A structure and a design of device were developed to fabricate large-scale active matrix organic light-emitting diode (AMOLED) display with good color purity and high aperture ratio. With these technologies, we developed a full color 14.1 inch WXGA AMOLED display. For the integration of OLED on an active matrix a-Si TFT backplane, an efficient top emission OLED is essential since the TFT circuitry covers a large position of the pixel aperture. These technologies will enable up the OLED applications to larger size displays such as desktop monitors and TVs.
Ginseng has been recommended to alleviate the menopausal symptoms, which indicates that components of ginseng very likely contain estrogenic activity. We have examined the possibility that a component of Panax ginseng, $ginsenoside-R_{b1}$ acts by binding to estrogen receptor. We have investigated the estrogenic activity of $ginsenoside-R_{b1}$ in a transient transfection system using estrogen-responsive luciferase plasmids in MCF-7 cells. $ginsenoside-R_{b1}$ activated the transcription of the estrogen-responsive luciferase reporter gene in MCF-7 breast cancer cells at a concentration of 50 $\mu$M. Activation was inhibited by the specific estrogen receptor antagonist ICI 182,780, indicating that the estrogenic effect of $ginsenoside-R_{b1}$ is estrogen receptor dependent. Next, we evaluated the ability of $ginsenoside-R_{b1}$ to induce the estrogen-responsive gene c-fos by semi-quantitative RT-PCR assays and Western analyses. $ginsenoside-R_{b1}$ increased c-fos both at mRNA and protein levels. However, $ginsenoside-R_{b1}$ failed to activate the glucocorticoid receptor, the retinoic acid receptor, or the androgen receptor in CV-1 cells transiently transfected with the corresponding steroid hormone receptors and hormone responsive reporter plasmids. These data support our hypothesis that $ginsenoside-R_{b1}$ acts a weak phytoestrogen, presumably by binding and activating the estrogen receptor.
Glass composites containing ceramic fiber have been developed for Solid Oxide Fuel Cell (SOFC) seals. Effect of glass type, loading pressure and thermal cycle the leak rates of composite seals was investigated. Seal performance of two commercial glasses was compared with that of $SiO_2BaO-B_2O_3$ glass synthesized in this work. The leak rate for seals made of pyrex(R) increases from $\~0.0005\;to\;\~0.004sccm/cm$ as the gas pressure increases from 10 to 50 kPa. The soda lime silicate glass seal shows the leak rate two times higher than the one made of pyrex(R) or $SiO_2BaO-B_2O_3$ glass. The viscosity of glass at the seal test temperature is presumed to affect the leak rate of the glass seal. As the applied loading pressure increases from 0.4 to 0.8 MPa at $750^{\circ}C$, the leak rate decreases from 0.038 to 0.024 sccm/cm for composite seals. It has been found that during 50 thermal cycles between $450^{\circ}C\;to\;700^{\circ}C$ leak rates remained almost constant, ranging from 0.025 to 0.03sccm/cm. The results showed an excellent thermal cycle stability as well as sealability of the glass matrix ceramic fiber composite seals.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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1997.11a
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pp.136-139
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1997
In this paper, we inveatigate frequency dependance of inductance effects of FeCoB amorphous magnetic films. First, amorphous magnetic film having near zero magnetostriction is the basic composition of (Fe$_{1-x}$ / $Co_{x}$)$_{79}$Si$_2$B$_{19}$ with x=0.94, 0.95 and in order to decrease magnetio . anisotropy, the film was annealed in 28$0^{\circ}C$/30min, 40$0^{\circ}C$/30min, 40$0^{\circ}C$/1hr with near crystallization temperature under non-magnetic field. As result of investigation, in case of x=7.95 than x=0.94, we could have obtained high values, which inductance ratios in the low frequency was 488%. And Quality factor Q was under 0.7 in all sample, in case of annealed in 28$0^{\circ}C$/30min, we could have obtained highest value, which x=0.9fl is about 0.62 in 400[kHz], and in case of x=0.95 was about 0.35 in 1[MHz].z].].
Proceedings of the Korean Magnestics Society Conference
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2003.06a
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pp.194-194
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2003
As a result of the recent miniaturization an enhancement in the performance of thin film inductors and thin film transformers, there are increased demands for the thin films with high magnetic permeability in the high frequency range, high saturation magnetization, in high electrical resistivity, and low coercive force. In order to improve high frequency properties, we will investigate anisotropy field by shape and size of pattern. The Fe-Al-O thin films of 16mm and 1 $\mu\textrm{m}$ thickness were deposited on Si wafer, using RF magnetron reactive sputtering technique with the mixture of argon and oxygen gases. The fabricating conditions are obtained in the working partial pressure of 2mTorr, O$_2$ partial pressure of 5%, input power of 400W, and Al pellets on an Fe disk with purity of 99,9%. Magnetic properties of the continuous films as followed: the 4$\pi$M$\_$s/ of 19.4kG, H$\_$c/ of 0.6Oe, H$\_$k/ of 6.0Oe and effective permeability of 2500 up to 100㎒ were obtained. In this work, we expect to enhance effect of magnetic anisotropy on patterned of Fe-Al-O thin films.
새로운 Fe기 초미세 결정립합금의 제조 가능성 및 자기특성에 관하여 조사하였다. 고포화자화 (Fe.$_{85}$Co.$_{15}$ )$_{80}$B$_{20}$ 비정질합금에서 천이금속을 약 10 at.% Al으로 치환한 (Fe.$_{85}$ Co.$_{15}$ )$_{70}$B$_{20}$Al$_{10}$ 합금은 급속응고에 의하여 비정질 기지내에 직접 .alpha. -Fe(Co)의 석출이 가능하다. 또한 (Fe.$_{85}$Co.$_{15}$ )$_{70}$B$_{20}$Al$_{10}$합금에 2~6 at.% Nb의 첨가는 급속 응고시 결정립성장을 억제하고 포화자왜를 약 6ppm이하로 감소시켜 자기 특성을 개선시킨다. 열처리에 의한 자기 특성은 Nb의 치환량이 증가할 수록 감소한다. 400 .deg. C에서 1시간 열처리한 (Fe.$_{85}$Co.$_{15}$ )$_{70}$ B$_{18}$ Al$_{10}$Nb$_{2}$합금은 평균 약 8nm이하의 .alpha. -Fe(Co) 결정립으로 구성된 초미세 결정립합금 으로 제조가 가능하며, 포화자속밀도, 철손 및 투자율 (f=50 kHz, B$_{m}$ =0.2 T)이 각각 1.2 T, 12W/kg 및 2.5 *$10^{4}$으로 가장 우수하다. 이는 Fe-Si-B-Nb-Cu 초미세결정립합금 및 영자왜 Co기 비정질합금과 거의 같은 자기특성을 나타낸다.다..다.다..낸다.다..
Journal of the Korea Institute of Military Science and Technology
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v.20
no.6
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pp.752-757
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2017
Analysis has been performed for the penetration of a long-rod into MMC/Ceramic layered armour system with several shot test and a series of simulations. Two types of MMC plate have been fabricated by a liquid pressing method; A356/45%vol.%SiCp with a uniform distribution of SiC particle and Al7075/45%vol.B4Cp with B4C particle. The mechanical properties were measured with the high-speed split Hopkins bar test, hardness test and compression test. The popular Simplified Johnson-Cook model was adopted to represent the material characteristics for FEM simulations. The performance of the MMC applied armour system has been made by comparing with the semi-infinite mild steel target using the depth of penetration(DOP). The results show that placing ceramic front layer provides a certain gain in protection, and that placing another ductile front layer provides a further gain. The application of MMC is found to be attractive.
$Y_2O_3$-based metal-insulator-semiconductor (MIS) structure on p-Si(100) has been studied. Films were prepared by UHV reactive ionized cluster beam deposition (r-ICBD) system. The base pressure of the system was about $1 \times 10^{-9}$ -9/ Torr and the process pressure $2 \times 10^{-5}$ Torr in oxygen ambience. Glancing X-ray diffraction(GXRD) and in-situ reflection high energy electron diffracton(RHEED) analyses were performed to investigate the crystallinity of the films. The results show phase change from amorphous state to crystalline one with increasingqr acceleration voltage and substrate temperature. It is also found that the phase transformation from $Y_2O_3$(111)//Si(100) to $Y_2O_3$(110)//Si(100) in growing directions takes place between $500^{\circ}C$ and $700^{\circ}C$. Especially as acceleration voltage is increased, preferentially oriented crystallinity was increased. Finally under the condition of above substrate temperature $700^{\circ}C$ and acceleration voltage 5kV, the $Y_2O_3$films are found to be grown epitaxially in direction of $Y_2O_3$(1l0)//Si(100) by observation of transmission electron microscope(TEM). Capacitance-voltage and current-voltage measurements were conducted to characterize Al/$Y_2O_3$/Si MIS structure with varying acceleration voltage and substrate temperature. Deposited $Y_2O_3$ films of thickness of nearly 300$\AA$ show that the breakdown field increases to 7~8MV /cm at the same conditon of epitaxial growing. These results also coincide with XPS spectra which indicate better stoichiometric characteristic in the condition of better crystalline one. After oxidation the breakdown field increases to 13MV /cm because the MIS structure contains interface silicon oxide of about 30$\AA$. In this case the dielectric constant of only $Y_2O_3$ layer is found to be $\in$15.6. These results have demonstrated the potential of using yttrium oxide for future VLSI/ULSI gate insulator applications.
Quality and shelf life of the wet noodle made with 1, 3, 5, and 7% (w/w%) Lycii fructus powder were investigated. Increase in L. fructus power concentration increased the initial pasting temperature and cooking loss, while maximum viscosity, temperature at maximum viscosity, weights and volumes of cooking noodles, and textural properties (hardness, cohesiveness, chewiness, springiness) of cooked noodle prepared with composite flour decreased. The sensory evaluation of cooked noodles showed that wet noodles with high quality could be produced by 3% inclusion of L. fructus powder. Bacterial counts of wet noodles made with L. fructus powder were lower than those of the control after storage at $5{\pm}1^{\circ}C$. Shelf life of wet noodles during storage at $5{\pm}1^{\circ}C$ extended as the L. fructus powder concentration increased.
The $Ca_2SiO_4$ phosphors doped by La with 0.1 wt%, 0.3 wt%, 0.5 wt%, and 1.0 wt% concentration were prepared by sintering at $1000^{\circ}C$ for 90 minutes in N2 atmosphere. The phosphors were ground in powdered form and were grouped in $100{\mu}m$ size, then the samples had been exposed to low energy X-ray and UV light. The TL glow curves were measured by heating the phosphors at $10^{\circ}C/s$ rate. There was no significantly meaningful correlation between the TL intensity and the doping level. The intensities of the TL peak measured from X-ray irradiated samples doped with 0.1 wt% were relatively strong. The activation energy and the frequency factor were 0.434 ~ 0.516 eV and 0.5 ~ 0.56, respectively. The intensities of the TL peak measured from UV irradiated samples doped with 0.3 wt% were relatively strong. The activation energy and frequency factor were 0.415 ~ 0.477 eV and 0.5 ~ 0.53, respectively. The TL process were found to be the 2nd order for both X-ray and UV irradiation. The TL intensity was increased linearly with the increase of the radiation dose. In summary, the $Ca_2SiO_4 phosphors developed in this study showed good TL characteristics at low energy X-ray and UV light. We believe they will be used as TLDs in near future for personal and environmental radiation detection dosimetry.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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