• 전기전자학회논문지
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• 제27권4호
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• pp.630-635
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• 2023

SiC는 고온, 고전압을 비롯한 악조건에서의 내성이 기존 산업분야의 대다수를 점유하고 있는 Silicon에 비해 우수하여 전력반도체 분야에서 Silicon의 위치를 대체하여 가고 있다. 본 논문은 전력 반도체 소자 중 하나인 4H-SiC Planar MOSFET에 알루미늄으로 Gate를 형성하여 다결정 Si 게이트와 대비, 파라미터 값들이 일관성을 갖도록 하였으며, SiC MOSFET의 채널 도핑 농도에 변화를 주어 문턱전압과 항복전압, IV 특성을 연구하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제42회 동계 정기 학술대회 초록집
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• pp.420-420
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• 2012

ZnO seed layer were deposited on quartz substrate by sol-gel method and prism-like Al-doped ZnO nanorods (AZO nanorods) were grown on ZnO seed layer by hydrothermal method with various Al concentration ranging from 0 to 2.0 at.%. Structural and optical properties of the AZO nanorods were investigated by field-emission scanning electron microscopy (FE-SEM), X-ray diffraction (XRD), photoluminescence (PL). The diameter of the AZO nanorods was smaller than undoped ZnO nanorods and its diameter of the AZO nanorods decreased with increasing Al concentration. In XRD spectrum, it was observed that stress and full width at half maximum (FWHM) of the AZO nanorods decreased and the 'c' lattice constant increased as the Al concentration increased. From undoped ZnO nanorods, it was observed that the green-red emission peak of deep-level emission (DLE) in PL spectra. However, after Al doping, not only a broad green emission peak but also a blue emission peak of DLE were observed.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제35권10호
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• pp.2917-2921
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• 2014

Cerium-activated yttrium aluminate ($Y_3Al_5O_{12}:Ce^{3+}$) exhibiting a garnet structure has been widely utilized in the production of light emitting diodes (LEDs) as a yellow emitting phosphor. The commercialized yttrium aluminum garnet (YAG) phosphor is typically synthesized by a solid-state reaction, which produces irregular shape particles with a size of several tens of micrometers by using the top-down method. To control the shape and size of particles, which had been the primary disadvantage of top-down synthetic methods, we synthesized YAG:Ce nanoparticles with a diameter of 500 nm using a coprecipitation method under the atmospheric pressure without the use of template or special equipment. The precursor particles were formed by refluxing an aqueous solution of the nitrate salts of Y, Al, and Ce, urea, and polyvinylpyrrolidone (55 K) at $100^{\circ}C$ for 12 h. YAG:Ce nanoparticles were formed by the calcination of precursor particles at $1100^{\circ}C$ for 10 h under atmospheric conditions. The phase identification, microstructure, and photoluminescent properties of the products were evaluated by X-ray powder diffraction, scanning electron microscopy, absorption spectrum and photoluminescence analyses.

• 한국세라믹학회지
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• 제50권6호
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• pp.439-445
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• 2013

Both an unreinforced $Al_2O_3$/Al matrix and a ${\alpha}-Al_2O_3$ particulate reinforced composite have been produced by the oxidation of an Al surface doped with NaOH in the absence of any other dopant. Fabrication of the matrix was initiated by the formation of $NaAlO_2$, which provides a favorable surface structure for the matrix formation by breaking the protective $Al_2O_3$ layer on Al. During the matrix growth, the external surface of the growth front was covered with a very thin sodium-rich oxide. A cyclic formation process of the sodium-rich oxide on the growth surface was proposed for the sodium-induced directed metal oxidation process. This process involves dissolution of the sodium-rich oxide, motion of Na to the growth front, and re-formation of the oxide on the surface. Near-net-shape composites were fabricated by infiltrating an $Al_2O_3$/Al matrix into a ${\alpha}-Al_2O_3$ particulate preform, without growth barrier materials. The infiltration distance increased almost linearly in the NaOH-doped preform.

• 한국결정성장학회지
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• 제21권5호
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• pp.205-209
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• 2011

ZnO는 반도전성과 초전도성을 나타내며 광학적으로도 독특한 재료로 가스센서, 태양전지, 광학도파관 등 여러 방면에 널리 활용되고 있다. 본 논문에서는 이러한 ZnO에 Al을 첨가함에 따라 광학적 특성에 어떠한 영향을 미치는지 알아보기 위하여 ZnO에 Al 첨가량 변화에 따른 나노구조체를 제작하여 특성을 비교하였다. ZnO 용액은 PVP, ethanol, zinc acetate를 이용하여 Sol의 형태로 제작하였으며, Al첨가용액을 넣어 Al이 첨가된 ZnO Sol을 제작하였다. 제작된 Sol을 전기 방사법을 이용하여 나노구조체를 제조하였다. 제조된 섬유들을 각각 300, 500, $700^{\circ}C$로 열처리 한 후 나노 구조체를 XRD, XPS, SEM을 이용하여 분석하였다. 또한 TGA, DSC를 이용하여 온도변화에 따른 질량 및 열량의 변화를 측정하였다. UVvis를 이용하여 ZnO와 Al이 첨가된 ZnO의 흡광도를 측정 비교하였다.

• 한국결정성장학회지
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• 제28권6호
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• pp.235-242
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• 2018

$Y_2O_3$를 소결조제로 사용한 질화알루미나(AlN)에 다양한 소결조건과 MgO의 도핑이 고온전기전도도의 특성에 대해 미치는 영향에 대해 연구하였다. MgO를 도핑 하였을 때, 2차상으로 스피넬과 페로브스카이트 상이 생성되었고, 이는 전기적 특성에 영향을 끼쳤다. 고온 임피던스를 분석한 결과 MgO의 도핑은 AlN 입내의 활성화 에너지와 전기전도도의 감소를 보이는 반면에, 입계의 경우에는 활성화 에너지와 전기전도도의 증가를 보였다. 이는 저항이 높은 비정질의 액상이 입계에 형성되거나, Mg의 석출에 의하여 쇼트키 장벽이 높아졌기 때문으로 예상된다. MgO가 도핑된 AlN을 어닐링 한 경우에는 어닐링 하지 않은 경우에 비하여, 활성화 에너지와 전기전도도가 더욱 증가하는 것을 볼 수 있었다. 이러한 결과는 $1500^{\circ}C$에서 어닐링을 통하여 미세구조분석에서 보이는 바와 같이 Mg 이온이 입계에서 입내로 확산된 때문으로 예상된다.

• 한국결정성장학회지
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• 제14권6호
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• pp.277-280
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• 2004

p형 ZnO 에피 박막을 사파이어 기판의 (0001)면 상에 RF-DC magnet co-sputtering 법으로 성장시켰다. 약 120nm두께의 단결정상 박막을 성공적으로 얻어내었다. p형 ZnO를 만들기 위해서 Al 금속 타켓을 이용하여 DC 스퍼터링으로 $400^{\circ}C$와 $600^{\circ}C$에서 ZnO를 rf magnetron sputtering으로 증착하고, 동시에 Al의 doping을 행하였으며, 성장된 박막의 결정성과 광특성에 대하여 고찰하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2015년도 제49회 하계 정기학술대회 초록집
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• pp.151.2-151.2
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• 2015

본 연구에서는 indium-tin-oxide(ITO)/1,4,5,8,9,11-hexaazatriphenylene-hexacarbonitrile(HAT-CN)/N,N'-di(naphthalene-lyl)-N,N'-diphenyl-benzidine(NPB)/4,4'-Bis(N-carbazolyl)-1,1'-biphenyl(CBP)/2,2',2"-(1,3,5-Benzinetriyl)-tris(1-phenyl-1-H-benzimidazole)TPBi/tris-(8-hydroxyquinoline) aluminum($Alq_3$)/LiF/Al 구조를 가진 유기 발광 다이오드 소자의 발광층에 $Ir(ppy)_3$(2% wt)을 도핑하여 소자의 특성 변화를 살펴보았다. $Ir(ppy)_3$의 두께는 5nm이고 도핑 위치는 정공 수송층과 발광층 계면의 0nm에서부터 25nm까지 5nm간격으로 도핑을 하였다. 실험 결과 소자의 효율은 도핑 위치가 정공 수송층에서 25nm떨어진 위치일 때 가장 높았고, 10nm일 때 가장 낮았다. 이는 도핑 부분의 위치가 정공 차단층에 가까워질수록 정공과 전자의 균형이 좋아지는 것이 소자 성능을 향상시키는 원인으로 추측된다.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2004년도 Asia Display / IMID 04
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• pp.612-615
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• 2004

We present an extremely high efficient red organic light-emitting diodes (OLEDs) using a fluorescent dye 4-(dicyanomethylene)-2-tert-butyl-6-(1,1,7,7-tetramethyljulolidyl-9-enyl)-4H-pyran (DCJTB) doped into an emitting region which consists of multiple pairs of a doped and an undoped layer. An emitting region of OLEDs composes of a tris-(8-hydroxyquinolinato) aluminum (Alq3) codoped with rubrene of 5% wt. or a mixture of Alq3 and rubrene (1:1). The luminance yield of the codoped device and the mixed device are 6.5 cd/A and 9.2 cd/A at 10 mA/$cm^2$, respectively. We have considerably improved the luminance yields of red OLEDs as much as ${\sim}$90% at 10 mA/$cm^2$ compared with that of the device doped with only DCJTB. We attribute it to both the emitting assist dopant (rubrene) and the dotted-line doping structure in an emitting region of OLED.

• Applied Science and Convergence Technology
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• 제26권3호
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• pp.43-46
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• 2017

Aluminum-doped ZnO (AZO) thin films were deposited by atomic layer deposition (ALD) with respect to the Al doping concentrations. In order to explain the chemical stability and electrical properties of the AZO thin films after hydrogen peroxide ($H_2O_2$) solution immersion treatment at room temperature, we investigated correlations between the electrical resistivity and the electronic structure, such as chemical bonding state, conduction band, band edge state below conduction band, and band alignment. Al-doped at ~ 10 at % showed not only a dramatic improvement of the electrical resistivity but also excellent chemical stability, both of which are strongly associated with changes of chemical bonding states and band edge states below the conduction band.