtain-wall system, are gradually forced to improve thermal insulation performance in order to enhance the building energy efficiency. Also, Building Integrated Photovoltaics(BIPV) systems have been installed in the exterior side of the spandrel area, which is generally composed of windows. Those BIPVs aim to achieve high building energy efficiency and supply the electricity to building. However, if transparent BIPV module is combined with high insulated spandrel, it would reduce the PV efficiency for two major reasons. First, temperature in the air space, located between window layer and finishing layer of the spandrel area, can significantly increase by solar heat gain, because the space has a few air density relative to other spaces in building. Secondly, PV has a characteristics of decreased Voltage(Voc and Vmp) with the increased temperature on the PV cell. For these reasons, this research analyzed a direct interrelation between PV Cell temperature and electricity generation performance under different insulation conditions in the spandrel area. The different insulation conditions under consideration are 1) high insulated spandrel(HIS) 2) low insulated spandrel(LIS) 3) PV stand alone on the ground(SAG). As a result, in case of 1) HIS, PV temperature was increased and thus electricity generation efficiency was decreased more than other cases. To be specific, each cases' maximum temperature indicated that 1) HIS is $83.8^{\circ}C$, 2) LIS is $74.2^{\circ}C$, and 3) SAG is $66.3^{\circ}C$. Also, each cases yield electricity generation like that 1) HIS is 913.3kWh/kWp, 2) LIS is 942.8kWh/kWp, and 3) SAG is 981.3kWh/kWp. These result showed that it is needed for us to seek to the way how the PV Cell temperature would be decreased.
Jang, Jong Shik;Kang, Hee Jae;Kim, An Soon;Baek, Hyun Jeong;Kim, Tae Woon;Hong, Songwoung;Kim, Kyung Joong
한국진공학회:학술대회논문집
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한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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pp.188.1-188.1
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2014
Aluminum is widely used as a material for electrode on silicon based devices. Especially, aluminum films are used as backside and front-side electrodes in silicon quantum dot (QD) solar cells. In this point, the diffusion of aluminum is very important for the enhancement of power conversion efficiency by improvement of contact property. Aluminum was deposited on a Si (100) wafer and a Si QD layer by ion beam sputter system with a DC ion gun. The Si QD layer was fabricated by $1100^{\circ}C$ annealing of the $SiO_2/SiO_1$ multilayer film grown by ion beam sputtering deposition. Cs ion beam with a low energy and a grazing incidence angle was used in SIMS depth profiling analysis to obtain high depth resolution. Diffusion behavior of aluminum in the Al/Si and Al/Si QD interfaces was investigated by secondary ion mass spectrometry (SIMS) as a function of heat treatment temperature. It was found that aluminum is diffused into Si substrate at $450^{\circ}C$. In this presentation, the effect of heat treatment temperature and Si nitride diffusion barrier on the diffusion of Al will be discussed.
건물 내부에서 화재 발생 시 외벽에 설치된 유리벽이나 창이 파손되며 이를 통해 화염이 밖으로 노출되면 화재는 외벽을 타고 수직상승하며 급격히 확대될 수 있다. 이를 막기 위한 효과적인 방법으로는 현재 내화유리를 사용하거나 또는 유리가 화염에 견딜 수 있도록 냉각수 등으로 방호해주는 윈도우 스프링클러 방식이 있다. 본 연구에서는 실내 유리창 상단에 설치되어 화재 시 열기류에 의해 감열체가 개방되면 유리에 냉각수를 방수하며 화염으로부터 유리를 방호해주는 윈도우 헤드를 개발하여 이의 내화성능을 평가하고자 하였으며 이를 위해 실규모 수직가열로를 이용해 유리창 시험체를 표준 온도-시간곡선에 따라 가열하여 윈도우 헤드의 내화시험을 실시하였다. 실험결과 1개의 윈도우 헤드로 최대 너비 2,400 mm의 유리창을 2시간 동안 방호하는데 성공하였으며 이 때 유리창 이면의 최고온도는 국소적으로 $126^{\circ}C$까지 상승하였으나 평균 $100^{\circ}C$를 유지하며 안정된 내화성능을 나타내었다.
본 연구에서는 달라지는 화재 성상에 대비하기 위한 내화재료 연구의 일환으로 천연 탄산칼슘 재료인 굴 패각과 난각을 각각 잔골재로 치환하여 치환율에 따른 강도 및 내화성능을 평가하여 내화 재료로 사용하기 위한 자료를 제공하고자 하였다. 굴 패각과 난각은 각각 잔골재 대비 10~50 %를 치환하였고, KS 시험방법에 준하여 강도측정 및 간이가열 실험을 진행하였다. OS를 치환한 경우는 ES를 치환한 경우보다 강도가 높게 측정되었지만 이면온도 또한 높게 측정되었다. 이를 통해 폭발성 화재같이 강도성능이 요구되는 곳은 OS를 혼합한 내화보드를 사용하고, 1000 ℃이상의 고온화재 같이 높은 내화성능이 요구되는 곳은 ES를 혼합한 내화보드를 사용하는 등 용도에 맞게 선택할 수 있을 것으로 사료된다.
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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제5권3호
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pp.149-158
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2005
This paper describes design, fabrication, and application of the silicon based temperature controllable micro reactor. In order to achieve fast temperature variation and low energy consumption, reaction chamber of the micro reactor was thermally isolated by etching the highly conductive silicon around the reaction chamber. Compared with the model not having thermally isolated structure, the thermally isolated micro reactor showed enhanced thermal performances such as fast temperature variation and low energy consumption. The performance enhancements of the micro reactor due to etched holes were verified by thermal experiment and numerical analysis. Regarding to 42 percents reduction of the thermal mass achieved by the etched holes, approximately 4 times faster thermal variation and 5 times smaller energy consumption were acquired. The total size of the fabricated micro reactor was $37{\times}30{\times}1mm^{3}$. Microchannel and reaction chamber were formed on the silicon substrate. The openings of channel and chamber were covered by the glass substrate. The Pt electrodes for heater and sensor are fabricated on the backside of silicon substrate below the reaction chamber. The dimension of channel cross section was $200{\times}100{\mu}m^{2}$. The volume of reaction chamber was $4{\mu}l$. The temperature of the micro reactor was controlled and measured simultaneously with NI DAQ PCI-MIO-16E-l board and LabVIEW program. Finally, the fabricated micro reactor and the temperature control system were applied to the thermal denaturation and the trypsin digestion of protein. BSA(bovine serum albumin) was chosen for the test sample. It was successfully shown that BSA was successfully denatured at $75^{\circ}C$ for 1 min and digested by trypsin at $37^{\circ}C$ for 10 min.
A scroll expander has been designed to produce a shaft power from a R134a Rankine cycle for electricity generation. Heat was supplied to the Rankine cycle through a heat exchanger, which received heat from another cycle of water. In the water cycle, water was heated up in a boiler using biogenic solid fuel. The designed scroll expander was a horizontal type, and a trochoidal oil pump was employed for oil supply to bearings and Oldham-ring keys. For axial compliance, a back pressure chamber was created on the backside of the orbiting scroll base plate. Numerical study has been carried out to estimate the performance of the designed scroll expander. The expander was estimated to produce the shaft power of about 2.9 kW from a heat supply of 36 kW, when the temperature of R134a was $80^{\circ}C$ and $35^{\circ}C$ at the evaporator and condenser of the Rankine cycle, respectively. The expander efficiency was about 70.5%. When the amount of heat supply varied in the ranges of 7.5~55 kW, the expander efficiency changed in the range of 45.6~70.5%, showing a peak efficiency of 70.5% at the design shaft speed.
강유전체 박막과 마이크로 가공기술을 이용하여 초전형 적외선 센서를 제작하였다. 초전형 적외선 센서는 $Pb_{l-x}La_{x}Ti_{1-x/4}O_{3}$ (x=0.05) (PLT) 강유전체 박막 커패시터를 RF 마그네트론 스퍼터링 방식으로 백감 전극이 증착된 MgO 기판상에 결정 성장시킨 구조를 갖고 있다. 스퍼터링된 PLT 박막은 높은 c-축 결정 구조를 가지므로 센서로 사용하기 위한 분극 처리 과정이 필요 없다. 이는 적외선 이미지 센서를 구현함에 있어서 수율 향상에 필수적인 요소이다. 또한 마이크로 가공 기술을 사용하여 센서의 열용량을 극소화함으로서 센서의 효율을 최대화하였다. 제작된 센서의 상부에 폴리이미드를 코팅하고 MgO 기판을 선택적으로 식각하여 코팅된 폴리이미드와 MgO가 강유전체 박막 커패시터를 지지하고 있는 구조를 구현하였다. 이렇게 제작된 센서의 감도는 상온에서 $8.5{\times}10^{8}cm{\cdot}\sqrt{Hz}/W$로 측정되었으며 이는 마이크로 가공 기술을 사용하지 않은 경우보다 약 100 배의 감도 향상을 가져왔다. 2차원 배열 구조를 갖는 센서를 가지고 인체의 유 무 뿐만 아니라 위치까지 감별할 수 있는 센싱 시스템을 구현하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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