The performance of ultrasonic testing systems for industrial or medical purpose largely depends on the performance of ultrasonic transducers. Generally, the information about an ultrasonic transducer performance characteristics are expressed by the ultrasonic R/F signal back from a reflector and its frequency characteristics in the data sheet provided by manufacturers. In case of focused ultrasonic transducers, the two pieces of information can, however, hardly assure that the focused ultrasonic transducer would produce well-focused C-scan images. Therefore, we propose the measured size of focal spot and the reconstructed shape of effective focal zone in the focused sound field as novel measures for the performance evaluation of the focused ultrasonic transducers. The process of getting the both measures of the transducers is conducted by the implemented software including sound field scanning and virtual 3D reconstruction functions which requires the echo of a point reflector. The proposed method could, otherwise impossible in the existing method, effectively and simply distinguish superior ones among many transducers made in the same specification and be also used to detect the performance degradation due to the aging of the transducers. Eventually, the quality of performance of the ultrasonic testing systems for industrial or medical purpose is secured.
The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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v.16
no.4
s.95
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pp.366-372
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2005
This paper presents analysis of a slot array antenna having a low side lobe level and high front-to-back ratio for a repeater system of a satellite DMB(Digital Multimedia Broadcasting) service. Antennas for this repeater system require a high gain and enough isolation to reduce interferences between signals in system. Therefore, it is necessary to suppress a side lobe level and to increase front-to-back ratio. Unlike a structure 134 by lossy microstrip lines, in this work a single cavity-backed slot antenna array using a single waveguide feed is proposed to obtain the reliability for high power handling and high radiation efficiency. The side lobe level and front-to-back ratio are enhanced with tapered array technique and an optimized vertical reflector. The measured side lobe levels in H- and E-plane are under $-33.24\;\cal{dB}$ and $-35.78\;\cal{dB}$, respectively. The front-to-back ratio over $37.84\;\cal{dB}$, and the peak gain of over $17\;\cal{dBi}$ are measured.
We have developed highly stabilized (p-i-n)-type protocrystalline silicon (pc-Si:H) multilayer solar cells. To achieve a high conversion efficiency, we applied a double-layer p-type amorphous silicon-carbon alloy $(p-a-Si_{1-x}C_x:H)$ structure to the pc-Si:H multilayer solar cells. The less pronounced initial short wavelength quantum efficiency variation as a function of bias voltage proves that the double $(p-a-Si_{1-x}C_x:H)$ layer structure successfully reduces recombination at the p/i interface. It was found that a natural hydrogen treatment involving an etch of the defective undiluted p-a-SiC:H window layer before the hydrogen-diluted p-a-SiC:H buffer layer deposition and an improvement of the order in the window layer. Thus, we achieved a highly stabilized efficiency of $9.0\%$ without any back reflector.
Jang, Eunseok;Baek, Sanghun;Jang, Byung Yeol;Lee, Jeong Chul;Park, Sang Hyun;Rhee, Young Woo;Cho, Jun-Sik
한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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2011.05a
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pp.128.2-128.2
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2011
스테인레스 스틸 유연기판 위에 플라즈마 화학기상 증착법 (plasma enhanced chemical vapor deposition)을 이용하여 nip 구조의 미세결정질 실리콘 박막 태양전지 (microcrystalline silicon thin film solar cell)를 제조하고 i ${\mu}c$-Si:H광 흡수층과 p ${\mu}c$-Si:H 사이에 i a-Si:H 버퍼 층을 삽입하여 i/p 계면특성을 개선하고 이에 따른 태양전지 성능특성 변화를 조사하였다. ${\mu}c$-Si:H 박막으로 이루어진 i/p 계면에서의 구조적, 전기적 결함은 태양전지 내에서 생성된 캐리어의 재결합과 shunt resistance 감소를 초래하여 개방전압 (open circuit voltage) 및 곡선 인자 (fill factor)를 감소시키는 것으로 알려졌다. 제조된 미세결정질 실리콘 박막 태양전지는 SUS/Ag/ZnO:Al/n ${\mu}c$-Si:H/i ${\mu}c$-Si:H/p ${\mu}c$-Si:H 구조로 제작되었으며 i/p 계면 사이의 i a-Si;H 버퍼층 두께를 변화시키고 이에 따른 태양전지의 특성을 조사하였다. 태양전지의 구조적, 전기적 특성 변화는 Scanning Electron Microscope (SEM), UV-visible-nIR spectrometry, Photo IV와 Dark IV를 통하여 조사하였다.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.22
no.3
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pp.269-276
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2009
Antimony doped tin oxide ($SnO_2:Sb$) films, which are used as the front contact and back reflector of thin film solar cells, have been deposited by d,c, magnetron sputtering. The dependence of electrical and optical properties of the films on the preparation conditions, such as $O_2$ gas ratio, substrate temperature, annealing temperature was investigated. The sputter gas composition was found to affect the properties of the films. With incorporating $O_2$ gas, the electrical and optical properties of films significantly were improved. The minimum resistivity and optical transmittance over 80 % in visible region were obtained at the oxygen concentration of 30 %, When the substrate temperature was higher, the resistivity of $SnO_2:Sb$ films was decreased, while the absorption edge shifted to shorter wavelength, indicating higher optical band gap. Heat treatment over $600^{\circ}C$ resulted in poorer electrical and optical properties due to SnO phase (102) plane.
Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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2010.05a
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pp.11.2-11.2
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2010
Photovoltaic devices are promising candidates as affordable and large-area renewable energy sources, which can replace the fossil-fuel-based resources. Especially, thin film solar cells have attracted increasing research attention, since they have a great advantage of low production cost. From the physical point of view, the photovoltaic devices can provide us interesting questions, how to enhance the light absorption and the carrier collection efficiency. A lot of approaches would be possible to address these issues. We have focused on two major topics relevant to photovoltaic device physics; (1) light management using surface plasmons and (2) junction characterizations aiming at proper interface engineering. Regarding the first topic, we have investigated the influences of Ag under-layer morphology on optical properties of ZnO thin films. The experimental results suggested that coupling between the surface plasmon polaritons at the ZnO/Ag interface and excitons in ZnO should play important roles in reflectivity of the ZnO/Ag thin films, which are widely used back reflector structures in thin film solar cells. For the second topic, we have carried out scanning probe microscopy studies of Schottky junctions consisting of photovoltaic materials. Such a research is very helpful to understand the correlation between the defects (e.g., grain boundaries) and local electrical properties. We will introduce some of the recent experimental results and discuss the physical significance.
GaN-based light-emitting diodes (LEDs) of a 405 nm wavelength have been fabricated on a sapphire substrate by metal organic chemical vapor deposition (MOCVD). In order to reflect the photons, which are generated in the InGaN active region and emitted to the backside, to the front surface, a reflection layer was deposited onto the back of the substrate. Aluminum was used as the reflection layer and Al was deposited on the sample followed by Ti evaporation for firm adhesion of the reflection layer to the substrate. The light extraction efficiency was enhanced 52 % by adoption of the Ti-Al reflection layer.
The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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v.27
no.12
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pp.1027-1035
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2016
In this paper, the method to miniaturize the radiating element of a VHF-band active electronically scanned array is proposed. The length of the proposed dipole having trapezoidal shape structure is miniaturized using meander line while the performance degradation is minimized. The grid reflector is used to improve the antenna directivity and insensitivity due to the outer environment. In addition, the antenna is designed to take into account for array application. The fabricated antenna has a 9.1 % fractional bandwidth for the voltage standing wave ratio(VSWR) 2:1 and the maximum gain of 4.24 dBi. The front-to-back ratio(FBR) is larger than 15 dB.
Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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v.14
no.4
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pp.1908-1914
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2013
In this paper, we introduce a design method for a broadband planar quasi-Yagi antenna (QYA) for terrestrial digital television (DTV) reception. The coplanar strip line which feeds the driver dipole is connected to a microstrip line and is terminated by short circuit. By appending a wide strip-type rectangular director at a location close to the driver dipole, broadband impedance matching and gain enhancement in a high frequency region are obtained. The gain characteristics in a low frequency region are improved by adding a reflector formed by a truncated ground plane. To reduce the antenna size, the strip-type dipole and reflector are modified to half bow-tie (V)-shaped elements. The effects of various parameters on the antenna characteristics are examined. An antenna, as a design example for the proposed antenna, is designed for the operation in the frequency band of 470-806 MHz for terrestrial DTV. The optimized antenna is fabricated on an FR4 substrate and the experimental results show that the antenna has a good performance such as a frequency band of 450-848 MHz for a VSWR < 2, gain > 4.1 dBi, and front-to-back ratio > 10.4 dB.
Woo, Dong Sik;Kim, In-Bok;Kim, Young-Gon;Kim, Kang Wook
The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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v.24
no.1
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pp.27-35
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2013
In this paper, a compact, broadband quasi-Yagi antenna utilizing balance analysis of the ultra-wideband microstrip-to-coplanar stripline(MS-to-CPS) balun is proposed. The antenna size was reduced by removing the reflector on bottom layer and ground plane is used as a reflector. A planar balun that transforms from microstrip(MS) to balanced coplanar stripline(CPS) is characterized in the amplitude and phase imbalances at CPS output ports are investigated and discussed. As compared with the conventional balun, the proposed MS-to-CPS balun demonstrated very wideband performance from 7 to over 20 GHz. From the simulation study, amplitude and phase imbalances are within 1 dB and ${\pm}5^{\circ}$, respectively. The implemented antenna provides very wide bandwidth from 6.9 to 15.1 GHz(74.5 %). The gain of the antenna is from 3.7 to 5.5 dBi, the front-to-back ratio is more than 10 dB, and the nominal radiation efficiency is about 94 %.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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