• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제11권9호
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• pp.693-699
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• 1998

In this work $Cd_4GeS_6:Co^{2+}$(0.5mole%) single crystals were grown by the chemical transporting reactiov(CTR) method using high purity(6N) elements. The grown single crystals crystallized in a monoclinic structure(space group Cc). The direct optical energy gap of this single crystals was found to be 2.445eV at 300K and the temperature dependence of optical energy gap was fitted well to Varshni equation. But at temperatures lower than 70K an anomalous temperature dependence of the optical energy gap was obtained. This anomalous temperature dependence accored well with the anomalous temperature dependence of the unit cell volume. Also, the entropy, enthalpy and heat capacity were deduced from the temperature dependence of optical energy gaps.

• Journal of Magnetics
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• 제18권3호
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• pp.225-229
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• 2013

We report a measurement for the anomalous Nernst effects induced by a temperature gradient in [CoSiB/Pt] multilayer films with perpendicular magnetic anisotropy. The Nernst voltage shows a characteristic hysteresis which reflects the magnetization of the film as in the case of the anomalous Hall effects. With a local heating geometry, we also measure the dependence of the anomalous Nernst voltage on the distance d from the heating element. It is roughly proportional to $1/d^{1.3}$, which can be conjectured from the expected temperature gradient along the sample from the heat equation.

• 한국소성가공학회:학술대회논문집
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• 한국소성가공학회 2001년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.167-171
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• 2001

High temperature deformation behavior of Fe-28Al-5Cr alloy has been investigated known to show anomalous temperature dependence of yield strength. Specifically, the effect of Cr addition has been examined. A series of tensile and load relaxation tests have been carried out to obtain the flow behavior of Fe-28Al-5Cr alloy at the elevated temperatures. The flow curves have then been analyzed using the inelastic deformation theory recently proposed. Firstly, high temperature flow stress of iron aluminides can be resolved into internal stress and frictional stress. Secondly, the temperature corresponding to peak strength gets higher level at faster strain rate, which presumably due to the increased contribution of internal stress in observed flow stress. And thirdly, the alloying of Cr seems to cause solid-solution strengthening of frictional stress level and the elevation of 2nd order transition temperature. In this analogy, Fe-28Al-5Cr exhibits better strength especially at relatively higher temperature and lower strain rate than Fe-28Al.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2000년도 하계종합학술대회 논문집(2)
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• pp.76-79
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• 2000

The 3$\mu\textrm{m}$-thick PVDF (Polyvinyiidene fluoride) thin film have been prepared using physical vapor deposition with electric field, and its FT-IR specrum, dielectric property and electric conduction phenomenon have been investigated. Since the characteristic peaks ate detected at 509.45 and 1273.6〔cm〕 in the FT-IR spectrum, we are confirmed that the ${\beta}$ -phase is dominant in the PVDF thin film. In the results of dielectric properties, the PVDF thin film shows anomalous dispersion, i.e. gradual decrease of dielectric constant with increase of frequency, and also that the dielectric absorption point changes from 200Hz to 7000Hz with increasing temperature of thin film, which is consistent with the Debye's theory. The activation energy (ΔH) obtained from temperature dependence of dielectric loss is 21.64 ㎉/㏖. We confirm that the electric conduction mechanism of PVDF thin film is dominated by ionic conduction by investigating the dependence of the leakage current of the thin film on the temperature and the electric field.

• Journal of Information Display
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• 제13권1호
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• pp.31-36
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• 2012

Ferroelectric liquid crystal parameters, spontaneous polarization, and transition temperature were studied as a function of cell thickness. These parameters were found to increase with increasing cell thickness, but an exception was observed for the transition temperature in the case of a thin cell. A simple Landau model is presented to interpret the theoretical and experimental observations. The anomalous behavior is attributed to the electroclinic effect and is explained using the Landau model.

• 한국자기학회지
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• 제5권6호
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• pp.952-955
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• 1995

It is well kown that the side-jump effect, originated from the spin-orbit scatterring of the transport electrons at the site of spin-orbit scatterers, is the reason for the anomalus Hall resistivity which is proportional to the magnetization. Our recent magnetization study implied that abundant ferromagnetic Fe clusters made of for Fe ions dominate the temperature and field dependence of magnetization at high field and low temperature regime for a paramagnetic $Fe_{0.33}Zr_{0.67}$ alloy. We measured the Hall resistivity of this alloy and observed that the Hall resistivity followed the M-H cure at low temperature, and the Hall coefficients at moderate temperatures were proportional to the magnetic susceptibility. We explain the behavior of Hall resistivity with the change of field and temperature in terms of side-jump effect.

• 한국진공학회지
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• 제18권6호
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• pp.426-434
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• 2009

평판형 유도결합 플라즈마 장치의 $SiH_4/H_2$ 방전에 대한 공간 평균 전산모사가 이루어졌다. $SiH_4/H_2$ 플라즈마 방전에서 발생되는 전자, 양이온, 음이온, 중성종, 그리고 라디칼들에 대한 공간 평균된 유체 방정식을 기반으로 하고 있으며, 비정상 표피효과(Anomalous skin effect)를 고려한 비충돌 전자가열 모델을 적용하여 흡수되는 파워량을 결정하였다. $SiH_4$와 $H_2$의 가스 주입비율, 파워, 그리고 압력을 변화시키며 각각에 대한 하전입자, 중성종 및 라디칼들의 밀도 변화와 전자온도 의존성을 조사하였다.

• 한국자기학회지
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• 제19권4호
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• pp.121-125
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• 2009

비정질 $Ge_{1-x}Mn_x$ 박막을 $400^{\circ}C$에서 $700^{\circ}C$까지 온도범위에서 각 3분씩 고진공챔버($10^{-8}$ torr)에서 열처리하였고, as-grown 시료와 열처리한 시료의 전기적 특성과 자기수송특성을 연구하였다. 성분함량은 energy dispersive X-ray spectroscopy(EDS)와 x-ray photoelectron spectroscopy(XPS)로 측정하였으며, 박막의 구조분석은 x-ray diffractometer(XRD)와 transmission electron microscopy(TEM)를 이용하였다. 자성특성은 여러 범위의 자기장에서 Magnetic property measure system(MPMS)를 이용하였다. 박막의 전기적 특성은 standard four-point probe와 Physical property measurement system(PPMS)로 측정하였으며, van der Pauw 방법을 사용하여 Anomalous Hall effect를 측정하였다. X-ray 회절 패턴 분석을 통해 $500^{\circ}C$에서 3분 동안 열처리한 시료는 여전히 비정질 상태인 것을 알 수 있었으며, $600^{\circ}C$의 열처리 온도에서 결정화를 확인할 수 있었다. as-grown $Ge_1$_$_xMn_x$ 박막과 열처리한 $Ge_{1-x}Mn_x$ 박막을 온도에 따른 비저항 값의 변화를 측정하였고, 반도체의 특성을 보이는 것을 확인할 수 있었다. 또한 열처리 온도가 높을수록 비저항도 증가하는 것을 관찰할 수 있었다. $700^{\circ}C$에서 열처리한 $Ge_1$_$_xMn_x$ 박막은 저온에서 negative magnetoresistance(MR)을 확인할 수 있었고, MR ratio는 10 K에서 약 8.5 %를 보였다. 모든 MR 그래프에서 curve의 비대칭을 확인 할 수 있었으며, anomalous Hall Effect는 약하지만 250 K까지 관측이 되었다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제37권5호
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• pp.9-15
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• 2000

본 논문에서는 진공 증착법 (Physical Vapor Deposition) 과 전계인가를 통해 두께 3㎛ 의 PVDF (polyvinylidene fluoride) 박막을 제작하여 적외선 흡수분석과 유전특성 및 전기전도 현상을 조사하였다. 진공 증착법으로 제작한 PVDF 박막을 적외선 흡수 분광기 (FT-IR) 로 분석한 결과, 509.45 ［cm/sup -1/］ 와 1273.6 ［cm/sup -1/］의 특성피크가 검출되는 것으로 보아 제작된 PVDF 박막이 β형임을 확인할 수 있었다. β형 PVDF 박막의 유전특성을 측정한 결과, 비유전률은 주파수가 증가함에 따라 지속적으로 감소하는 이상분산을 나타내었고 유전손실은 온도의 증가에 따라 200㎐ 에서 7000㎐ 로 유전 흡수점이 이동함을 관찰할수 있었는데, 이는 디바이 이론과 일치하는 것이었다. 유전손실의 온도 의존성으로부터 구한 활성화 에너지(ΔH) 는 21.64㎉/mo1e 로 조사되었다. β형 PVDF 박막의 누설전류밀도에 대한 온도의존성과 전계의존성을 조사하여 PVDF 박막의 전기전도기구가 이온전도임을 확인할 수 있었다.

• 한국자기학회지
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• 제3권1호
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• pp.7-12
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• 1993

저열팽창재료인 Fe-36%Ni 인바합금을 기본조성으로 하여 제3원소인 Mn, Cr, Co를 0-5wt% 범위에서 소량 첨가하고 자기적성질의 변화를 조사였다. 상온에서 $300^{\circ}C$까지의 온도에 따른 비자화의 변화는 조성에 따라 약간의 차이는 있지만 5wt%Co를 제외하고 상온으로 부터 큐리온도 직 하인 $250^{\circ}C$까지 온도상승에 따라 지바화가 매우 빠르게 감소하고, 첨가원소에 따른 비자화의 온도의존성이 온도의 3/2승항과 2승항을 혼합한 형태로 나타나는 인바합금 특유의 형상을 보인다. 상온에서 첨가원소에 따른 비자화, 큐리온도 및 보자력은 동일 함량으로 치환할 경우에 Co > Cr > Mn 의 순서로 높게 나타나지만, 5wt%Co의 경우에 급증하는 현상은 강자성 $\gamma$상과 반강자성 $\gamma$상이 혼재하는 인바효과가 강자성 $\alpha$ 상이 생성됨에 따라 사라지기 때문이었다.