• Proceedings of the KIEE Conference
• /
• 2002.07c
• /
• pp.1476-1478
• /
• 2002

In recent years, the tantalum nitride(TaN) thin-film has been developed for the electronic resistor, inductor and capacitor. In this papers, this study presents the surface profile and sheet-resistance property relationship of reactive-sputtered TaN thin film resistor processed by TaN(tantalum nitride) on alumina substrate. The TCR properties of the TaN films were discussed in terms of crystallization and thin films surface morphology due to annealing temperature. It is clear that the TaN thin-films resistor electrical properties are low TCR related with it's annealing temperature and ambient annealing condition. Respectively, at $300{\sim}400^{\circ}C$ on vacuum and nitrogen annealed thin film resistor having a goof thermal stability and lower TCR properties then as deposited thin films expected for the application to the dielectric material of passive component.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 2012.02a
• /
• pp.247-247
• /
• 2012

기존형광등보다 에너지소비가 적고, 수명이 길다는 장점을 가진 LED소자는 조명분야뿐만 아니라 선박 및 해양플랜트시장에까지 적용분야가 확대되고 있다. 그러나 LED소자의 수명연장 및 제품신뢰성을 위해서 방열에 관한 연구가 필수적이며 특히, 해양환경적용을 위해서는 내부식성을 요구하는 방열 재료개발에 대한 연구가 필요하다. 일반적으로 방열판소재로 사용되는 알루미늄의 경우 열전도도가 우수하며, 대기 중에서 쉽게 생기는 자연산화막보다 내부식특성을 향상시키기 위해 현재 국내 외의 표면처리 방법으로 전기화학적 방법을 이용한 Anodizing기술을 적용하고 있다. 하지만, Anodizing에 사용되는 질산과 황산액을 처리하는 과정에서 유독물질을 발생시킴으로 유해물질사용제한 등 국제적으로 환경규제가 강화되고 있어 Anodizing기술의 적용이 제한적인 단점이 있다. 본 연구에서는 친환경적 기술인 Plasma Immersion Ion Implantation (PIII)방식을 사용하여 알루미늄표면에 $Al_2O_3$을 형성하였다. 최적의 산화막증착 조건을 찾기 위해 Gas Flow양, Pulse Voltage, 공정온도, 시간 등을 변수로 실험을 진행하였다. SIMS (Secondary ion mass spectroscopy)를 통해 $Al_2O_3$ 박막두께 및 Oxygen의 정량분석을 하였으며, Anodizing처리된 알루미늄시편과 열전도특성과 내부식특성을 비교하기 위해 각각 Hot Disk 열전도율측정기와 Salt water tester chamber를 사용하였다.

• Proceedings of the KIEE Conference
• /
• 1997.07d
• /
• pp.1485-1487
• /
• 1997

Platinum-Cobalt alloy thin films were deposited on $Al_2O_3$ substrates by co sputtering for RTD temperature sensors. We made Pt-Co alloy resistance patterns on $Al_2O_3$ substrate by lift-off method and investigated the physical and electrical characteristics of these films under sputtering conditions (; the input power, working vacuum), annealing conditions (; temperature, time) and also after annealing these films. After the annealing treatment at $800^{\circ}C$ for 60min, the resistivity and sheet resistivity of Pt-Co thin films was $0.0302{\mu}{\Omega}{\cdot}cm$ and $0.1{\Omega}/{\square}$, respectively, and the TCR value of Pt-Co RTD was $3600ppm/^{\circ}C$ in the temperature range of $25{\sim}400^{\circ}C$. These results indicate that Pt-Co thin films have potential for the excellent RTD temperature sensors.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 2016.02a
• /
• pp.371.1-371.1
• /
• 2016

다양한 물질계의 2차원 나노구조는 그래핀과 함께 그 고유특성으로 최근 광전소자, 전자소자, 센서, 에너지 생성 및 저장과 수소에너지 생성 등의 응용으로 매우 많은 관심을 받고 있다. 특히 층상이중수산화물 (layered-double hydroxide; LDH) 2차원 나노구조는 생성의 용이성과 층상 내 금속 이온의 교환을 통한 특성의 자유로운 제어가 가능하므로 많은 관심을 받고 있다. 층상이중수산화물 화합물은 [Zn(1-x) MIII(x)(OH)2][$An-x/n{\cdot}mH2O$] (MIII = Al, Cr, Ga; An- = CO32-, Cl-, NO3-, CH3COO-) 구조로써, Brucite-type 구조 내에서 3가 양이온의 상태에 따라서 다양한 특성을 제어할 수 있는 장점이 있다. 이러한 장점으로 인해 층상이중수산화물 화합물은 촉매나, 에너지 저장, 음이온 교환 및 흡착, 화학적 촉매, 바이오 소자 등에 응용이 연구되고 있으며, 다양한 금속 산화물을 제조하기 위한 중간자 precursor로써도 연구되고 있다. 하지만, 이러한 대부분의 연구들을 통한 결과물들이 분말 및 수용액 상태로 남게 되며, 이러한 화합물의 특성을 제어하기 어려운 문제점이 있다. 더욱이 이러한 나노구조물들을 다양한 소자로 응용하기 위해서는 상용의 실리콘이나 glass 등의 기판형태의 물질상에 성장시킬 수 있어야 하며, 그러한 기판 위에서의 형상 및 특성 제어가 용이해야 한다. 따라서 본 연구에서는 실리콘 기판을 적용한 Zn기반의 층상이중 수산화물 화합물을 성장하고, 하부물질의 조성제어를 통한 층상이중수산화물 화합물의 형상제어가 가능한 기술에 관한 연구를 보고하고자 한다. 이를 위한 하부물질의 조성은 Zn와 Al을 통해 이루어지며, 기형성된 Al2O3박막을 핵형성층으로 활용한다. 이러한 방법으로 형성된 층상이중수산화물 화합물에 대해 이차전자주사현미경, 투과전자현미경 및 X-ray회절기법을 통해 구조분석을 하고, Raman 및 광발광스펙트럼 분석을 통해 광학적 분석을 시행함으로써, 층상이중수산화물이 기판상에서 형성되는 메커니즘에 관한 규명을 시행하였다. 이러한 분석연구를 통해 핵형성층의 에칭 따라 실리콘 기판상에서 성장하는 층상이 중수산화물 화합물의 형상 및 조성이 제어되는 메커니즘을 구명하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 2011.02a
• /
• pp.355-355
• /
• 2011

최근 석유 자원의 고갈로 인하여 요구되는 대체 에너지 개발의 필요성이 대두되고 있다. 그 중 태양에너지는 지구의 생명체가 살아가는 에너지의 근원으로서 매초 800~1000 W에 달하는 에너지양으로 볼 때 태양은 인류가 가장 풍부하게 활용할 수 있는 에너지원이다. 태양에너지를 이용한 염료감응형 태양전지(Dye-Sensitized Solar Cells, DSSCs)는 제조원가를 낮출 수 있고, 유리 전극을 이용한 투명한 태양전지를 제조할 수 있어 건물의 유리창등으로 응용할 수 있는 장점이있다. 이러한 태양전지의 에너지 변환 효율을 증가시키기 위한 방법으로 흡착된 염료에서 발생되는 광전자가 전해질의 산화, 환원되는 요오드 이온(I-/I3-)과의 재결합(recombination)현상으로 인해 광전변환효율이 떨어지는 현상이 발생한다. 이에 본 연구는 TiO2 전극 위에 높은 밴드 갭(band-gap)을 가지는 Al2O3 박막을 TriMethylAluminium(TMA) 전구체를 이용한 Atomic Layer Deposition(ALD) 공정을 사용하여 증착, 재결합 방지 효과에 대한 연구를 진행하였다.

• Korean Journal of Materials Research
• /
• v.15 no.7
• /
• pp.486-490
• /
• 2005

Thin films of tungsten oxide and nickel oxide were deposited on $Al_2O_3/Si-substrate$ by high vacuum thermal evaporation. The properties of microstructure and crystallinity were analyzed by SEM and XRD respectively. $WO_3$ films without addition of NiO showed polycrystalline structure after annealing at $500^{\circ}C$ for SO min. There were the cracks between the polycrystalline grains and the crack width was increased with the thickness of $WO_3$ films. The cracks in the $WO_3$ films could be controlled by an optimum deposition of NiO on $WO_3$ films and either less or more than the optimum addition fails to suppress the cracks. A process mechanism to suppress the crack has been discussed.

• The Transactions of The Korean Institute of Electrical Engineers
• /
• v.62 no.7
• /
• pp.974-979
• /
• 2013

$TiO_2$ thin films are fabricated using R.F.sputtering method. $TiO_2$ thin films are coated on $Al_2O_3$ substrate printed IDE(interdigitated electrode). Impedance of thin films decreases according to increase relative humidity and it increases according to decrease measuring frequency. When substrate temperature is room temperature, impedance of thin films is from 45.68[MHz] to 37.76[MHz] within the limits from 30[%RH] to 75[%RH] at 1[kHz]. Whereas when substrate temperature is 100[$^{\circ}C$], impedance of thin films is from 692[kHz] to 539[kHz] within the limits from 30[%RH] to 75[%RH] at 1[kHz]. Impedance variation of thin films is bigger in low frequency regions than in high frequency regions. When substrate temperature is 100[$^{\circ}C$], impedance of thin films is lower than that of room temperature.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
• /
• 2006.06a
• /
• pp.436-437
• /
• 2006

In this work, impedance Spectroscopic analysis was applied to study the effect of plasma treatment on the surface of indum-tin oxide (ITO) anodes using $O_2$ gas and to model the equivalent circuit for organic light emitting diodes (OLEDs) with the $O_2$ plasma treatment of ITO surface at the anodes. This device with ITO/TPD/Alq3/LiF/Al structure can be modeled as a simple combination of a resistor and a capacitor. The $O_2$ plasma treatment on the surface of ITO shifts the vacuum level of the ITO as a result of which the barrier height for hole injection at the ITO/organic interface is reduced. The impedance spectroscopy measurement of the devices with the $O_2$ plasma treatment on the surface of ITO anodes shows change of values in parallel resistance ($R_p$) and parallel capacitance ($C_p$).

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 2012.02a
• /
• pp.163-163
• /
• 2012

차세대 모바일용 전자디스플레이로 각광받고 있는 FOLED (flexible organic light emitting display)의 연구에서 display의 신뢰성과 수명은 매우 중요한 연구 테마이다. OLED의 수명단축에 영향을 미치는 요소는 수분에 의한 열화가 가장 치명적이다. Barrier layer를 통한 수분의 주요 침투경로는 pin-hole과 void 등과 같은 defect에 의한 것으로 보인다. 수분의 침투 경로를 제어하는 OLED용 barrier layer의 요구조건은 WVTR (water vapor transmission rate)이 $10^{-6}g/m^2{\cdot}day$ 이하로 낮아야 한다. Barrier layer가 가져야 할 핵심적인 조건은 유연성을 가지면서 동시에 WVTR 값이 매우 낮아야 하는데, 아직까지 이를 만족하는 barrier layer의 개발은 아직 덜된 실정이다. 본 연구에서는 PET (polyethylene terephthalate) 기판에 sputtering법으로 barrier layer를 제조하였다. 증착에 이용한 타겟은 두가지 종류인 Al과 $Al_2O_3$를 사용하였으며, 다층박막으로 제조하였다. 제조된 barrier layer의 수분침투 특성은 WVTR의 측정으로, 유연성의 평가는 in-situ fatigue test를 수행하여 측정하였다. 종합적인 특성 평가를 위하여 SEM과 AFM (atomic force microscope) 관찰도 하였다.

• Korean Journal of Materials Research
• /
• v.20 no.12
• /
• pp.629-635
• /
• 2010

Abstract In this study characteristics of Al-doped ZnO thin film by HIPIMS (High power impulse sputtering) are discussed. Deposition speed of HIPIMS with conventional balanced magnetic field is measured at about 3 nm/min, which is 30% of that of conventional RF sputtering process with the same working pressure. To generate additional magnetic flux and increase sputtering speed, electromagnetic coil is mounted at the back side of target. Under unbalanced magnetic flux from electromagnet with 1.5A coil current, deposition speed of AZO thin film is increased from 3 nm/min to 4.4 nm/min. This new value originates from the decline of particles near target surface due to the local magnetic flux going toward substrate from electromagnet. AZO film sputtered by HIPIMS process shows very smooth and dense film surface for which surface roughness is measured from 0.4 nm to 1 nm. There are no voids or defects in morphology of AZO films with varying of magnetic field. When coil current is increased from 0A to 1A, transmittance of AZO thin film decreases from 80% to 77%. Specific resistance is measured at about $2.9{\times}10-2\Omega{\cdot}cm$. AZO film shows C-axis oriented structure and its grain size is calculated at about 5.3 nm, which is lower than grain size in conventional sputtering.