• 생명과학회지
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• 제23권1호
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• pp.110-115
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• 2013

Extracellular 지질분해효소를 생산하는 균주 AR1은 일본 벳부 온천수에서 분리하였다. 분리된 균주의 16s rRNA 염기서열을 분석하고 계통학적으로 분류한 결과, AR1 균주는 신규 Geobacillus sp.에 속하는 것으로 동정되었다. 본 연구는 Geobacillus sp. AR1 균주의 extracellular 지질분해효소 생산을 향상시키기 위한 새로운 방법에 초점을 맞추었다. AR1 균주는 $35{\sim}75^{\circ}C$의 넓은 온도 범위에서 생육하였고 최적온도는 $65^{\circ}C$이었다. 생육을 위한 최적 pH는 6.5인 반면, 효소 생산을 위한 pH는 8.5로 차이점을 보였다. 배양 중에 지질 화합물의 첨가는 지질분해효소 생산을 유도하였고, soybean oil을 대수증식기에 첨가 했을 때 가장 효율적인 유도 효과를 나타내었다. 한편, 계면활성제는 지질분해효소의 생산을 유도하고 세포 내외의 위치에 영향을 줄 수 있다. AR1 균주는 정지기에 Tween 20을 첨가할 경우, 효소의 세포 외 분비 효율이 크게 증가하였다. 이들 결과를 바탕으로 soybean oil과 Tween 20을 각각 대수증식기와 정지기에 첨가함에 따라 extracellular 효소 생산이 대조구에 비해 2.4배 증가하는 것으로 확인 되었다.

• 한국진공학회지
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• 제15권6호
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• pp.581-586
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• 2006

차세대 리소그래피 기술인 극자외선(EUV : Extreme Ultraviolet) 빛샘 연구의 기초단계로써, 동축타입의 전극구조가 설치된 다이오드 챔버를 통해 Ar 플라스마를 생성하였으며, 방출 분광기술(emission spectroscopy)를 이용하여 방출된 가시광선 영역의 빛을 조사하였다. 장치의 입력 전압을 0.5kV씩 변화를 주어 $2\sim3.5kV$까지 인가를 했으며 이극챔버의 최적 압력인 330mTorr 일 때 각 전압에 따른 방출 분광선 데이터를 얻었다. 이때 Ar I과 Ar II 방출선을 관측하였으며 국소적인 열적평형 (LTE ; Local Thermodynamic Equilibrium) 상태의 가정 하에 볼츠만 도표(Boltzmann plot)와 사하(Saha) 방정식을 이용해 Ar I 및 Ar II의 전자온도와 이온 밀도를 각각 계산하였다. 각 입력전압에 대해 이온밀도는 Ar I과 Ar II에서 각각 $\sim10^{15}/cc$ 및 $\sim10^{13}/cc$의 값으로 계산되었다.

• 동의생리병리학회지
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• 제17권5호
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• pp.1330-1334
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• 2003

Astragali Radix(AR), one of the strong tonic herbs, is known to improve immunological responses in mice and human. In this study, AR's ai-reinforcing effect was examined in the context of CD4/sup +/ T cells' TCR/CD3 induced activation responses. In order to evaluate the direct effect of AR on helper T cells, CD4/sup +/ T cells are isolated using magnetic bead and their proliferation and CD69 expression in AR treated medium were assessed with anti-CD3/anti-CD28 activation for 48h. CD4 T cells' proliferation was slightly increased but there was little effect on CD69 expression. RT PCR and ELISA equally demonstrated that IL-2 and IL-4 production was increased but IFN-ν was down-regulated. This shows AR ethanol extract favors Th2 cytokine profile under neutral conditions.

• 대한화학회지
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• 제46권2호
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• pp.164-168
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• 2002

$SrGa_2S_4$:Eu는 녹색을 발광하는 형광체로 전계 방출 디스플레이, 음극선 발광 분야에 널리 응용되고 있다. 일반적으로 $SrGa_2S_4$:Eu의 합성은 $SrCO_3$,$Ga_2O_3$, 그리고 $Eu_2O_3$를 $H_2S$ 와 Ar 가스를 흘려주면서 고온에서 소송하는 고상반응법으로 합성하였다. 본 연구에서는 SrS, Eu 착물, 그리고 Ga 착물의 분해 반응을 통해서 $SrGa_2S_4$:Eu 형광체를 합성하였다. 이 방법의 장점은 Ar 가스 뿐 만 아니라 독성의 $H_2S$를 사용하지 않는 것이다. $SrGa_2S_4$:Eu 형광체의 합성 조건과 발광 특성을 검토하였다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제17권3호
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• pp.278-282
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• 2004

The Hydrogenated amorphous carbon(a-C:H) thin films are deposited on silicon with a close field unbalanced magnetron(CFUBM) sputtering systems. The experimental data are obtained on the depositon rate and physical properties of a-C:H films using DC bias voltage and Ar/C$_2$H$_2$ pressure. The depostion rate and the surface roughness decrease with DC bias voltage, but the hardness of the thin films increases with DC bias voltage. And the position of G-peak moves to lower wavenumber indicating an increase in diamond-like carbon characteristics with the lower Ar/C$_2$H$_2$ pressure.

• 한국방사성폐기물학회:학술대회논문집
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• 한국방사성폐기물학회 2004년도 학술논문집
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• pp.377-385
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• 2004

하나로의 출력운전이 시작된 이후 1996 년부터 2003 년까지 하나로에서 발생한 방사성폐기물의 양을 성상별로 정리하였다. 이 기간 동안 고체 폐기물과 액체 폐기물은 각각 $72,999{\ell}$, $263,576{\ell}$가 발생하였으며 원자로실 및 RCI 굴뚝을 통해 환경으로 방출된 기체 방사성 폐기물은 Ar-41이 1,225.6 Ci, I-131이 1.612E-2 Ci, H-3이 210 Ci 인 것으로 나타났다.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제27권2호
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• pp.219-223
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• 2006

The thermal decomposition of tetrakis(ethylmethylamido) titanium (TEMAT) has been investigated in Ar and $H_2$ gas atmospheres at gas temperatures of 100-400 ${^{\circ}C}$ by using Fourier Transform infrared spectroscopy (FTIR) as a fundamental study for the chemical vapor deposition (CVD) of titanium nitride (TiN) thin film. The activation energy for the decomposition of TEMAT was estimated to be 10.92 kcal/mol and the reaction order was determined to be the first order. The decomposition behavior of TEMAT was affected by ambient gases. TEMAT was decomposed into the intermediate forms of imine (C=N) compounds in Ar and $H_2$ atmosphere, but additional nitrile (RC$\equiv$N) compound was observed only in $H_2$ atmosphere. The decomposition rate of TEMAT under $H_2$ atmosphere was slower than that in Ar atmosphere, which resulted in the extension of the regime of the surface reaction control in the CVD TiN process.

• 한국재료학회지
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• 제5권6호
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• pp.657-666
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• 1995

Cu(hfac)$_2$,(Cu(II) hexafluoroacetylacetonate)를 프리커서로 하는 구리 화학증착에 대해 자유에너지 최소화법으로 열역학적 평형조성 계산을 수행하였다. Cu(hfac)$_2$-Ar계의 경우Cu(hfac)$_2$ 프리커서 자체의 열분해로부터 모든 공정조건에서 증착박막내로의 탄소 출입이 관찰되었다. Cu(hfac)$_2$-H$_2$,계에서는 Cu(hfac)$_2$-Ar계보다 낮은 온도에서 구리박막이 증착되며, H$_2$입력비 및 반응온도의 증가에 따라 응축상의 석출형태는 C(s)+CuF(s)로부터 C(s)+CuF(s)+Cu(s), C(s)+Cu(s), Cu(s), C(s)의 순으로 변화되는 것으로 나타났다.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2003년도 춘계학술발표회 초록집
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• pp.54-54
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• 2003

MgO layer는 POP 패빌 내 유전증을 이온의 스퍼터링으로부터 보호하여 주며, 또한 높은 이차 전자 밤출 계수의 특성을 가지고 있어 구동 및 유지 전압을 낮춰 주는 역할을 한다. 그러나. MgO layer는 $H_20,{\;}CO_2,{\;}N_2,{\;}0_2$ 그리고 $H_2$와 같은 불순물 들을 쉽게 를착하는 단점이 있어, PDP의 특성 및 수명 단축에 영향을 줄 수 있다. 따라서, 본 연구에서는 atmospheric pressure plasma cleaning 과 low pressure i inductively coupled plasma (ICP) cleaning 처리에 의하여, 보호층으로 사용이 되는 MgO layer의 outgassing 특성을 조사하고자 한다. plasma cleaning에 의한 MgO layer 표면의 roughness와 불순물의 변화를 알아보기 위 하여 atomic force microscopy(AFM)과 x-ray p photoelectron spectroscopy(XPS)를 이용하여 측정 하였다. 또한, outgassing의 특성을 분석하기 위하여 MgO layer를 $400^{\circ}C$ 까지 온도를 가하여 온도에 따른 outgassing의 특성을 quadrupole mass spectrometer(QMS)를 이용하여 알아보았다. atmospheric pressure plasma cleaning 에서는 $He/O_2/Ar/N_2$의 gas를 사용하였으며, low pressure ICP cleaning 에 서는 Ar의 gas를 사용하였다. atmospheric pressure plasma cleaning는 low pressure ICP C cleaning과 비교해 더 낮은 outgassing을 관잘 할 수 있었으나. MgO 표면의 roughness는 low pressure ICP cleaning 후 더 낮은 것을 알 수 있었다. 또한 $He/O_2/Ar/N_2$의 gas를 사용 한 atmospheric pressure plasma cleaning 과 $Ar/O_2$의 gas를 사용한 ICP cleaning에서 이 차전자방출계수(SEEC)가 약 1.5~2.5배 증가된 것을 알 수 있었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2009년도 하계학술대회 논문집
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• pp.362-362
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• 2009

$MgB_2$ bulk samples were sintered at different ambient. In this work, high purity Ar gas was added with oxygen and hydrogen gas, which can be regarded as impurity in a sense, as a possible dopant in the $MgB_2$. It was found that oxygen in the sintering ambient leads to a decrease in the critical current density $J_c$ at self field and lower fields. However, we can obtained higher $J_c$ at higher fields. It was also noted that $MgB_2$ samples sintered with 5% hydrogen in Ar revealed the increased $J_c$ at all fields compared to those processed in pure Ar ambient. From the XRD and FESEM analysis, the impurity gas in Ar can refine the $MgB_2$ grain size and result in increased grain. boundary, which can act as a strong flux pinning sites in $MgB_2$ samples. Also discussed are the effects of sintering ambient on irreversibility field, $H_{irr}$ and the upper critical field, $H_{C2}$.