방사선 방호복의 대부분은 가공성과 경제성이 매우 우수하고 높은 원자번호를 갖고 있어 방사선 차폐가 우수한 납으로 제작된다. 하지만 납은 유해 중금속으로 분류되어 납중독 등의 위험이 있으며, 착용 시 중량감 및 불편함 등이 크므로 최근에는 납이 아닌 다양한 물질로 차폐 시트에 대한 연구가 이루어지고 있다. 본 연구에서는 인체에 무해한 BaSO4와 Bi2O3두 화합물과 실리콘 재질의 바인더를 혼합하여 기존과 동등한 방사선 차폐능력을 유지하면서도 물리적 특성이 개선된 다층 구조의 차폐 시트에 대한 연구를 수행하였다. 연구 결과 기존의 차폐 시트와 비교하여 본 연구에서 제작된 다층 구조의 방사선 차폐 시트는 동일한 두께를 기준으로 약 9.8 % 우수한 특성을 보였으며 물리적 특성 중 인장 강도는 BaSO4/nylon/Bi2O3 차폐 시트에서 12.27 N/㎟로 가장 우수한 것으로 분석되었다.
We investigated the effect of ZnO filler on the microstructure of $BaO-B_2O_3-ZnO-P_2O_5$ glass system to find an etching mechanism of barrier ribs. The sintering behavior of composites heated in the temperature range $560-600^{\circ}C$ was studied by volumetric shrinkage rate and microstructure. The etching test was carried out in $HNO_3$ solution at $50^{\circ}C$ for 10 min. The volumetric shrinkage of sintered sample decreased with the increased firing temperature because of the formation of two crystals. Glass and ZnO filler react forming the $BaZn_2(PO_4)_2$ crystal phases during the sintering process. Etching phenomenon of sintered samples by $HNO_3$ showed that the $BaZn_2(PO_4)_2$ crystal phase was strongly leached compared to glass matrix, crystal phases and fillers. Therefore, the control of interface by condition of sintering is so important to achieve etching effect in barrier ribs.
As NPPs continue to operate, liquid waste continues to be generated, and containers are needed to store and transport them at low cost and high capacity. To transport and store liquid phase very low-level radioactive waste (VLLW), a container is designed by considering related regulations. The design was constructed based on the existing container design, which easily transports and stores liquid waste. The radiation shielding calculation was performed according to the composition change of barium sulfate (BaSO4) using the Monte Carlo N-Particle (MCNP) code. High-density polyethylene (HDPE) without mixing the additional BaSO4, represented the maximum dose of 1.03 mSv/hr (<2 mSv/hr) and 0.048 mSv/hr (<0.1 mSv/hr) at the surface of the inner container and at 2 m away from the surface, respectively, for a 10 Bq/g of 60Co source. It was confirmed that the dose from the inner container with the VLLW content satisfied the domestic dose standard both on the surface of the container and 2 m from the surface. Although it satisfies the dose standard without adding BaSO4, a shielding material, the inner container was designed with BaSO4 added to increase radiation safety.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제6권6호
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pp.284-288
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2005
We have systematically studied the superconducting properties and flux pinning enhancement of $(Y_{0.33}Sm_{0.33}Nd_{0.33})\;Ba_2Cu_3O_y$ [(YSN)-123] composite oxides by melt growth process in air. A sample prepared by this method showed well-textured microstructure, and $(Y_{0.33}Sm_{0.33}Nd_{0.33})\;BaCuO_5$ [(YSN)211] nonsuperconducting particles were uniformly dispersed in large (YSN) 123 superconducting matrix. The sample showed a sharp superconducting transition at 91 K. The magnetization measurements of the (YSN)-123 sample exhibited the enhanced flux pinning, compared with $YBa_2Cu_3O_y$ (Y-123) sample without Sm and Nd. Critical current densities of (YSN)-123 sample was $2.5{\times}10^4 A/cm^2$ at 2 T and 77 K.
Nano-size $BaTiO_3$ powder was synthesized by relatively simple hydrothermal reaction method. Finely dispersed Ti hydroxide precursor was first precipitated using $Ti(SO_4)_2$ and NaOH solution by applying ultrasonic power and washed thoroughly to remove $SO_4{^{2-}}$ and $Na^+$ ion. Then hydrothermal reaction was done at $160^{\circ}C$ for 6 hrs using solution prepared by washed Ti hydroxide precursor slurry and $Ba(OH)_2{\cdot}8H_2O$ with Ti:Ba mole ratio of 1:1. 200 ~ 500 nm size and uniform size distributed $BaTiO_3$ powder was synthesized by relatively low temperature and simple process.
$85^{\circ}C$, 0.4 M $Ba(OH)_2$용액내에서 펄스전류파형을 이용하여 Ti전극위에 $BaTiO_3$박막을 전해 합성하였다. 환원전류 밀도 및 환원시간이 증가함에 따라 $BaTiO_3$의 결정성 및 페러데이 효율이 증가하였으며, 이는 표면 및 전기화학적특성 분석에 의하면 환원 전류 인가시에 $H_2O$의 환원에 의하여 전극표면의 pH가 증가함으로서 산화전류에 의하여 형성된 산화막의 구조변화가 빠르게 진행되기 때문으로 추측된다. 그리고 0.1M $H_2SO_4$용액하에서 산화막을 형성시킨 후 $BaTiO_3$형성에 미치는 영향을 분석한 결과, 산화막 두께가 증가함에 따라서 산화막을 통한 $Ti^{+4}$이온의 이동이 어려워지면서 $BaTiO_3$형성이 억제되며, 일정두께이상에서는 산화막 결함부위에서 결정이 형성됨을 알 수 있었다.
Spray pyrolysis has been found as an excellent method for the preparation of mesoporous barium sulfate at higher temperature. Ethylene glycol, a reducing agent, and solvents had good inhibition effect for the preparation of $BaSO_4$ nano particles. The $BaSO_4$ solution was sprayed at 500 & 800 ${^{\circ}C}$ using different solvents such as methanol, ethanol, propanol and n-butyl alcohol. $N_2$ adsorption-desorption isotherm revealed that $BaSO_4$ is micropore free, possessing narrow mesopores size distribution and high BET surface areas of 72.52 $m^2\;g^{-1}$ at 800 ${^{\circ}C}$ using propanol as an additive. Scanning electron microscopy (SEM) indicates that the morphology of $BaSO_4$ nano material shows uniform shell like particles. Transmission electron microscopy (TEM) proved that the resulting BaSO4 nano particles were uniform in size and the average particle size was 4-8 nm. The surface functionality and ethylene glycol peaks were assessed by Fourier transform infrared resonance (FTIR) spectroscopy. Low intensity ethylene glycol specific absorption peak was observed in propanol which proved that propanol had good inhibition effect on the structural morphology of nano particles.
A stoichiometric mixture of evaporating materials for $BaAl_2Se_4$ single crystal thin films was prepared from horizontal electric furnace. To obtain the single crystal thin films, $BaAl_2Se_4$ mixed crystal was deposited on thoroughly etched semi-insulating GaAs(100) substrate by the Hot Wall Epitaxy (HWE) system. The source and substrate temperatures were $610^{\circ}C$ and $410^{\circ}C$, respectively. The crystalline structure of the single crystal thin films was investigated by the photoluminescence and double crystal X-ray diffraction (DCXD). The carrier density and mobility of $BaAl_2Se_4$ single crystal thin films measured from Hall effect by van der Pauw method are $8.29{\times}10^{-16}cm^{-3}$ and $278cm^2/vs$ at 293 K, respectively. The temperature dependence of the energy band gap of the $BaAl_2Se_4$ obtained from the absorption spectra was well described by the Varshni's relation, $E_g(T)=3.4205eV-(4.3112{\times}10^{-4}eV/K)T^2/(T+232 K)$. The crystal field and the spin-orbit splitting energies for the valence band of the $BaAl_2Se_4$ have been estimated to be 249.4 meV and 263.4 meV, respectively, by means of the photocurrent spectra and the Hopfield quasicubic model. These results indicate that the splitting of the ${\Delta}so$ definitely exists in the ${\Gamma}_5$ states of the valence band of the $BaAl_2Se_4/GaAs$ epilayer. The three photocurrent peaks observed at 10 K are ascribed to the $A_1$-, $B_1$-exciton for n =1 and $C_{31}$-exciton peaks for n=31.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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