Remote Plasma ALD법으로 제작한 $Al_2O_3$ /GaN MIS 커패시터의 전기적 특성
(Electrical properties of $Al_2O_3$ /GaN MIS capacitor deposited by Remote Plasma ALD)
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- 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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- 한국전기전자재료학회 2008년도 추계학술대회 논문집 Vol.21
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- pp.13-14
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- 2008