Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference (한국전기전자재료학회:학술대회논문집)
- 2008.06a
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- Pages.200-201
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- 2008
Effect of Gas ratio on the anti-reflective properties of SiNx by PECVD
- Heo, Jong-Kyu (SUNGKYUNKWAN Univ.) ;
- Ai, Dao Vinh (SUNGKYUNKWAN Univ.) ;
- Cho, Jae-Hyun (SUNGKYUNKWAN Univ.) ;
- Han, Kyu-Min (SUNGKYUNKWAN Univ.) ;
- Yi, Jun-Sin (SUNGKYUNKWAN Univ.)
- Published : 2008.06.19
Abstract
태양전지 제작 시 반사방지막(Anti-reflection Coating)이 태양전지 효율에 미치는 영향을 알아보기 위한 실험으로 최적의 가스비를 알아보기 위하여 Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition(PECVD)를 이용한 Silicon nitride 증착 실험이다. SiH4 가스를 45 sccm으로 고정시킨 상태에서 NH3를 25,45,60,90,135 sccm으로 가변하여 Carrier Lifetime과 Refractive index를 측정하였다. PECVD의 조건은 기판온도