• The Transactions of The Korean Institute of Electrical Engineers
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• v.56 no.10
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• pp.1782-1785
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• 2007

In this paper, the effect of substrate temperature on structural, electrical and optical properties of aluminium-doped zinc oxide (AZO) films were investigated. AZO thin films were prepared on glass substrate by pulsed DC magnetron sputtering technique. The properties of AZO were measured by using XRD, AFM, UV spectrophotometer, and hall effect measurement system. The resistivity of AZO films was improved under the condition of high substrate temperature. The resistivity decreased from $9.95{\times}10^{-2}\;{\Omega}-cm\;to\;1.1{\times}10^{-3}\;{\Omega}-cm$ as a result of high substrate temperature and the average transmittances in visible range were above 80%.

• Journal of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
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• v.24 no.4
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• pp.66-72
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• 2010

In this paper, AZO thin film was deposited on polyethylene terephthalate(PET) substrate by r. f. magnetron sputtering method from a ZnO target mixed with 2[wt%] Al2O3. The flexible film-typed dye sensitized solar cell(F-DSC) was fabricated and photo-electric conversion efficiency was investigated. The results showed that the minimum resistivity and the maximum deposition rate of AZO conducting film were recorded as $1.8{\times}10^{-3}[{\Omega}{\cdot}cm]$ and 25.5[nm/min], respectively at r.f. power of 220[W]. From the analysis of XPS data an improvement of electrical resistivity or an increase in carrier concentration with increasing sputtering power may be related to the generation of lattice imperfections as a result of increasing component ratio of O1s/Zn2p, which generates donor carriers or active growth of crystalline grain. The photo-electric conversion efficiency of F-DSC with AZO conducting electrode was over 2.79[%], which was comparable as that with commercially available ITO electrode.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.02a
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• pp.69-69
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• 2011

다이아몬드는 절연 물질이지만, 합성 다이아몬드를 생성할 때 결정 내에 도핑(doping) 과정을 통해 불순물을 혼입함으로써 반도체 성질을 가지게 된다. 본 연구에서는 마이크로웨이브 CVD 장치를 이용하여 다이아몬드 박막의 생성 조건을 최적화하고 여기에 다이아몬드 박막 생성시 디보란(Diborane, B2H6)을 주입하여 전기적 특성을 갖는 보론-도핑 된 다이아몬드 박막을 생성하였다. 실험 조건으로는 방전전력 1.4 Kw, 진공압력 40 Torr의 상태에서 디보란의 주입량을 각각 다르게 하여 실험을 진행하였다. 이 때 사용된 기판으로는 전기적 특성이 서로 다른 사파이어($Al_2O_3$), Si, Ti 기판을 사용하여 박막과 기판과의 연관성도 조사하였다. 각각의 보론-도핑 농도와 기판에 따른 다이아몬드 결정구조를 Micro Raman, SEM으로 분석하였고, 다이아몬드 박막의 I-V특성을 통해 다이아몬드의 전기적 특성을 조사하였다.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.15 no.2
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• pp.173-179
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• 2006

We have investigated structural and electrical properties of $PbZr_{0.3}Ti_{0.7}O_{3}$ (PZT) thin films deposited by pulsed laser deposition methods. PZT thin films have been deposited on $LaMnO_3$ (LMO) bottom electrodes with $LaAlO_3$ (LAO) substrates during different deposition times. High-resolution x-ray diffraction data have shown that all the PZT films and bottom electrodes are highly oriented. The thickness of each film is determined by field-emission scanning electron microscope. We have also observed root mean square roughness by using atomic force microscopy mode, and local polarization distribution and retention behavior of a ferroelectric domain by using piezoelectric force microscopy mode. A PZT/LMO structure has shown good ferroelectric and retention properties as the media for nano-storage devices.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2000.02a
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• pp.30-30
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• 2000

당사는 각종 진공 장비를 개발/제작한 경험을 바탕으로 25년 동안 진공 산업 발전에 기여하여 왔으며 자체 기술로 HIGH VACUUM 응용시스템 설계 및 제작하고 있다. 이와 함께 3D CAD를 이용한 consulting 및 Modeling 분석을 수행하여, 자체 기술로 설계 및 제작 판매하고 있다. Vacuum System은 In-line System (ITO, SiO2, Cr Tio2, Ag, Al 등), Roll to Roll(Web) Sputtering system (ITO, SiO2, Ar, Metal 등), 유기 EL 박막 진공 증착 장치, PECVD System, Evaporator 시스템 등을 제작 공급하고 있다. 현재 Roll to Roll(Web) Sputtering System은 Dual Cathode를 사용하는 방식으로 개발중에 있으며, 평판 디스플레이용 대면적 Glass를 위한 In-line Sputtering System을 같이 개발하고 있다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 1999.07a
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• pp.111-111
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• 1999

반도체 소자의 고집적화 및 고속화에 따라 다층 금속배선에서의 RC 지연이 전체 지연의 주된 요소로 되고 있다. 이런 RC 진연을 줄이기 위해서 현재 다층 금속배선의 층간 절연막으로 사용하고 있는 SiO2 박막(k~3.9)을 보다 낮은 유전상수(low-k)를 가지는 물질로 대체할 것이 요구된다. 층간 절연막으로서 가져야 할 가장 중요한 것은 낮은 유전상수와 높은 열적안정성($\geq$45$0^{\circ}C$)이다. 본 연구에서는 Toluene을 precursor로 사용한 PECVD방법으로 low-k 유사중합체 유기박막을 성장시켰으며 부동한 온도에서 성장된 박막의 특성을 비교하여 증착온도가 박막의 특성에 미치는 영향에 대하여 조사하였다. 유사중합체 유기박막은 platinum(Pt)기판과 silicon 기판위에 같이 증착되었다. Precursor는 4$0^{\circ}C$로 유지된 bubbler에 담겨지고 증발된 precursor molecules는 Argon(Ar:99.999%) carrier 가스에 의해 process reactor 내부로 유입된다. Plasma는 RF(13.56MHz generator로 연결된 susceptor 주위에 발생시켰다. Silicon 기판위에 증착한 시편으로 Fourier transform infrared (FTIR) spectra 및 열적 안정성을 측정하였고, Pt 기판위에 증착한 시편으로 Al/유기박막/Pt 구조의 capacitor를 만들어 열적안정성을 측정하였고, Pt 기판위에 증착한 시편으로는 Al/유기박막/Pt 구조의 capacitor를 만들어 K값 및 절연성을 측정하였다. Capacitance는 1MHz 주파수에서 측정하였다. 열적안정성은 30분동안 Ar 분위기에서 annealing하기 전후의 증착막의 두께의 변화를 측정함으로써 조사하였으며 유기박막의 두께는 surface profilometer로 측정하였다. 증착온도가 45$^{\circ}C$에서 15$0^{\circ}C$, 25$0^{\circ}C$로 높아짐에 따라 k값은 높아졌지만 대신 열적안정성은 좋아졌다. plasma power 30W인 경우 45$^{\circ}C$에서 증착했을 때 유전상수는 2.80으로 낮았지만 40$0^{\circ}C$에서 30분 동안 열처리한 후 두께가 49% 감소하였다. 그러나 25$0^{\circ}C$에서 증착했을 때 유전상수는 3.10으로 좀 높아졌지만 열적으로는 40$0^{\circ}C$까지 안정하였으며 45$0^{\circ}C$에서도 두께의 감소는 8%에 불과했다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 1999.07a
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• pp.142-142
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• 1999

열역학적 평형하에서 금(Au)은 사파이어(Sapphire: 다결정 Al203)와 반응을 하지 않으므로 접합성이 약하나 사파이어표면을 Ar 이온으로 에칭한후 금박막을 증착하였을 때 후 열처리 없이도 대단히 강한 접합(>70MPa)이 얻어졌다. 접합기구를 규명하기 위해 고 해상도 Auger 전자광분광기로 금/사파이어 쌍의 입계에 Ai-Al-O 화합물이 1-2 원자층 범위내에서 형성되어 있고 7KeV의 Ar 이온에너지로 3분간 조사하을 때 사파이어표면에 환원으로 인한 금속알루미늄이 형성되어 있음이 발견되었다. 이 이온조사로 인한 환원은 선택적 에칭으로 인한 것으로 TRIM 계산결과와도 일치하는 것이다. 따라서 금박막과 이온조사된 사파이어 사이의 강한 접합은 이온조사로 인한 사파이어 표면에 충돌할 때의 운동 에너지가 구동력이 되어 Au-Al-O 화합물의 형성으로 결론될 수 있다.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.13 no.8
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• pp.497-502
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• 2003

Crystallographic characteristics and interfacial structures of $Al_2$$O_3$and $ZrO_2$dielectric films prepared by atomic layer chemical vapor deposition (ALCVD) were investigated at atomic scale by high-resolution transmission electron microscopy (HRTEM) and energy dispersive X-ray spectroscopy (EDS)/electron energy-loss spectroscopy (EELS) coupled with a field-emission transmission electron microscope. The results obtained from cross-sectional and plan-view specimens showed that the $Al_2$$O_3$film was crystallized by annealing at a high temperature and its crystal system might be evaluated as either cubic or tetragonal phase. Whereas the $ZrO_2$film crystallized during deposition at a low temperature of ∼$300^{\circ}C$ was composed of both tetragonal and monoclinic phase. The interfacial thickness in both films was increased with the increased annealing temperature. Further, the interfacial structures of X$ZrO_2$$O_3$and $ZrO_2$films were discussed through analyses of EDS elemental maps and EELS spectra obtained from the annealed films, respectively.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.02a
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• pp.417-417
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• 2012

나노복합체를 이용하여 제작한 유기 쌍안정성 형태의 비휘발성 메모리 소자는 간단한 공정과 플렉서블 기기에 응용 가능성 때문에 많은 연구가 진행되고 있다. 나노복합체를 사용하여 제작한 비휘발성 메모리 소자의 전기적 성질에 대한 연구는 많이 진행되었으나, Scale-dwon 효과를 고려한 연구가 미흡하다. 본 연구에서는 polyestrene (PS) 박막 층 내부에 분산된 InP 나노입자를 사용한 메모리 소자를 제작하여 전기적 특성을 관찰하였다. InP 나노입자를 PS와 용매인 octadecene에 용해한 후에 초음파 교반기를 사용하여 두 물질을 고르게 섞었다. 고도핑된 Si 기판위에 100 nm 두께의 $SiO_2$ 위에 InP 나노입자와 PS가 섞인 용액을 스핀 코팅한 후, 열을 가해 용매를 제거하여 InP 나노입자가 PS에 분산되어 있는 나노복합체 박막을 형성하였다. 형성된 나노복합체 박막 위에 상부 전극으로 Al을 열증착하여 비휘발성 메모리 소자를 제작하였다. 제작된 메모리 소자는 Al 전극을 마스크를 사용하여 플라즈마 에싱 장비로 에칭을 하였다. 에칭된 소자와 에칭하지 않은 소자의 정전용량-전압 특성을 측정하였다. Flat band 이동은 에칭된 소자가 0.3 V이며 에칭하지 않은 소자는 1.3 V이다. 실험 결과는 에칭을 통해 전기장에 영향 받는 영역이 작아지므로 flat band 이동이 줄어들었다. 에칭방법을 통한 scale-down 효과로 정전용량이 줄어드는 것을 알 수 있었다.

• Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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• v.32 no.2
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• pp.147-150
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• 2019

There is a need for the development of transparent conductive materials that are economical and environmentally friendly with exhibit low resistivity and high transmittance in the visible spectrum. In this study, the deposition rate and uniformity of Al-doped ZnO-thin films were improved by changing the Z-motion of the sputtering system. The deposition rate and the uniformity were determined to be 3.44 nm/min and 1.23%, respectively, under the 10 mm Z-motion condition. During $O_2$ plasma treatment, the intrusion-type metal elements in the thin film were reduced, which contributed to an oxygen vacancy reduction in addition to structural stabilization. Moreover, the sheet resistance was more easily saturated.