In this study, $(Pb_{0.88}La_{0.12})(Zr_{0.40}Ti_{0.60})O_{2.97}$ (La/Zr/Ti=12/40/60) ceramic thin films were fabricated from an alkoxide-based by Sol-Gel method. PLZT stock solutions were made and spin-coated on the ITO-glass rubstrate at 4000[rpm] for 30[sec]. Coated specimens were baked to remove the organic materials at $400[^{\circ}C]$ for 10[min]. This procedure was repeated 5 times. The coated films were finally annealed at $450{\sim}700[^{\circ}C]$ for 1[hr]. The ferroelectric perovskite phases precipitated under the sintering of $550{\sim}700[^{\circ}C]$ for 1[hr]. Relative dielectric constant of the PLZT thin were increased with increasing the sintering temperature, the thin file sintered at $650[^{\circ}C]$ showed the highest value of 196. But in the PLZT thin film sintered at $700[^{\circ}C]$, relative dielectric constant was greatly decreased due to reacts between ITO electrode and glass substrate. In all thin films, the transmittance was more than 70[%] (at 632.8[nm]).
Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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v.3
no.3
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pp.161-165
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2002
Ge-doped rnulticomponent oxide glasses were prepared by a conventional melting method. The change of micro structure in glasses was investigated by using PL (photoluminescence) and ESR (electron spin resonance). Before UV irradiation, the PL intensity increased according to germanium contents, but decreased the intensity as soon as UV irradiation. A changed property was recovered near it original properties when it was annealed. These photodarkening and thermal bleaching effect were observed by ESR intrument. These effect did not change the glass phase but vary only change of micro structure.
Kim, Kyoung-Duk;Ryu, Ki-Won;Bae, Seon-Gi;Lee, Young-Hie
Proceedings of the KIEE Conference
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1997.07d
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pp.1491-1493
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1997
In this study, Sol-Gel derived $Ba_{0.7}Sr_{0.3}TiO_3$ (BST(70/30)) thin films were investigated. The stock solution of BST were fabricated and spin-coated on the Pt/Ti/$SiO_2$/Si and ITO/glass substrates. The coated specimen were dried at $300^{\circ}C$ and finally annealed at $650{\sim}750^{\circ}C$. To analyse crystallization condition and microstructural morphology for different substrates, XRD, and SEM analysis were processed. In the BST(70/30) composition. dielectric constant and loss characteristics measured at 1kHz were 173, 0.01% for Pt/Ti/$SiO_2$/Si substrates and 181, 0.019% for ITO/glass substrates, respectively.
This report presents a new technical approach for evaluating the fiber orientation of composites using small-angle light scattering (SALS). Glass fiber (GF)/polypropylene (PP) composites with different fiber orientations were prepared by drawing compression-molded specimens. The drawn samples were remelted and then annealed at $150^{\circ}C$ in order to induce a crystalline structure on the fiber surface, and then underwent SALS analysis. The samples showed a combination of circular and streak patterns. The model calculations demonstrated that the number of nuclei on the fiber surface and the thickness of the transcrystalline layer affected the sharpness and intensity of the streak pattern. In addition, the azimuthal angle of the streak pattern was found to be dependent on the direction of the transcrystalline layer, which correlated with the fiber direction. This correlation suggests that the fiber orientation in the composites can be easily evaluated using SALS.
By using an oxynitride glass as a sintering additive, the effects of BN content on microstructure and mechanical properties of the hot-pressed and subsequently annealed SiC-BN composites were investigated. The microstructures developed were analyzed by image analysis. The morphology of SiC grains was strongly dependent on BN content in the starting composition. The aspect ratio of SiC decreases with increasing BN content and the average diameter of SiC shows a maximum at 5 wt% BN and decreases with increasing BN content in the starting powder. The fracture toughness increased with increasing BN content while the strength decreased with increasing BN content. The strength and fracture toughness of SiC or SiC-TiC composites were strongly dependent on the morphology of SiC grains, but the strength and fracture toughness of SiC-BN composites were strongly dependent on BN content rather than morphology of SiC grains. These results suggest that fracture toughness of SiC ceramics can be tailored by manipulating BN content in the starting composition. Typical fracture toughness and strength of SiC-10 wt% BN composites were 8 MPa$.$m$\^$1/2/ and 445 MPa, respectively.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.13
no.7
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pp.592-597
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2000
In this study (B $a_{0.5}$/S $r_{0.5}$)Ti $O_3$[BST(50/50)] ceramic thin films were prepared by the Sol-Gel method BST(50/50) stock solution was made and spin-coated on the Indium Tin Oxide(ITO)/glass substrate at 4000 rpm for 30 seconds. The coated films were dried at 35$0^{\circ}C$ for 10 minutes and annealed at 650~75$0^{\circ}C$ for 1 hour. The microstructural properties of the BST(50/50) thin film were studied by the XRD and AFM. The ferroelectric perovskite phase was formed at the annealing condition of 75$0^{\circ}C$ for 1 hour. Dielectric constant and loss of this thin were 370, 3.7% at room temperature respectively. The polarization switching voltage showed the good value of 3V. The leakage current density of the BST(50/50) thin film was 10$^{-7A}$c $m^2$with applied voltage of 1.5V. BST(50/50) thin film capacitors having good dielectric and electrical properties are expecting for the application to the dielectric material of DRAM.RAM.M.
Journal of the Korean Society for Nondestructive Testing
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v.34
no.2
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pp.141-147
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2014
A nondestructive ultrasonic technique was applied to evaluate the thermal characteristics and degradation of synthetic polymer resin (plastics) with better cost-effectiveness and functionality than glass and metal. Thermoplastic and transparent acrylic resin (PMMA) specimens were annealed at below the glass transition temperature ($T_g$), and the propagation characteristics (attenuation and velocity) were measured. The attenuation increased and the velocity decreased with thermal degradation. The results showed that the thermal aging of the specimens could be evaluated quantitatively and that the Tg could be evaluated qualitatively.
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.13
no.5
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pp.241-246
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2003
The transparent conducting thin film of ATO (antimony-doped tin oxide) was successfully fabricated on$SiO_2$/glass substrate by a sol-gel dip coating method. The crystalline phase of the ATO thin film was identified as SnO$_2$ major phase and the film thickness was about 100 nm/layer at the withdrawal speed of 50 mm/minute. Optical transmittance and electrical resistivity of the 400 nm-thick ATO thin film which was annealed under nitrogen atmosphere were 84% and $5.0\times 10^{-3}\Omega \textrm{cm}$, respectively. It was found that the $SiO_2$ layer inhibited Na ion diffusion and the formation of impurities like $Na_2SnO_3$ or SnO while increasing Sb ion concentration and higher ratio of $Sb^{5+}/Sb^{3+}$in the film. Annealing at nitrogen atmosphere leads to the reduction of $Sn^{4+}$ as well as $Sb^{5+}$ resulting in decrease of the electrical resistivity of the film.
Boron Phosphide films were deposited on the glass substrate at low temperature, 550$^{\circ}C$, by the reaction of B$_2$H$\sub$6/ with PH$_3$ using CVD. N$_2$ was employed as carrier gas. The deposition rate was 1000${\AA}$/min and the refractive index of film was 2.6. The data of XRD show that the film has the preferred orientation of (1 0 1). The VIS spectrophotometer's data proved that the films are transparent in the visible range. Also, we performed AFM, FT-IR measurement. To investigate the annealing effect, the samples were annealed for 1hour, 3hours at 550$^{\circ}C$ and tested.
Kim, Joo-Won;Han, Sang-Hyuk;Kim, Young-Jin;Chung, Sung-Mook
한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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2004.08a
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pp.657-659
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2004
Trivalent cerium ($Ce^{3+}$) activated yttrium aluminum garnet ($Y_3Al_5O_{12}$, YAG) phosphor thin films were deposited on quartz glass substrates by rf magnetron sputtering. The effects of sputtering parameters and annealing condition on the luminescent properties were investigated. The sputtering parameters were $O_2$/Ar gas ratio, rf power, and deposition time. The films were annealed at 1200 $^{\circ}C$ for 5 hours in $N_2+$vacuum atmosphere. Polycrystalline YAG:Ce thin film phosphor could be obtained with a gas ratio of $O_2$/(Ar+$O_2$)=0.5 after post-annealing. PL spectra excited at 450 nm showed a yellow single band at 550 nm.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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