• 제목/요약/키워드: Au/Cu

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무전해 Ni-P UBM과 95.5Sn-4.0Ag-0.5Cu 솔더와의 계면반응 및 신뢰성에 대한 연구 (A study on the interfacial reactions between electroless Ni-P UBM and 95.5Sn-4.0Ag-0.5Cu solder bump)

  • 전영두;백경욱
    • 한국마이크로전자및패키징학회:학술대회논문집
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    • 한국마이크로전자및패키징학회 2002년도 춘계 기술심포지움 논문집
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    • pp.85-91
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    • 2002
  • Even though electroless Hi and Sn-Ag-Cu solder are widely used materials in electronic packaging applications, interfacial reactions of the ternary Ni-Cu~Sn system have not been known well because of their complexity. Because the growth of intermetallics at the interface affects reliability of solder joint, the intermetallics in Ni-Cu-Sn system should be identified, and their growth should be investigated. Therefore, in present study, interfacial reactions between electroless Ni UB7f and 95.5Sn-4.0Ag-0.5Cu alloy were investigated focusing on morphology of the IMCs, thermodynamics, and growth kinetics. The IMCs that appear during a reflow and an aging are different each other. In early stage of a reflow, ternary IMC whose composition is Ni$_{22}$Cu$_{29}$Sn$_{49}$ forms firstly. Due to the lack of Cu diffusion, Ni$_{34}$Cu$_{6}$Sn$_{60}$ phase begins growing in a further reflow. Finally, the Ni$_{22}$Cu$_{29}$Sn$_{49}$ IMC grows abnormally and spalls into the molten solder. The transition of the IMCs from Ni$_{22}$Cu$_{29}$Sn$_{49}$ to Ni$_{34}$Cu$_{6}$Sn$_{60}$ was observed at a specific temperature. From the measurement of activation energy of each IMC, growth kinetics was discussed. In contrast to the reflow, three kinds of IMCs (Ni$_{22}$Cu$_{29}$Sn$_{49}$, Ni$_{20}$Cu$_{28}$Au$_{5}$, and Ni$_{34}$Cu$_{6}$Sn$_{60}$) were observed in order during an aging. All of the IMCs were well attached on UBM. Au in the quaternary IMC, which originates from immersion Au plating, prevents abnormal growth and separation of the IMC. Growth of each IMC is very dependent to the aging temperature because of its high activation energy. Besides the IMCs at the interface, plate-like Ag3Sn IMC grows as solder bump size inside solder bump. The abnormally grown Ni$_{22}$Cu$_{29}$Sn$_{49}$ and Ag$_3$Sn IMCs can be origins of brittle failure.failure.

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무잔류 응력상태 결정을 통한 표면 잔류응력장 평가에의 레이저 간섭계 적용 (Application of Laser Interferometry for Assessment of Surface Residual Stress by Determination of Stress-free State)

  • 김동원;이낙규;나경환;권동일
    • 반도체디스플레이기술학회지
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    • 제3권2호
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    • pp.35-40
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    • 2004
  • The total relaxed stress in annealing and the thermal strain/stress were obtained from the identification of the residual stress-free state using electronic speckle pattern interferometry (ESPI). The residual stress fields in case of both single and film / substrate systems were modeled using the thermo-elastic theory and the relationship between relaxed stresses and displacements. We mapped the surface residual stress fields on the indented bulk Cu and the 0.5 $\mu\textrm{m}$ Au film by ESPI. In indented Cu, the normal and shear residual stress are distributed over -1.7 GPa to 700 MPa and -800 GPa to 600 MPa respectively around the indented point and in deposited Au film on Si wafer, the tensile residual stress is uniformly distributed on the Au film from 500 MPa to 800 MPa. Also we measured the residual stress by the x-ray diffractometer (XRD) for the verification of above residual stress results by ESPI...

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Cu 비아를 이용한 MEMS 센서의 스택 패키지용 Interconnection 공정 (Interconnection Processes Using Cu Vias for MEMS Sensor Packages)

  • 박선희;오태성;엄용성;문종태
    • 마이크로전자및패키징학회지
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    • 제14권4호
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    • pp.63-69
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    • 2007
  • Cu 비아를 이용한 MEMS 센서의 스택 패키지용 interconnection 공정을 연구하였다. Ag 페이스트 막을 유리기판에 형성하고 관통 비아 홀이 형성된 Si 기판을 접착시켜 Ag 페이스트 막을 Cu 비아 형성용 전기도금 씨앗층으로 사용하였다. Ag 전기도금 씨앗층에 직류전류 모드로 $20mA/cm^2$$30mA/cm^2$의 전류밀도를 인가하여 Cu 비아 filling을 함으로써 직경 $200{\mu}m$, 깊이 $350{\mu}m$인 도금결함이 없는 Cu 비아를 형성하는 것이 가능하였다. Cu 비아가 형성된 Si 기판에 Ti/Cu/Ti metallization 및 배선라인 형성공정, Au 패드 도금공정, Sn 솔더범프 전기도금 및 리플로우 공정을 순차적으로 진행함으로써 Cu 비아를 이용한 MEMS 센서의 스택 패키지용 interconnection 공정을 이룰 수 있었다.

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중국 연변 쇼시난차 반암동 광상의 광화작용 및 변질작용: 유체포유물 및 황동위원소 연구 (Alteration and Mineralization in the Xiaoxinancha Porphyry Copper Deposit, Yianbin, China: Fluid Inclusion and Sulfur Isotope Study)

  • Seong-Taek Yun;Chil-Sup So;Bai-Lu Jin;Chul-Ho Heo;Seung-Jun Youm
    • 자원환경지질
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    • 제35권3호
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    • pp.211-220
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    • 2002
  • 중국 북경에서 북북동쪽으로 800 km에 위치한 길림싱의 쇼시난차 동-급 광상은 섬록암에 배태되어 있다. 쇼시난차 동-금 광상의 광석은 망상세맥상으로 산출되며, potassic 및 phyllic변질대에 농집되어 있다. 쇼시난차 동-금 광상의 남측 및 북측광체의 품위는 각각 0.8% Cu, 3.64 g/t Au 및 0.63% Cu, 3.80 g/t Au이다. 본 광상의 열수변질 작용은 암주에 집중되어 있고, 암주의 정치와 폭넓게 관련되어있는 것으로 사료된다. 초기 열수변질 작용은 K-변질작용이 지배적이며, 시간이지나면서 프로필라이트화 작용으로 전환되는 양강을 보인다. 본 광상에서는 적철석과 수반된 휘동석이 채광품위의 동을 산출하고 있으며, 황동석, 반동석, 석영, 녹염석, 녹니석 및 방해석의 광물조합이 전형적으로 관찰된다. 상기 광물조합외에 본 연구에서 인지된 기타 광물들에는 황철석, 백철석, 자연금, 에렉트럼, hessite, hedleyite, volynskite, galenobismutite, covellite및 goethite등이 있다. 유체포유물 자료에 의하면, 본 동-금 광상은 시간이 지나면서 희석되고 차가운 천수의 혼입에 의한 냉각작용의 결과로 형성되었음을 지시하고 있다. 광화시기별로 보면, 광화 2기 초기에는 약 497$^{\circ}C$에서 비등현상이 발생하고 시간이 지나면서 균질화 온도가 10$0^{\circ}C$정도 낮은 암염을 배태하고 있는 제3형 유체포유물이 포획된다. 그리고, 광화 2기 맥내 제 3형 유체포유물의 염농도는 383$^{\circ}$~459$^{\circ}C$의 균질화 온도에서 54.7~66.9 wt.%의 상당염농노에 해당되며, 1 km이하의 생성심도를 지시하고 있다 광화 3기맥의 제 1형의 함동 유체는 168$^{\circ}$~3$65^{\circ}C$의 균질화온도와 1.1~9.0 wt.% 상당 염농도를 보이며, 해당 유체포유물들은 심하게 균열된 각력암을 배태하고 있는 석영맥내에 포획되어 있다. 이는 비등증거를 강하게 지시하고 있으며 50~80 bar의 정수압에 해당된다. 본 광상의 황화물의 $\delta$$^{34}$ S 값은 후기로 가면서 미약하게 증가하는 경향을 보이며, 계산된 $\delta$$^{34}$ $S_{H2S}$값은 0.8~3.7$\textperthousand$에 해당한다. 산소분압이 감소했으리라는 광물학적 증거는 없으며, 광화유체의 산소분압은 자철석과의 반응을 통해서 완충되었으리라 사료된다. 이와같은 사실을 종합해 본 결과, 황화물이 $\delta$$^{34}$ $S_{H2S}$값은 쇼시난차 동-금 광상의 함동금 열수유체에 두 가지 정도의 황source가 병합되었으리라 추정할 수 있다. 첫번째 source는 동위원소적으로 가벼운 1~2$\textperthousand$$\delta$$^{34}$ S값을 지닌 광화작용과 관련된 중생대 화강암이다. 이는 본 광상지역의 모암으로서의 섬록암이 plagiogranite를 관입하고 있다는 사실로부터 추론 가능하다. 그리고, 두번째 source는 >4.0$\textperthousand$$\delta$$^{34}S$ 값을 지닌 동위윈소적으로 더욱 무거운 source로서, 산출이 미약하여 지질도상에는 기재되어 있지 않지만 국부적인 반암의 존재를 상정할 수 있다. 있다.

압력센서의 배선을 위한 다층 박막의 지지조건 변화에 따른 잔류응력 평가 (Evaluation of the Residual Stress with respect to Supporting Type of Multi-layer Thin Film for the Metallization of Pressure Sensor)

  • 심재준;한근조;김태형;한동섭
    • 한국정밀공학회:학술대회논문집
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    • 한국정밀공학회 2003년도 춘계학술대회 논문집
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    • pp.1537-1540
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    • 2003
  • MEMS technology with micro scale is complete system utilized as the sensor. micro electro device. The metallization of MEMS is very important to transfer the power operating the sensor and signal induced from sensor part. But in the MEMS structures local stress concentration and deformation is often happened by geometrical shape and different constraint on the metallization. Therefore. this paper studies the effect of supporting type and thickness ratio about thin film thickness of the substrate thickness for the residual stress variation caused by thermal load in the multi-layer thin film. Specimens were made from materials such as Al, Au and Cu and uniform thermal load was applied, repeatedly. The residual stress was measured by FEA and nano-indentation using AFM. Generally, the specimen made of Al induced the large residual stress and the 1st layer made of Al reduced the residual stress about half percent than 2nd layer. Specimen made of Cu and Au being the lower thermal expansion coefficient induce the minimum residual stress. Similarly the lowest indentation length was measured in the Au_Cu specimen by nano-indentation.

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공명각 및 반사광 측정 모드에서 다양한 물질 구성의 표면 플라즈몬 공명 센서 칩의 민감도 특성 (A Study on the Sensitivity of Surface Plasmon Resonance Sensor Chips with Various Material Configurations in Angle and Intensity Detection Modes)

  • 손영수
    • 센서학회지
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    • 제26권6호
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    • pp.402-407
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    • 2017
  • Characteristics of various material surface plasmon resonance (SPR) chips were investigated in angular interrogation mode and intensity interrogation mode. Among five metals, silver (Ag), gold (Au), copper (Cu), chromium (Cr) and titanium (Ti), three metals, Ag, Au and Cu were paid attention to since their characteristics can be easily analyzed in angular interrogation mode by investigating the change of their reflectance curves according to refractive index change from 1.331 to 1.335. Most of SPR chips with various configurations showed the similar property in angular interrogation mode. The application of the SPR chip made of Ag, Au and Cu or their combinations depends on their reflectance properties. In intensity interrogation mode, the operation range may be limited since the variation of the intensity was not linearly related to refractive index change ranging from 1.331 to 1.335. However, the SPR chip containing high ratio of Ag may be applicable to high sensitive detection due to their sharp reflectance curves in intensity interrogation mode.

옥계 함금석영맥광상 주변모암에서의 원소들의 일차분산 (Primary Dispersion of Elements in Altered Wallrocks around the Gold-bearing Quartz Veins at the Okgye Mine)

  • 황인호;전효택
    • 자원환경지질
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    • 제27권6호
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    • pp.549-556
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    • 1994
  • Geochemical studies on gold-bearing quartz veins and wallrocks from the Okgye mine were carried out in order to investigate the primary dispersion patterns of gold and associated elements and to quantify the dispersion width of elements with distance from the gold-bearing quartz veins. Gold-bearing quartz veins occur in basaltic trachyandesite of unknown age. Enrichment of $k_2O$, MnO, Au, As, Rb, Sb, Pb, Zn, Cu, Ag and Cd, and depletion of $Na_2O$ and Sr are found in altered wallrocks. The ratio of $k_2O(k_2O+Na_2O)$, alteration index for trace elements, and Rb/Sr in altered wallrocks are increased, whereas Sr/CaO ratio is decreased with approach to the gold-bearing quartz veins. The widths of primary dispersion range from 17 cm to 155 cm. The relative dispersion width increases in order Au=Cu=Zn=Ag=Cd$k_2O$=Rb and Ba< $Na_2O$ $Na_2O$, As, Sb, Sr, Pb, Au, Cu, Zn, Ag and Cd, and a quadratic function for $k_2O$, MnO, Rb and Ba.

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질화 규소 접합체의 미세구조와 파괴 강도에 관한 연구 (Microstructure and Fracture Strength of Si3N4 Joint System)

  • 차재철;강신후;박상환
    • 한국세라믹학회지
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    • 제36권8호
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    • pp.835-842
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    • 1999
  • 본 연구에서는 Ag-Cu-Ti 와 Ag-Cu-In-Ti 를 사용하여 브레이징법으로 질화규소 간 접합체를 제작하고 $400^{\circ}C$$650^{\circ}C$에서 장시간(2000 h) 열처리 후 파괴 강도의 변화를 살펴보았다. 접합후 강도는 Ag-Cu-Ti 가 높게 나왔지만, 열처리 시간이 증가할수록 Ag-Cu-In-Ti 의 경우가 강도의 감소 정도가 작은 것으로 나타났다. 또한 고온 응용을 위해 개발된 새로운 접학 합금인 Au-Ni-Cr-Mo-Fe 계를 이용하여 질화 규소 간의 접합체를 제작하여 $650^{\circ}C$에서 100시간까지 장시간 열처리 하였다 접합 당시의 강도는 상용 접합 합금보다는 낮은 값을 보였지만, 열처리를 함에 따라 강도의 증가를 보였다 SUS316과의 접합시에는 중간재로 몰리브데늄 또는 구리를 사용하였으며 $400^{\circ}C$에서 1000시간 동안 열처리하였다. 강도는 몰리브데늄을 사용한 경우가 높게 나왔지만, 접합체의 형성이 어렵다는 단점이 있었다. 산화 실험에서는 Ti가 첨가된 접합 합금인 Ag-Cu-Ti 의 경우가 첨가되지 않은 Ag-Cu의 경우보다 산화가 잘 일어나며, 인듐을 첨가한 Ag-Cu-In-Ti 의 경우는 산화 억제의 효과가 나타났다. 전반적으로 In을 포함한 접합 합금이 고온 신뢰도 면에서 우수한 것으로 나타났다.

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반도첼 레이저의 AuSn 합금 솔더를 사용한 p-side-down방식의 마운팅 (P-side-down mounting by using AuSn alloy solder of semiconductor laser)

  • 최상현;허두창;배형철;한일기;이천
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 2003년도 추계학술대회 논문집 전기물성,응용부문
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    • pp.273-275
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    • 2003
  • 본 실험은 고출력 반도체 레이저의 p-side-down 마운팅용 솔더로서 AuSn 합금 솔더(80wt%:20wt%)의 적합성에 대해 연구하였다. $1{\mu}m$이하의 균일도로 폴리싱 된 Cu heat sink의 표면에 두께 $1{\mu}m$의 Ni로 코팅을 한다음, AuSn 다층박막은 e-beam 증착기로 AuSn 합금 솔더는 열증착기로 각각 증착하였다. 열처리는 산화 방지를 위해 $N_2$ 분위기에서 행하였으며, 동일한 압력으로 마운팅을 하였다. 표면의 거칠기와 형상은 AFM(Atomic Force Microscope)과 SEM(Scanning Electron Microscopy)으로 그리고 Au와 Sn의 성분비는 AES(Auger Electron Spectroscopy) 로 비교하였다. 또한 CW(연속발진)을 통한 L-I(Light-Current)측정을 통해 본딩상태를 비교하였다.

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