Wafer Pre-Alignment is to find the center and the orientation of a wafer and to move the wafer to the desired position and orientation. In this paper, an area camera based pre-aligning method is presented that captures 8 wafer images regularly during 360 degrees rotation. From the images, wafer edge positions are extracted and used to estimate the wafer's center and orientation using least squares circle fitting. These data are utilized for the proper alignment of the wafer. For accurate alignments, camera calibration methods using high order polynomials are used for converting pixel coordinates into real-world coordinates. A complete pre-alignment system was constructed using mechanical and optical components and tested. Experimental results show that alignment of wafer center and orientation can be done with the standard deviation of 0.002 mm and 0.028 degree, respectively.
Generally, there are laser operating equipments( aligner, stepper) and electronic microscope( SEM, TEM) as a high precision manufacturing and inspection equipment in semiconductor production companies, precision examination and measuring laboratories. Mostly, these equipments are characterized by projection and target part. The relative displacements between projection and target part are dominant roles in vibrational problem in these precision equipments. These relative displacements are determined by the position of incoming vibration and the difference of vibration response in projection and target part. In this study, the allowable vibrational limits are suggested and the vibrational reduction plans are proposed by measurement and analysis of vibration phenomenon in the Clean Room in PDP(plasma display panel) production building. The vibration performance is evaluated by comparison relative displacements between projection and target part before/after the vibration isolation plan.
Nobari, Ali Reza;Mourgue, Stephane;Clube, Francis;Jorda, Mathieu;Iriguchi, Chiharu;Inoue, Satoshi;Grass, Elmar;Mayer, Herbert
한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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한국정보디스플레이학회 2005년도 International Meeting on Information Displayvol.I
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pp.676-678
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2005
Future Mobile displays and the emerging systems on Glass for the upcoming TFT_LCDs or Active-OLEDs based on LTPS, and the exciting c-Si critically require very-high resolution lithography. We report the methodology and latest results on the alignment, magnification control and stitching systems on a HMA500 holographic mask aligner for printing $0.5{\mu}m-resolution$ display patterns onto glass substrates of dimensions up to $500mm{\times}400mm$.
한국정보디스플레이학회 2009년도 9th International Meeting on Information Display
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pp.1118-1121
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2009
We have fabricated inverted staggered pentacene Thin Film Transistor (TFT) with 1-${\mu}m$ channel length by micro contact printing (${\mu}$-CP) method. Patterning of micro-scale source/drain electrodes without etching was successfully achieved using silver nano particle ink, Polydimethylsiloxane (PDMS) stamp and FC-150 flip chip aligner-bonder. Sheet resistance of the printed Ag nano particle films were effectively reduced by two step annealing at $180^{\circ}C$.
본 논문에서는, LSI 적층 기술을 이용한 실시간 처리 마이크로 비젼의 개발을 소개하고 있다. 새롭게 개발된 LSI 적층기술을 이용하여, 영상신호의 증폭, 변환, 연산처리등의 기본기능을 가지는 다수의 LSI 웨이퍼를 적층한다. 각 층간의 고밀도 수직배선을 통하여 대량의 영상정보를 동시에 전달하므로써, 대규모 동시 병렬처리를 가능하게 하며, 다수의 층에 걸쳐 파이프 라인 처리가 이루어진다. VLSI 설계시스템을 이용하여, 윤곽 검출기능을 가지는 테스트 칩을 설계(2 .mu.m CMOS design rule)하고, 시뮬레이션을 통하여 양호한 동작(처리시간 10 .mu.s)을 확인하고 있다. 시험제작을 위해서는, 새롭게 개발된 LSI 적층기술이 이용된다. 영상처리의 기본회로가 실려있는 웨이퍼의 기반을 30 .mu.m 의 두께까지 연마하고, 개발된 웨이퍼 aligner를 이용하여 수직배선이 형성된 상하 두 개의 웨이퍼를 미세조정하면서 접착한다. 이상의 제작과정을 반복하여 두께 1mm이하의 인공망막과 같은 마이크로 비젼을 제작한다.
High Throughput Sequencing (HTS) 기술의 발달로 인해 시퀀싱 비용이 감소함에 따라 다양한 분야에서 이를 활용한 융합 연구가 활발하게 진행되고 있다. HTS 기술에서 가장 중요한 부분은 수백만개의 short read 들을 표준유전체 (reference genome)에 정렬시키는 것인데 RNA 시퀀싱 (RNA-Seq) 의 경우 RNA splicing 으로 인해 일반적인 aligner 로 처리가 불가능하다. 복잡한 RNA-Seq 정렬 문제를 해결하기 위해 그동안 다양한 알고리즘들이 제안되어 왔다. 본 논문에서는 RNA-seq 정렬분야에서 잘 알려진 알고리즘들과 최신 알고리즘들을 살펴봄으로써 RNA-seq 정렬 알고리즘의 동향을 살펴보고자 한다.
차세대 게놈 시퀀싱(NGS) 기술이 발전하면서 방대하게 축적된 유전체 데이터를 분석하기 위해 다양한 시퀀스 정렬 연구가 진행되고 있다. 시퀀스 정렬 중 잘 알려진 BLAST에서는 휴리스틱 기반의 시퀀스 정렬을 수행하여 긴 리드 시퀀스에 대해 속도와 안정성이 보장되지만 짧은 리드 시퀀스에 대해서는 성능이 저하되는 문제가 있다. 이 문제를 해결하기 위해 본 논문에서는 레퍼런스 시퀀스와 쿼리 시퀀스를 Seed 기반으로 분리하여 정렬을 수행한다. 최종적으로는 contig를 추출하고 레퍼런스-쿼리간 유효한 contig만 선별하여 빠르게 짧은 리드 시퀀스들의 정렬을 수행할 수 있는 정렬기를 구현하고자 한다.
This paper presents a wafer pre-alignment system which is improved using the image of the entire wafer area. In the previous method, image acquisition for wafer takes about 80% of total pre-alignment time. The proposed system uses only one image of entire wafer area via a high-resolution CMOS camera, and so image acquisition accounts for nearly 1% of total process time. The larger FOV(field of view) to use the image of the entire wafer area worsen camera lens distortion. A camera calibration using high order polynomials is used for accurate lens distortion correction. And template matching is used to find a correct notch's position. The performance of the proposed system was demonstrated by experiments of wafer center alignment and notch alignment.
두부방사선규격사진은 작은 크기의 방사선원에서 방사상으로 방사선이 퍼져나감으로써 피사체의 확대와 왜곡이 불가피하다는 단점이 있다. 본 연구는 두 장의 방사선사진을 서로 직각으로 촬영한 후 방사선의 기하학적 성질을 이용하여 좌우 우각부간 폭경을 계산할 경우 실제 폭경의 산출이 가능한지 알아보고자 시행되었다. 성인 40명을 연구대상으로 하여 두부자세재현기를 이용하여 측모두부방사선사진과 정모두부방사선사진을 서로 직각으로 촬영한 후 측모사진과 정모사진에서의 확대율을 이용하여 실제 우각부 폭경을 산출한 다음 계측치 및 산출치를 3차원 CT영상에서의 계측치와 각각 비교 분석하였다. 연구결과 정모두부방사선사진에서 우각부 폭경은 작게는 7.92mm 크게는 11.31mm까지. 평균 9.10mm의 확대를 보였다. 측모 및 정모두부방사선사진을 이용하여 얻은 우각부 폭경 보정치를 3차원 CT영상에서 얻은 기준치와 비교한 결과 평균 0.14mm의 작은 오차를 보였으며 통계적으로 유의한 차이를 보이지 않아 측모 및 정모두부방사선사진 촬영 시 두부자세재현기를 이용하여 서로 직각으로 촬영할 경우 실제 우각부 폭경을 계산을 통해 산출할 수 있음을 보여주었다. 한편 이부편위량과 보정오차는 통계적으로 유의한 상관성을 보이지 않아 안면비대칭이 심한 경우에도 본 보정 방법이 유용하게 사용될 수 있음을 보여 주었다.
마스크리스 리소그래피(maskless lithography)에 응용하기 위한 마이크로렌즈 어레이(microlens array, MLA)가 석영의 습식 식각과 UV 접착제(UV adhesive)의 코팅을 바탕으로 개발되었다. 제작된 MLA의 초점거리는 ${\sim}45\;{\mu}m$ 정도였으며, 집광되는 광선의 초점은 ${\sim}1\;{\mu}m$로 측정되었다. MLA를 통과하며 초점을 맺은 빔(beam)의 크기 및 세기가 charge coupled device (CCD) 카메라와 빔 프로파일러(beam profiler)를 이용하여 각각 측정되었으며, 일정한 세기의 점들이 초점면에서 고르게 관찰되었다. 초점거리는 코팅된 UV 접착제의 두께에 따라 변화하였으며, UV 접착제의 두께가 두꺼울수록 짧아지는 경향을 보였다. 일반적인 마스크 얼라이너(mask aligner)를 이용한 MLA의 UV 포커싱(UV focusing)이 감광막(photoresist, PR) 상에서 실시되었으며, MLA를 통과한 빛이 감광막 위에 일정하게 집광되었다. 마스크 얼라이너와 MLA 사이의 거리 변화에 따라 감광막에 구현된 패턴 사이즈가 조절 되었다. 고온에서 오랜 시간이 지난 후에도 소자의 특성은 전혀 변함이 없었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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