• 한국세라믹학회지
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• 제34권1호
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• pp.37-44
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• 1997

졸겔법중 딥코팅법을 이용하여 조성비 2Fe/Ba=5.25 졸로부터 바륨페라이트 박막을 제조하였다. 졸의 겔화과정은 4단계로 구분할 수 있으며, 8$0^{\circ}C$에서 90분간 반응시켜 제조한 졸이 코팅용 졸로서 가장 적합한 특성을 나타내었다. 박막층에 형성된 침상 형태의 입자들은 기판에 수평 하게 위치하고 있었으며, 박막 두께가 증가함에 따라 그 경향은 증가하였다. 침상형 입자의 자화용이축 방향은 장축 방향이었다.

• 한국자기학회:학술대회 개요집
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• 한국자기학회 2000년도 International Symposium on Magnetics The 2000 Fall Conference
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• pp.425-426
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• 2000

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2003년도 추계학술대회 논문집 Vol.16
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• pp.267-270
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• 2003

We have studied the interfacial diffusion phenomena and the role of ${\alpha}-Al_2O_3$ buffer layer as a diffusion barrier in the $Ba-ferrite/SiO_2$ magnetic thin films for high-density recording media. In the interface of amorphous Ba-ferrite ($1900-{\AA}-thick)/SiO_2$ thin film during annealing, the interfacial diffusion started to occur at ${\sim}700^{\circ}C$. As the annealing temperature increased up to $800^{\circ}C$, the interfacial diffusion abruptly proceeded resulting in the high interface roughness and the deterioration of the magnetic properties. In order to control the interfacial diffusion at the high temperature, we introduced ${\alpha}-Al_2O_3$ buffer layer ($110-{\AA}-thick$) in the interface of $Ba-ferrite/SiO_2$ thin film. During the annealing of $Ba-ferrite/{\alpha}-Al_2O_3/SiO_2$ thin film even at ${\sim}800^{\circ}C$, the interface was very smooth. The smooth interface of the film was also clearly shown by the cross-sectional FESEM. The magnetic properties, such as saturation magnetization 3nd intrinsic coercivity, were also enhanced, due to the inhibition of interfacial diffusion by the ${\alpha}-Al_2O_3$ buffer layer. Our study suggests that the ${\alpha}-Al_2O_3$ buffer layer act as a useful interfacial diffusion barrier in the $Ba-ferrite/SiO_2$ thin films.

• 한국자기학회:학술대회 개요집
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• 한국자기학회 2000년도 춘계연구발표회 논문개요집
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• pp.136-137
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• 2000

• 한국자기학회지
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• 제2권1호
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• pp.22-28
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• 1992

대향타겟형 스파터기에서 철과 BaO 복합타켓트를 사용한 반응성 스파터링 방법으로 고밀도 수직자기기록용 바륨훼라이트박막을 제조하였다. 표면 열 산화된 규소 웨이퍼를 기판으로 사용한 경우 바륨훼라이트박막의 c축이 기판에 완전히 수직으로 배열하기 위해서는 $750^{\circ}C$의 기판가열이 필요 하였다. 기판가열온도를 낮추기 위하여 ZnO, ${\alpha}-Fe_{2}O_{3}$와 ${\gamma}-Fe_{2}O_{3}$ 씨앗층을 사용한 결과 바륨훼라이트와 같은 육방결정구조이면서 (002)면이 기판에 평행하게 배향된 ZnO 씨앗층을 사용하였을 때 $600^{\circ}C$에서 c축배향이 우수한 바륨훼라이트박막을 성막시킬 수 있었다. 바륨훼라이트의 포화자화값은 295 emu/cc 수직보자력은 1.7kOe 각형비는 0.75 이었다. 복합타켓트를 사용하여 $230\;{\AA}/min$의 피착속도로 바륨훼라이트박막을 피착시킬 수 있었는데 이것은 지금까지 발표된 산화물 타켓트를 사용한 경우보다 5-20배 빠른 것이다.

• 한국자기학회:학술대회 개요집
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• 한국자기학회 2002년도 동계연구발표회 논문개요집
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• pp.98-99
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• 2002

페라이트 플레이팅(ferrite plating)법은 10$0^{\circ}C$ 이하의 낮은 온도에서 박막을 제작할 수 있기 때문에 비 내열성 물질(플라스틱, GaAs, 종이류 등)을 기판으로 사용 가능하고, 일종의 무전해 도금법으로서 피도금체의 형상에 관계없이 균일한 두께의 페라이트 막이 얻어지며, PVD 및 CVD방법에 비하여 복잡한 장치를 필요로 하지 않기 때문에 특히 경제적인 측면에서 제작비용을 낮게 할 수 있다는 장점이 있다[1]. (중략)

• 한국입자에어로졸학회지
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• 제6권1호
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• pp.21-27
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• 2010

New process consisting of electrospray and epitaxial crystal growth processes was applied to the preparation of c-plane oriented barium ferrite ($BaFe_{12}O_{19}$) thin film for high density magnetic recording media. Sodium citrate aided process was proper to preparation of amorphous $BaFe_{12}O_{19}$ nanoparticles with geometric mean diameter of 3 nm and geometric standard deviation of 1.1. The electrospray was applicable to the prepare of amorphous $BaFe_{12}O_{19}$ thin film on a substrate, and the film thickness could be controlled by adjusting the electrospray deposition time. The c-plane oriented $BaFe_{12}O_{19}$ thin film was successfully prepared by 3 step annealing process of the $BaFe_{12}O_{19}$ amorphous film on a sapphire($Al_2O_3$) substrate; annealing at $350^{\circ}C$ for 30 min, annealing at $500^{\circ}C$ for 30 min, and annealing at $700^{\circ}C$ for 60 min.

• 한국재료학회지
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• 제7권5호
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• pp.423-430
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• 1997

졸-겔 dip coating법에 의해 제조한 바륨페라이트 박막의 미세구조와 결정학적인 구조 특성에 관해 조사하였다. 기판에 형성된 바륨페라이트 입자는 침상 형태의 입자들로 구성되어 있었으며, C축은 장축 방향이었고, 막 두께가 증가함에 따라 침상형 입자들은 기판에 평행하게 배향하는 경향을 나타내었다. 박막은 바륨페라이트층, Ba, Fe, SiO$_{2}$로 구성되어 있는 중간층, 그리고 기판층인 SiO$_{2}$층으로 구성되어 있었으며, 중간층과 SiO$_{2}$층간의 계면은 Ba 와 SiO$_{2}$간의 화합물로 구성되어 있었다. 침상 형태의 입자는 95$0^{\circ}C$에서 3시간 열처리하므로써 완전히 소실하였고, 130$0^{\circ}C$에서 3시간 열처리하므로써 c면이 기판에 평행하게 위치하는 완전한 육각판상 형태의 입자로 변화되었다.

• 한국자기학회지
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• 제2권1호
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• pp.61-68
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• 1992

전이 금속(Ni, Co), 희토류(Ce, Pr, Eu) 및 Al이온 치환 Ba 훼라이트박막을 스퍼터법으로 제조하여, 그 구조, 자기적 및 자기광학적 성질(1.0eV~3.2eV)을 조사하였다. 막 제작시의 투입 rf 전역 밀도를 조절하는 것에의해, 막 중의 결정립의 크기를 수 100 nm-수 nm로 제어하는데 성공했다. Fe를 Al으로 치환하는 것에의해 각형 히스테리시스 루우프를 얻는데 성공했다. Ni이온이 가시역에서 페러데이 회전을 크게 증가시키는 것을 발견했다. Co이온이 근적외선 영역에서 페러데이 회전을 크게 증가시키는것을 확인했다. Ce, Pr, Eu이온데 의한 페러데이 회전의 증가는 관찰되지 않았다. 이들 이온 치환 막의 자기적 및 자기광학적 성질의 기원에 대해 고찰했다.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제1권3호
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• pp.197-208
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• 1988

현재 특히 컴퓨터용 외부 기록매체분야에서 재래식 자성분말 코팅형 매체에 대해서 여러가지 보다 우수한 특성을 가진 경합재료가 경쟁적으로 개발되고 있다. 먼저 면재기록방식의 경우에 괄목할 발전을 하고 있는 것은 Co-Ni-P 및 Co-Ni계 무전해 혹은 스파터된 hard disk용 박막이다. 아직 오버코팅 문제가 완전히 해결되지 않고 그외 기판문제 등에서 개선의 여지가 많지만 그 수요가 급격히 늘고 있다. 그 다음으로 수직기록 방식 매체인데 현재는 Ba-ferrite분말도포매체가 공업적 공정측면에서 산업화에 가깝다. 이는 기존 테이프 메이커들의 설비활용이 가능하고 tribology, 안정성에서 비교적 문제가 적기 때문이다. 그러자 이 재료도 금속분말도포제와 특성이 비슷하고 분말자체 가격도 비슷해서 기존재료와 치열한 경쟁을 이겨야 산업화에 성공할 것으로 생각된다. 이보다 훨씬 고밀도기록이 가능한 소재중에서 Co-Cr수직기록박막이 가장 많이 연구되고 있어서 공업화 가능성이 높지만 head 재료의 개선, tribology 문제해결 등이 선행되어야 공업화가 성공될 것이다. 그러나 선진국 특히 일본, 미국에서 이러한 연구가 엄청나게 많이 진행되고 있어서 빠른 시일내에 산업화가 이루어질 것으로 기대된다.