$Al_2O_3$ 게이트 절연막을 이용한 공핍형 p-채널 GaAs MOSFET의 제조
(Fabrication of a depletion mode p-channel GaAs MOSFET using $Al_2O_3$ gate insulator)
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- 센서학회지
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- 제8권5호
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- pp.421-426
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- 1999