• 한국결정성장학회지
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• 제26권6호
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• pp.220-224
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• 2016

초음파 스프레이를 이용하여 유리기판 위에 반사방지 박막이 제조되었다. GPTMS와 TEOS는 솔-젤 하이브리드 코팅 용액을 제조하기 위하여 사용되었다. 반사방지막의 코팅 두께를 제어하기 위하여 스프레이 노즐의 이동속도는 15~25 mm/s로 변경되었다. 스프레이 노즐의 이동속도가 증가 됨에 따라 반사방지막의 두께는 138 nm에서 86 nm로 감소되었다. 20 mm/s의 노즐 이동속도에 의해 제조된 반사방지막의 굴절률은 약 1.31, 막의 두께는 104 nm이며, 380 nm에서 780 nm의 가시광 영역에서의 평균 반사율은 0.75 %, 투과율은 94 %로 측정되었다.

• 한국광학회지
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• 제8권5호
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• pp.395-402
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• 1997

$\1.55mu\textrm{m}$ InGaAsP MQW FP 반도체 레이저 단면의 무반사 코팅 두께를 앞면에 무반사 코팅하는 동안 뒷면의 출력을 실시간으로 측정하여 결정하였다. 굴절률 1.85인 $SiO_x$ 박막의 최적 두께는 188 nm이고, 무반사 코팅 전, 후의 문턱전류비로 계산한 단면의 반사율은 약 2 $\times$ $10^{-4}$이었다. 무반사 코팅 후 주입전류 60 mA일 때 출력이 87%, 기울기 효율이 3.4배, 문턱전류가 2.64배 증가하였다. 또한 실시간으로 $Si/SiO_2$ 박막의 고반사 코팅을 뒷면에 한 후 코팅 전보다 출력이 약 160% 향상되었고, 기울기 효율이 3.8배 증가하였으며, 문턱전류는 1.07배로 코팅 전과 거의 비슷하여, 무반사 및 고반사 코팅 후 반도체 레이저의 출력특성이 크게 향상되었다.

• 한국조명전기설비학회:학술대회논문집
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• 한국조명전기설비학회 2007년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.89-91
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• 2007

In order to decrease the degradation of phosphor on anode, many kinds of methods try to do coating of phosphor powders and AI metal layer of anode phosphor, In case of direct coating of phosphor powder, thin and uniform coating process are difficult to cover homogeneous in the surface of phosphor powders and given rise to decrease the brightness, Anti-reflection-layer(ARC) with $TiO_2$, $Al_2O_3$, $Y_2O_3$ showed 103[%] the enhancement of brightness in comparable with normal phosphor layer.

• 한국재료학회지
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• 제7권1호
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• pp.3-7
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• 1997

VO$_{2}$ 써모크로믹 원도우의 가시광 투과율을 높히기 위하여 내마모성이 우수한 SiO$_{2}$박막을 이용하여 AR(anti-rdflection)코팅을 하였다. 두가지 중요한 공정변수인 기판온도와 증착속도가 AR효과에 미치는 영향을 조사하였다. 그리고 SiO$_{2}$박막의 AR효과는 낮은 기판온도와 높은 증착속도에서 더 우수한 것으로 나타났으며, 이는 SiO$_{2}$AR 박막의 굴절율과 상관관계가 있는 것으로 나타났다. VO$_{2}$ 써모크로믹 유리 위에 SiO$_{2}$AR-코팅을 했을 때 약 30% 정도의 가시광 투과율의 향상이 있었다. 그리고 AR-코팅을 하지 않은 경우보다 더 뚜렷한 써모크로미즘을 나타냈다. 또한 천이온도는 7$0^{\circ}C$정도로 AR-코팅을 하지 않은 VO$_{2}$써모크로믹 유리의 경우와 같게 나타났다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2008년도 하계학술대회 논문집 Vol.9
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• pp.200-201
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• 2008

태양전지 제작 시 반사방지막(Anti-reflection Coating)이 태양전지 효율에 미치는 영향을 알아보기 위한 실험으로 최적의 가스비를 알아보기 위하여 Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition(PECVD)를 이용한 Silicon nitride 증착 실험이다. SiH4 가스를 45 sccm으로 고정시킨 상태에서 NH3를 25,45,60,90,135 sccm으로 가변하여 Carrier Lifetime과 Refractive index를 측정하였다. PECVD의 조건은 기판온도 $450^{\circ}C$, Chamber 압력 1 Torr, 증착두께 $1000\AA$으로 고정하였다. 증착 후 500, 600, 700, $800^{\circ}C$로 열처리를 하고나서 Carrier Lifetime을 측정하여 열처리에 대한 효과도 알아보았다.

• 신재생에너지
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• 제2권2호
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• pp.4-8
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• 2006

Reduction of optical losses in crystalline silicon solar cells by surface modification is one of the most important issues of silicon photovoltaics. Porous Si layers on the front surface of textured Si substrates have been investigated with the aim of improving the optical losses of the solar cells, because an anti-reflection coating and a surface passivation can be obtained simultaneously in one process. We have demonstrated the feasibility of a very efficient porous Si AR layer, prepared by a simple, cost effective, electrochemical etching method. Silicon p-type CZ (100) oriented wafers were textured by anisotropic etching in sodium carbonate solution. Then, the porous Si layer were formed by electrochemical etching in HF solutions. After that, the properties of porous Si in terms of morphology, structure and reflectance are summarized. The surface morphology of porous Si layers were investigated using SEM. The formation of a porous Si layer about $0.1{\mu}m$ thick on the textured silicon wafer result in an effective reflectance coefficient Reff lower than 5% in the wavelength region from 400 to 1000nm. Such a surface modification allows improving the Si solar cell characteristics.

• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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• 한국신재생에너지학회 2007년도 춘계학술대회
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• pp.295-298
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• 2007

Reduction of optical losses in crystalline silicon solar cells by surface modification is one of the most important issues of silicon photovoltaics. Porous Si layers on the front surface of textured Si substrates have been investigated with the aim of improving the optical losses of the solar cells, because an anti-reflection coating(ARC) and a surface passivation can be obtained simultaneously in one process. We have demonstrated the feasibility of a very efficient porous Si ARC layer, prepared by a simple, cost effective, electrochemical etching method. Silicon p-type CZ (100) oriented wafers were textured by anisotropic etching in sodium carbonate solution. Then, the porous Si layers were formed by electrochemical etching in HF solutions. After that, the properties of porous Si in terms of morphology, structure and reflectance are summarized. The structure of porous Si layers was investigated with SEM. The formation of a nanoporous Si layer about 100nm thick on the textured silicon wafer result in a reflectance lower than 5% in the wavelength region from 500 to 900nm. Such a surface modification allows improving the Si solar cell characteristics. An efficiency of 13.4% is achieved on a monocrystalline silicon solar cell using the electrochemical technique.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2006년도 추계학술대회 논문집 Vol.19
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• pp.77-78
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• 2006

In order to increase the efficiency of LED, transparent electrodes should be also developed. also suitable anti-reflection coating (ARC) is necessary for practical device applications. In our paper, Al-doped ZnO (AZO) films were fabricated by sputtering on GaP substrate(wavelength:620nm). Choosing optimum substrate temperature and sputtering rate, high quality AZO films were formed. We confirmed that the surface and electrical properties, which implemented using the methods of AFM, Hall measurement. The properties of AZO thin films especially depended on the thickness. We presumed that the change of the increase the external quantum efficiency of LED according to the AZO thin film of thickness.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.168.2-168.2
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• 2014

반사방지막 코팅(Anti-reflection coating)은 태양전지(Solar cell), 발광다이오드(LED) 등의 반사율을 낮추어 효율을 증대시키기 위하여 사용되고 있다. 본 실험에서는 유리 기판 위에 실리콘 타겟을 이용한 반응성 high power impulse magnetron sputtering (HIPIMS) 장비를 활용하여, 높은 공정 압력(High-pressure)에서 펄스폭(Pulse width)을 조절하여 $SiO_2$ 반사방지막 코팅층을 형성하였다. 또한, 기공이 더 많은 박막을 제작하기 위해 빗각증착(Oblique-angle deposition)을 적용하여 더 좋은 광학 특성을 갖는 반사방지막 코팅층을 형성하였다. UV-Vis spectrometer를 이용하여, 380~800 nm 파장에서 투과율(Transmittance)을 측정하여 비교, 분석하였다. Ellipsometer를 이용하여 $SiO_2$ 박막층의 굴절률(Refractive index)을 측정한 결과, 반사방지막 코팅층 내부 기공에 따라 다양한 굴절률을 가지는 것을 확인할 수 있었다. 또한, 코팅층 내부 기공의 형상을 확인하기 위해 SEM(Secondary electron microscopy)을 활용하여 코팅층 단면(Cross section)을 측정하였다. 이를 활용하여 낮은 굴절률을 갖는 반사방지용 $SiO_2$ 코팅층을 형성하여 태양전지의 광 변환 효율을 상승 시킬 수 있고, 발광다이오드의 광 추출 효율을 증가시킬 있을 것으로 여겨진다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.231-231
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• 2013

반사방지막 코팅(Anti-reflection coating)은 태양전지(Solar cell), 발광다이오드(LED) 등의 반사율을 낮추어 효율을 증대시키기 위하여 사용되고 있다. 본 실험에서는 유리 기판 위에 실리콘 타겟을 이용한 Reactive magnetron sputtering 장비를 활용하여, 50~100 mTorr의 높은 공정 압력(High pressure)에서 Ar：O2 유량비를 변화시키며 증착하여 SiO2 반사방지막 코팅층을 형성하였다. Ellipsometer를 이용하여 SiO2 박막층의 굴절률(Refractive index)을 측정한 결과, 공정 압력과 Ar：O2 유량비에 따라 SiO2 박막이 다양한 굴절률을 가지는 것을 확인할 수 있었다. 또한, UV-Vis spectrometer를 이용하여, 190~1,100 nm 파장에서의 반사율(Reflectance)과 투과율(Transmittance)을 측정하여 비교, 분석하였다. 나아가 증착된 SiO2 반사방지막을 비정질 실리콘 박막 태양전지에 적용하여 효율 향상 효과를 실험하였다. 이를 활용하여 낮은 굴절률을 갖는 반사방지용 SiO2 코팅층을 형성하여 태양전지의 광 변환 효율을 상승 시킬 수 있고, 발광다이오드의 광 추출 효율을 증가시킬 있을 것으로 여겨진다.