• 제목/요약/키워드: AtPR4

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상변화 메모리 응용을 위한 MOCVD 방법을 통한 Ge-Sb-Te 계 박막의 증착 및 구조적인 특성분석 (Fabrication and Structural Properties of Ge-Sb-Te Thin Film by MOCVD for PRAM Application)

  • 김난영;김호기;윤순길
    • 한국전기전자재료학회논문지
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    • 제21권5호
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    • pp.411-414
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    • 2008
  • The germanium films were deposited by metal organic chemical vapor deposition using $Ge(allyl)_4$ precursors on TiAlN substrates. Deposition of germanium films was only possible with a presence of $Sb(iPr)_3$, which means that $Sb(iPr)_3$ takes a catalytic role by a thermal decomposition of $Sb(iPr)_3$ for Ge film deposition. Also, as Sb bubbler temperature increases, deposition rate of the Ge films increases at a substrate temperature of $370^{\circ}C$. The GeTe thin films were fabricated by MOCVD with $Te(tBu)_2$ on Ge thin film. The GeTe films were grown by the tellurium deposition at $230-250^{\circ}C$ on Ge films deposited on TiAlN electrode in the presence of Sb at $370^{\circ}C$. The GeTe film growth on Ge films depends on the both the tellurium deposition temperature and deposition time. Also, using $Sb(iPr)_3$ precursor, GeSbTe films with hexagonal structures were fabricated on GeTe thin films. GeSbTe films were deposited in trench structure with 200 nm*120 nm small size.

nPr-BTP/nitrobezene 추출 계에 의한 악티나이드(III)의 선택적 분리 (Selective Separation of Actinide(III) by a rPr-BTP/nitrobezene Extraction System)

  • 이일희;임재관;정동용;양한범;김광욱
    • 방사성폐기물학회지
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    • 제6권1호
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    • pp.25-33
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    • 2008
  • 본 연구는 nPr-BTP/nitrobenzene 추출 계에 의한 악티나이드(III)의 선택적 분리로, 우선 자연친화적 CHN 형 의 nPr-BTP (2.6-Bis-(5.6-n-propyl-1.2.4-triazin-3-yl)-pyridine)를 합성하고, 이의 희석제에 대한 용해성 및 질산에 대한 안정성 등을 평가하였다. 악티나이드(III)의 대표원소로는 Am을 선정하였으며, 0.1M nPr-BTP/nitrobenzene-1M $HNO_3$, O/A=2의 조건에서 Am은 약 85%, RE 원소는 Eu가 8%, 기타 Nd, Ce, Y 등은 3% 이하가 추출되어 (이때 Am/Eu의 상호분리 계수 약 60정도) 악티나이드(III)의 선택적 추출에는 별 문제가 없을 것으로 판단되었다. 그러나 Am의 역추출의 경우 0.05M 질산용액으로 O/A=1 에서 약43%가 역추출 되었으며, O/A=0.3에서도 65% 정도만이 역추출 되어 질산 이외의 다른 역추출제의 개발이 요구되고 있다.

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MBE 법으로 성장시킨 $Al_xGa_{1-x}As$ 에피층의 Photoreflectance 특성에 관한 연구 (The study on photoreflectance characteristics of the $Al_xGa_{1-x}As$ epilayer grown by MBE method)

  • 이정렬;김인수;손정식;김동렬;배인호;김대년
    • 한국진공학회지
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    • 제7권4호
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    • pp.341-347
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    • 1998
  • MBE법에 의해 성장된 AlxGa1-xAs 에피층의 특성을 photoreflectance(PR) 측정으로 분석하였다. Low power Franz Keldysh(LPFK)를 만족하는 GaAs 완충층에 의한 Frang-Keldysh Oscillation(FKO) 분석에서 띠간격에너지(E0) 값은 1.415eV, 계면 전기장(Ei) 은 1.05$\times$104V/cm, 운반자 농도(Ns)는 $1.3{\times}10^{15}\textrm{cm}^{-3}$이였다. PR상온 스펙트럼 분석에서 Eo(AlxGa1-xAs) 신호 아래 $A^*$피크는 시료 성장시 존재하는 불순물 carbon에 의한 것으로 완충층 GaAs보다 다소 PR신호 세기가 낮고 왜곡된 신호를 나타내었다. 또한, GaAs완충층 의 트랩 특성시간은 약0.086ms정도이며, 1.42eV 부근 두 개의 중첩된 PR신호는 화학적 식 각으로 GaAs의 기판에 의해 나타나는 3차 미분형 신호와 GaAs완충층에 의해 나타나는 FKO신호가 중첩되어 나타남을 알 수 있었다.

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Liquid-phase epitaxy로 성장시킨 A $I_x$Ga${1-x}$As(x.<=.0.15)의 photoreflectance (Photoreflectance of A $I_x$Ga${1-x}$As(x.<=.0.15) grown by liquid-phase epitaxy)

  • 배인호;김인수;이철욱;최현태;김말문;김상기
    • E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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    • 제7권4호
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    • pp.300-305
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    • 1994
  • We determined the alloy composition of the liquid-phase epitaxy(LPE) grown $Al_{x}$G $a_{1-x}$ As by the photoreflectance(PR), and observed the variation of PR signal by changing the condition of annealing and thickness of epilayer. As the measuring temperature was decreased, the broadening parameter was decreased, and the amplitude of PR signal was increased. When the temperature of annealing was increased, the surface carrier concentration was decreased and then the shape and amplitude of PR signal were affected by the surface electric field. The structure change was observed when the specimen was annealed for long time at a high temperature. We found that the surface electric field increased when the thickness of epilayer was decreased by etching, because the band bending was increased by the decreased of the width of depletion layer....

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Temporal variation of magma chemistry in association with extinction of spreading, the fossil Antarctic-Phoenix Ridge, Drake Passage, Antarctica

  • Choe, Won-Hie;Lee, Jong-Ik;Lee, Mi-Jung;Hur, Soon-Do;Jin, Young-Keun
    • 한국지구과학회:학술대회논문집
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    • 한국지구과학회 2005년도 추계학술발표회 논문집
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    • pp.136-141
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    • 2005
  • The K Ar ages, whole rock geochemistry and Sr Nd Pb isotopes have been determined for the submarine basalts dredged from the P2 and P3 segments of the Antarctic-Phoenix Ridge (APR), Drake Passage, Antarctica, for better understanding on temporal variation of magma chemistry in association with extinction of seafloor spreading. The fossilized APR is distant from the known hot spots, and consists of older N-MORB prior to extinction of spreading and younger E-MORB after extinction. The older N-MORB (3.5-6.4 Ma) occur in the southeast flank of the P3 segment (PR3) and the younger E-MORB (1.4-3.1 Ma) comprise a huge seamount at the P3 segment (SPR) and a big volcanic edifice at the P2 segment (PR2). The N-type PR3 basalts have higher Mg#, K/Ba, and CaO/Al2O3 and lower Zr/Y, Sr, and Na8.0 with slight enrichment in incompatible elements and almost flat REE patterns. The E-type SPR and PR2 basalts are highly enriched in incompatible elements and LREE. The extinction of spreading occurring at 3.3 Ma seems to have led to a temporal magma oversupply with E-MORB signatures. Geochemical signatures such as Ba/TiO2, Ba/La, and Sm/La suggest heterogeneity of upper mantle and formation of E-MORB by higher contribution of enriched materials to mantle melting, compared to N-MORB environment. E-MORB magmas beneath the APR seem to have been produced by low melting degree (up to 1% or more) at deeper low-temperature regime, where metasomatized veins consisting of pyroxenites have preferentially participated in the melting. The occurrence of E-MORB at the APR is a good example to better understand what kinds of magmatism would occur in association with extinction of spreading.

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높은 Pr 수의 유체를 사용한 수직 원형관 외부의 자연대류 실험 (Experiments on Natural Convection on the Outer Surface of a Vertical Pipe by Using Fluids with High Pr Number)

  • 강경욱;정범진
    • 대한기계학회논문집B
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    • 제35권1호
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    • pp.33-42
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    • 2011
  • 유사성 원리를 이용하여 매우 높은 Pr 수의 유체를 사용하여 수직 원형관 외부의 자연대류 열전달 현상을 실험적으로 연구하였다. 황산-황산구리 수용액의 전기도금계를 물질전달계로 채택하였으며, 실험은 직경 0.005m~0.035m의 음극을 사용하여 Pr 수 2,094~4,173 그리고 $Ra_H$$1.4{\times}10^9{\sim}4{\times}10^{13}$에서 열전달계수를 측정하였다. 층류에서 실험한 결과는 King, Jakob와 Linke, McAdams, Bottemanne의 수직 원형관 자연대류의 열전달 상관식에 일치하였고 난류에서는 수직평판 난류 자연대류 상관식인 Fouad의 상관식과 일치하였고 Pr 수에 대한 의존성이 나타났다. 실험을 통하여 도출한 층류 상관식은 $Nu_H=0.55Ra^{0.25}_H$,�㉢�류 상관식은 $Nu_H=0.12Ra^{0.28}_HPr^{0.1}$였다. 층류와 난류사이의 천이는 $Ra_H$ 수 약 $10^{12}$에서 발생하였다.

2개(個)의 수직(垂直) 평판(平板)핀을 가진 전도관(傳導管)으로 부터의 자연대류(自然對流) 열전달(熱傳達) (Natural Convection Heat Transfer from a Conducting Tube with Two Vertical Axial Fins)

  • 정한식;이철재;권순석
    • 설비공학논문집
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    • 제3권4호
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    • pp.222-230
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    • 1991
  • Conjugate heat transfer by steady laminar natural convection from a conducting tube with two vertical axial fins has been studied by a finite difference numerical procedure under basic conditions; $Ra=10_6$, Pr = 5 and $L_F=0.15$. The maximum local tube Nusselt number appears at ${\theta}=140^{\circ}$ for $L_F=0.06$, at ${\theta}=130^{\circ}$ for $L_F=0.30$ and at ${\theta}=120^{\circ}$ for $L_F=0.30$, $L_F=0.06$, respectively. The maximum mean Nusselt number shows at $L_F=0.18$ for the downward fin and at $L_F=0.12$ for the upward fin. Therefore the optimized fin length is $L_F{\approx}0.15$ under these conditions. At $L_F=0.15$, the mean Nusselt number by increasing Rayleigh number is remarkably increased for downward fin and then is slowly increased except for downward fin, it by increasing Prandtl number is apparently increased at $Pr{\leq}2$, and slightly increased at Pr>2.

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거대고리 아자크라운화합물과 전이금속 및 란탄족금속이온의 착물의 안정도 (The Stability Constant of Transition and Lanthanide Metal Ions Complexes with 15 Membered Macrocyclic Azacrown Ligands)

  • 홍춘표;최용규
    • 대한화학회지
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    • 제48권6호
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    • pp.577-582
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    • 2004
  • 새로운 아자크라운 화합물인, 1,4-dioxa-7,10,13-triazacyclopentadecane-N,N',N''-triacetic acid, $N-ac_3[15]aneN_3O_2(II_a)$과 1,4-dioxa-7,10,13-triazacyclopentadecane-N,N',N''-tripropioc acid, $N-pr_3$[15]ane$N_3O_2(II_b)$는 이와 유사한 화합물의 합성방법을 수정하여 합성하였다. 합성된 이 아자크라운 화합물, $N-ac_3[15]aneN_3O_2와\;N-pr_3[15]aneN_3O_2$의 양성자화 상수값은 전위차법을 이용하여 PKAS 프로그램으로부터 측정되어졌다. 그리고 0.1 M $NaClO_4$수용액으로 이온강도를 조절하고, $25{\pm}0.1^{\circ}C$에서 란탄족금속인, $Ce^{3+},\;Eu^{3+},\;Gd^{3+}$$Yb^{3+}$과 리간드인 $N-ac_3[15]$ane$N_3O_2$$N-pr_3[15]aneN_3O_2$의 착물의 안정도상수를 전위차법을 이용하여 BEST 프로그램으로부터 구하였고, 또한 위와 같은 조건에서 전이금속인 $Co^{2+}$, $Ni^{2+}$, $Cu^{2+}$$Zn^{2+}$와 리간드인, $N-ac_3[15]aneN_3O_2$$N-pr_3[15]aneN_3O_2$의 착물의 안정도상수 값도 전위차법을 이용하여 BEST 프로그램으로부터 측정하였다. 합성된 아자크라운 화합물과 골격구조가 유사하고 아세트산과 프로피온산기를 포함하는, 1,7-dioxa-4,10,13-triazacyclopentadecane-N,N',N''-triacetic acid과 1,7-dioxa-4,10,13-triazacyclopentadecane-N,N',N''-tripropioc acid의 착물의 안정도를 비교분석하였다.

졸-겔법에 의해 제작된 적외선 센서용 $(Pb,La)TiO_3$ 강유전체 박막의 특성 (Properties of $(Pb,La)TiO_3$ Ferroelectric Thin Films by Sol-Gel Method for the Infrared Sensors)

  • 서광종;장호정;장지근
    • 한국재료학회지
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    • 제9권5호
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    • pp.484-490
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    • 1999
  • Pt/SiOz!Si의 기판위에 $(Pb,La)TiO_3$(PLT) 박막을 졸-겔 방법으로 제작하여 La 첨가량 및 후속열처리 온도에 따른 결정학적, 전기적 특성율 조사하였다. $600^{\circ}C$ 이상의 온도에서 열처리된 PLT 박막 시료의 경우 La 도핑량에 관계없이 전형적인 perovskite 결정구조를 보여 주었다. La이 전혀 첨가되지 않은 $(Pb,La)TiO_3$(PT) 시료에 10 mole% La을 첨가할 경우 (PLT-I0 시료) c축 배향도는 약 63%에서 26%로 크게 감소하였다. PLT-1O 박막시료의 깊이에 따른 AES 분석결과 박막내의 각 성분원소 들이 비교척 균일하게 분포되어 았고 하부전극(Pt)과 PLT 박막층 사이에는 상호반응없이 비교적 안정된 막을 형성하고 있음을 알 수 있었다. $600^{\circ}C$에서 열처리된 PLT-1O 박막의 유전상수$({\varepsilon}r)$ 와 유전정접 (tan$\delta$) 은 약 193과 0.02의 값을 나타내였다. 후속열처리 온도를 $600^{\circ}C 에서 700^{\circ}C$로 증가함에 따라 잔류분극$(2Pr,Pr_+-Pr_-)$은 약 $4\muC\textrm{cm}^2 에서 약 16\muC\textrm{cm}^2$로 크게 증가하였으며 잔류 분극값의 증가는 후속열처리에 의해 결정성이 개선되었기 때문이라 판단된다. $30^{\circ}C$ 온도부근에셔 초전계수($\gamma$)는 약 $4.0nC/\textrm{cm}^2{\cdot}^{\circ}C$의 값을 냐타내었다.

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실리콘 실험실에 구리 오염을 방지 할 수 있는 고밀도/고균일의 Solder Bump 형성방법 (Fabrication Method of High-density and High-uniformity Solder Bump without Copper Cross-contamination in Si-LSI Laboratory)

  • 김성진;주철원;박성수;백규하;이희태;송민규
    • 마이크로전자및패키징학회지
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    • 제7권4호
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    • pp.23-29
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    • 2000
  • 사용되는 metal구분 없이 반도체 공정장비들을 사용함으로써 cross-contamination을 유발시킬 수 있다. 특히, copper(Cu)는 확산이 쉽게 되어 cross-contamination에 의해 수 ppm정도가 wafer에 오염되더라도 트랜지스터의 leakage current발생 요인으로 작용할 수 있기 때문에 Si-IC성능에 치명적인 영향을 미칠 수 있는데, Si-LSI 실험실에서 할 수 있는 공정과 Si-LSI 실험실을 나와 할 수 있는 공정으로 구분하여 최대한 Si-LSI 장비를 공유함으로써 최소한의 장비로 Cu cross-contamination문제를 해결할 수 있다. 즉, 전기도금을 할 때 전극으로 사용되어지는 TiW/Al sputtering, photoresist (PR) coating, solder bump형성을 위한 via형성까지는 Si-LSI 실험실에서 하고, 독립적인 다른 실험실에서 Cu-seed sputtering, solder 전기도금, 전극 etching, reflow공정을 하면 된다. 두꺼운 PR을 얻기 위하여 PR을 수회 도포(multiple coaling) 하고, 유기산 주석과 유기산 연의 비를 정확히 액 조성함으로서 Sn:Pb의 조성비가 6 : 4인 solder bump를 얻을 수 있었다. solder를 도금하기 전에 저속 도금으로 Cu를 도금하여, PR 표면의 Cu/Ti seed층을 via와 PR표면과의 저항 차를 이용하여 PR표면의 Cu-seed를 Cu도금 중에 etching 시킬 수 있다. 이러한 현상을 이용하여 선택적으로 via만 Cu를 도금하고 Ti층을 etching한 후, solder를 도금함으로써 저 비용으로 folder bump 높이가 60 $\mu\textrm{m}$ 이상 높고, 고 균일/고 밀도의 solder bump를 형성시킬 수 있었다.

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