Proceedings of the Korea Committee for Ocean Resources and Engineering Conference
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2001.10a
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pp.269-274
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2001
This paper describes the experimental results on direct selective laser sintering of WC-Co mixture. The experiments were carried out within an air, argon and nitrogen atmosphere. The main problem occurred during sintering within an air atmosphere was oxidation of WC-Co mixture. As the power of laser is increased and scanning speed is decreased, more severe oxidation takes place. Within an argon and nitrogen atmosphere the oxidation is reduced significantly. As the energy density is increased the thickness of the sintered layer is increased.
Journal of the korean Society of Automotive Engineers
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v.6
no.1
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pp.46-54
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1984
We applies Molecular Dynamics simulation technics to a system of Lennard-Jones potential interacting Argon liquid to study shear flow behavior. The thermodynamic state of the system is .rho.=35.54 Kg, mole/m$^{3}$, T=86.5.deg. K which is the triple point of Argon liquid. We applies shear rate : .epsilon.=9.26*10$^{9}$ 1/sec in the system. We find the response function, shear viscosity changes, and shear rate build-up as a function of time. We also find the thermal conductivity in a soft-sphere system.
The experiment was done to investigate extinguishing concentrations of different inert gases of verying concentrations made in contact with Kerosene. The experimental results obtained are as follows; at a standard amount of air flow was 40L/min, the extinguishing concentration of Argon, Nitrogen, Carbon dioxide and Helium for Kerosene were 36.5%, 27.3%, 17.4%, 12.3%, respectively. And, according to these results, Helium of 12.3% showed the lowest extinguishing concentration.
The optogalvanic effect is proposed and demonstrated as a technique for Penning ionization in a discharge of mixtures of metal vapors and rare gases. The gadolinium and argon mixture is used as a prototype. The lowest metastable of argon, 3P$_2$ (ls$\_$5/ in Paschen notation) at 93144 cm$\^$-1/, is within kT from the excited states of Gd ion. Thus Penning ionization occurs to an excited states of the ion. This process strongly alters the optogalvanic signal and has its own signatures.
The electric fields of the sheath region in an argon do discharge were measured using a laser optogalvanic spectroscopy in a pressure range from 0.88 to 10 Torr, where collisions are significant in the sheath region. The sheath width is estimated as the position where the electric field becomes zero, and the pressure dependence of the measured sheath width was obtained to be $(pressure)^{-1/3}$. The measured electric fields agree well with one-dimensional simulation results but are slightly different from collisional sheath theory in the mobility limited region.
Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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2000.08a
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pp.214-215
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2000
레이저로 발생시킨 플라즈마의 분광학적인 분석은 유용한 분석기술로 평가되고 있다. 이러한 플라즈마를 발생시키는데 있어서 Q-switched 레이저를 많이 사용되고 되고 있으나, Q-switch된 레이저로 발생시킨 플라즈마 복사광의 특성은 주변 분위기에 의해 매우 큰 영향을 받는다. 특히 대기압인 공기분위기에서 레이저로 발생된 플라즈마의 분광특성은 강하고 연속적인 background가 포함되고, 자체적으로 흡수되고, 넓게 퍼진 분광선들이 생성된다. 이는 레이저 발생 플라즈마를 통해 성분을 분석할 경우에 적합하지 않다. (중략)
Generally, it has been regarded that there are two kinds of the effect of the electrodes, especially of the cathode in the gas discharge, (a) the effect caused by the difference of the cathode meterial and (b) the effect by the change of the cathode surface state even in the same meterials. Thus the two effects must be investigated independently to study the roles of the cathode in gas discharges. This paper measured sparking voltage in Rare gas (Ar, He) for the change of sparking voltage in repeating sparks and for the effect of (a) and (b) mentioned above, under the condition that the desorption of impurities from the cathod can be nigligible, and it is obtained that the correlative relations of the work function, sparking voltage and secondary coefficient are comparatively simple. In addition, the interesting character of the minimum point of the paschen's curves is found. The results were as follows; 1) The value of (pd)min with minimum pint of sparking voltage, (Vs)min, is 0.7-0.9 Torr. cm in Argon, but is 5.6-7.1 Torr. cm in Helium, and Paschen's curve in Helium shows slow curve than in Argon. 2) The minimum point of the Paschen's curve is satisfied actually Townsend's self sustaining criterion in Argon, but non-satisfaction in Helium, and the Townsend's secondary coefficient .gamma. action have compound property (.gamma.$_{i}$, .gamma.$_{p}$, .gamma.$_{m}$) in Helium. 3) The dependenting character of work function in Helium is less than in Argon. 4) The minimum point of sparking voltage increase under oxidized electrode than clear electrode in Au and Ag, but minimum point decrease in Ni and Cu.
Carbon molecules with closed-cage structures are called fullerenes $(C_{60},\;C_{70})$, whose applications include super-conductors, sensors, catalysts, optical and electronic device, polymer composites, and biological and medical materials. The synthesis of fullerenes has been recently studied with low-pressure benzene/argon/oxygen flames. The formation of fullerene is known as molecular weight growth processes of PAHs (polycyclic aromatic hydrocarbon). This study presents results of PAHs and fullerene measurements performed in a low-pressure benzene/argon/oxygen normal co-flow laminar diffusion flame. Through the central tube of the burner, benzene vapors carried by argon are injected. The benzene vapors are made in a temperature-controlled bubbler. The burner is located in a chamber, equipped with a sampling system for direct collection of condensable species from the flame, and exhausted to a vacuum pump. Samples of the condensable are analyzed by HPLC (High Performance Liquid Chromatography) to determine the yields of PAHs and fullerene. Also, we computed mole fraction of fullerene and PAHs in a nearly sooting low pressure premixed, one-dimensional benzene/argon/oxygen flame (equivalence ratio ${\Phi}=2.4$, pressure=5.33kPa). The object of computation was to investigate the formation mechanism of fullerenes and PAHs. The computations were performed with CHEMKIN/PREMIX. As a result of this study, fullerenes were synthesized in a low pressure (20torr) $C_6H_6/Ar/O_2$ flames and the highest concentration of fullerene was detected just above the visible surface of a flame.
Pott, Philipp-Cornelius;Syvari, Timo-Sebastian;Stiesch, Meike;Eisenburger, Michael
The Journal of Advanced Prosthodontics
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v.10
no.4
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pp.308-314
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2018
PURPOSE. Plasma activation of hydrophobic zirconia surfaces might be suitable to improve the bond strength of luting materials. The aim of this study was to analyze the influence of nonthermal argon-plasma on the shear bond strength (SBS) between zirconia and different combinations of 10-MDP adhesive systems and luting composites after artificial aging. MATERIALS AND METHODS. Two hundred forty Y-TZP specimens were ground automatically with $165{\mu}m$ grit and water cooling. Half of the specimens received surface activation with nonthermal argon-plasma. The specimens were evenly distributed into three groups according to the adhesive systems ([Futurabond U, Futurabond M, Futurabond M + DCA], VOCO GmbH, Germany, Cuxhaven) and into further two subgroups according to the luting materials ([Bifix SE, Bifix QM], VOCO GmbH). Each specimen underwent artificial aging by thermocycling and water storage. SBS was measured in a universal testing machine. Statistical analysis was performed using ANOVA and $Scheff{\grave{e}}$ procedure with the level of significance set to 0.05. RESULTS. Surface activation with nonthermal plasma did not improve the bond strength between zirconia and the tested combinations of adhesive systems and luting materials. The plasma-activation trended to reveal higher bond strength if the self-etch luting material (Bifix SE) was used, irrespective of the adhesive system. CONCLUSION. Plasma-activation seems to be suitable to improve bond strength between zirconia and self-etch resin materials. However, further research is necessary to identify the influence of varying plasma-parameters.
Kim, Jun-Sik;Choe, Yeong-Ho;Park, Geun-Yeong;Choe, Si-Yeong
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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v.39
no.4
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pp.35-40
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2002
Ultra-power-saving SBR has been fabricated by using vanadium and molybdenum with low work function. Because reverse leakage current is increased in inverse proportion to work function, we implanted argon ion on the n-Si layer for decreasing leakage current. The dose and acceleration energy of the argon implantation in the silicon was 1$\times$10$^{14}$ ion/$\textrm{cm}^2$, 40 keV, respectively. The forward voltages drop of fabricated V-SBR and Mo-SBR were 0.25 V and 0.39 V at the same forward current density of 60 A/$\textrm{cm}^2$. As a result, it was found that the reverse leakage current of the fabricated V-SBR was reduced over 20$mutextrm{A}$ by the argon implantation in comparison with the no implanted V-SBR. Also, owing to argon implantation, the inferiority of characteristic of the SBR was not detected.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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