• 한국산학기술학회논문지
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• 제13권6호
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• pp.2697-2701
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• 2012

안티퓨즈 MOS 커패시터를 기반으로 제작된 OTP 소자의 수율은 프로그램 과정에서 입력 저항(Rin)값과 통과 트랜지스터(Pass Tr)의 크기, 데이터 읽기 과정에서 읽기 트랜지스터(Read Tr)와 읽기 전압에 영향을 받는다. 따라서 수율에 영향을 주는 요소를 분석하기 위해 여러 가지 실험 조건을 달리하여 각각의 조건에 대해 블로잉 후 실효소자의 저항 특성에 대한 풀 맵(full map) 데이터를 얻어 OTP 소자가 어떻게 동작하는지를 분석하여 수율 개선에 필요한 최적 조건을 연구하였다. 최적 조건은 입력저항이 $50{\Omega}$, 통과 트랜지스터의 W값이 $10{\mu}m$, 읽기 전압이 2.8 V 일 때이다.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2004년도 학술대회지
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• pp.612-615
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• 2004

A high-voltage generator is used to program the anti-fuse of the semiconductor chip. A new high-voltage generator consists of PN diodes and new stack type capacitors. An oscillator supply pulses to the high-voltage generator. The pulse period of the oscillator is delayed by controlling gate-voltage of the MOS. The pulse period is about 27ns, therefore the pulse frequency is about 37MHz. The threshold voltage of PN diode is about 0.8V. The capacitance of new stack type capacitor is about 4pF. The output voltage of the new high-voltage generator is about 7.9V and its current capacity is about $488{\mu}$A.