Trachytic rocks among the bimodal metavolcanic rocks of the Gyemyeongsan Formation and adjacent areas are investigated. Some rocks reveal very high content of iron and most rocks show very high abundances of rare earth elements and high field strength elements. Most rocks show significant Eu negative anomaly, which can be interpreted as the result of plagioclase fractionation. Lack of noticeable Nb negative anomaly indicates not-involvement of crustal material in their generation, which excludes the arc environment or remelting of continental crust from their genetic process. Metatrachytes of the Gymyeongsan Formation are plotted within the within-plate environment of the tectonic discrimination diagram utilizing immobile high field strength element Nb and Y. They also show typical characteristics of A-type magma, such as high Ga content. Considering their affinity to Al-type of Eby (1992) and their age of 750 Ma (Lee et al., 1998), they seem to have been produced by the differentiation of mantle-derived within-plate magmatism at the rift, related with the separation of Neoproterozoic supercontinent Rodinia. Possible connection of Gyemyeongsan and Munjuri Formations of the Okcheon metamorphic belt, at least part of them, to the Cathaysia block of South China during the Neoproterozoic is strongly suggested.
The single crystalline thick films of Y$_3$Fe$\sub$5/O$\sub$12/(YIG), Y$_3$Fe$\sub$5/O$\sub$12/(Bi:YIG), (TbBi)$_3$(FeAlGa)$\sub$5/O$\sub$12/ (TbBi:YIG) were grown on (GdCa)$_3$(GaMgZr)$\sub$5/O$\sub$12/ (SGGG) by Liquid Phase Epitaxy (LPE). The change of lattice mismatch, Bi concentration, characteristic of magnetic and surface morphology were investigated in the thick film growth as a function of species and amount of chemical element, while substrate rotation speed, supercooling and growth time were kept constant. It was observed that the lattice constant of garnet single crystalline thick films of TbBi:YIG (12.500 ${\AA}$) is closed to the one of the substrate (12.496 ${\AA}$). Besides magnetic field of saturation exhibits excellent results (150 Oe).
Luo, Hongmei;Wang, Haiyan;Zou, Guifu;Bauer, Eve;Mccleskey, Thomas M.;Burrell, Anthony K.;Jia, Quanxi
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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v.11
no.2
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pp.54-60
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2010
Polymer-assisted deposition is a chemical solution route to high quality thin films. In this process, the polymer controls the viscosity and binds metal ions, resulting in a homogeneous distribution of metal precursors in the solution and the formation of crack-free and uniform films after thermal treatment. We review our recent effort to epitaxially grow metal-nitride thin films, such as hexagonal GaN, cubic TiN, AlN, NbN, and VN, mixed-nitride $Ti_{1-x}Al_xN$, ternary nitrides tetragonal $SrTiN_2$, $BaZrN_2$, and $BaHfN_2$, hexagonal $FeMoN_2$, and nanocomposite TiN-$BaZrN_2$.
ZnO thin films are of considerable interest because they can be customized by various coating technologies to have high electrical conductivity and high visible light transmittance. Therefore, ZnO thin films can be applied to various optoelectronic device applications such as transparent conducting thin films, solar cells and displays. In this study, ZnO rod and thin films are fabricated using aqueous chemical bath deposition (CBD), which is a low-cost method at low temperatures, and environmentally friendly. To investigate the structural, electrical and optical properties of ZnO for the presence of citrate ion, which can significantly affect crystal form of ZnO, various amounts of the citrate ion are added to the aqueous CBD ZnO reaction bath. As a result, ZnO crystals show a nanorod form without citrate, but a continuous thin film when citrate is above a certain concentration. In addition, as the citrate concentration increases, the electrical conductivity of the ZnO thin films increases, and is almost unchanged above a certain citrate concentration. Cu(In,Ga)Se2 (CIGS) solar cell substrates are used to evaluate whether aqueous CBD ZnO thin films can be applicable to real devices. The performance of aqueous CBD ZnO thin films shows performance similar to that of a sputter-deposited ZnO:Al thin film as top transparent electrodes of CIGS solar cells.
Elemental mobility during the weathering of granite in the Gwangju Hyangdeung area was investigated using ICP-MS analysis. It appeared that Al, Fe, Ti, K were lost from the profile, whereas Si, Ca, Na Mg, P and Mn were immobile during chemical weathering. In less weathered soil, large enrichment of K and Ti were found relative to Al, whereas other elements such as Si, Ca, Na, Mg and P are deplete. Fe content is constant throughout the weathered profiles. Amounts of Rb, Sr, Y, Cs, Pb, Th and U increased toward the surface. Nb, and Co have accumulated in the deepest parts of the weathered soil profile. These results agree with similar published studies. In addition, the analytical data shows that Ba and Ga increased, while Cu, Zn, Cr and Ni were relatively constant in this area. REE tend to increase in most samples, while LREEs, relative to Al, were enriched in the lower and upper saprolite. HREEs were enriched in the lower and upper saprolite.
To investigate the effect of low level laser therapy, the author selected 37 dental students with tender points in both masseters and trapeziuses, also measured maximum comportable opening(MCO), Numerical analog scale(NAS) and pressure pain threshold (PPT). 20 subjects were assigned randomly and were treated with GaAlAs diode laser after ultrasound. The other 17 subjects were treated with ultrasound and laser without irradiation. All the subjects were treated after 2 and 4 day respectively and were examined again after 6 days. And the obtained results were as follows : 1. The MCO of irradiated group increased more significantly after treatment than non-irradiated group. 2. The NAS of irradiated group decreased more significantly after treatment than non-irradiated group. 3. The PPT or irradiated group increased more significantly after treatment than non-irradiated group.
In order to investigate the biostimulatory effect of low power density laser radiation in vitro, human gingival fibroblasts were cultured in MEM in which experiment groups respectively were made to 30 sec, 60 sec and 90 sec group. The experiments were performed by cell count, DNA and protein content measurements after experimental groups were irradiated with GaAlAs laser every day by forth day and then control group and experimental groups were compared. The results were as follows: 1. Cell counts of experimental groups were increased with exposure time, but showed no significance (P>0.05). 2. When the protein contents were compared, there was a very significant increase in 90 sec. experimental group (P<0.01). 3. When the DNA contents were compared, there was a significant difference only between control and 70 sec. group (P<0.05).
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2010.06a
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pp.165-165
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2010
AZO:H films were prepared by RF magnetron sputtering system with a AZO (2wt% $Al_2O_3$) ceramic target at a temperature of $150^{\circ}C$. The annealing treatments were carried out in hydrogen ambient for 1hr at a temperature of $400^{\circ}C$. The AZO:H films were etched with 1 % HCl. The influence of the properties of AZO:H films deposited in various working pressures is investigated. As a result, the AZO:H film deposited in 4mTorr showed excellent electrical property of $\rho=5.036{\times}10^{-4}{\Omega}cm$ and strongly oriented (002) peak. The transmittance in the wavelength of 450nm was above 80%. It can be used as front electrode for increasing efficiency of GaN LED.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2014.02a
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pp.99-99
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2014
Transparent oxide semiconductors (TOSs) are. currently attracting attention for application to transparent electrodes in optoelectronic devices and active channel layers in thin-film transistors. One of the key issues for the realization of next generation transparent electronic devices such as transparent complementary metal-oxide-semiconductor thin-film transistors (CMOS TFTs), transparent wall light, sensors, and transparent solar cell is to develop p-type TOSs. In this talks, I will introduce issues and status related to p-type TOSs such as LnCuOQ (Ln=lanthanide, Q=S, Se), $SrCu_2O_2$, $CuMO_2$ (M=Al, Ga, Cr, In), ZnO, $Cu_2O$ and SnO. The growth and properties of SnO and Cu-based oxides and their application to electronic devices will be discussed.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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