In this paper, effective thermal conductivities of water-based Al203-nanofluids with low concentration from 0.01 vol. % to 0.3 vol. % are experimentally obtained by transient hot wire method (THWM). The water-based Al203-nanofluids are manufactured by two-step method which is widely used. To examine suspension and dispersion characteristics of the water-based A1203-nanofluids, Zeta potential as well as transmission electron micrograph (TEM) is observed. We confirm the manufactured Al203-nanofluids have good suspension and dispersion. The effective thermal conductivities of the water-based Al203-nanofluids with low concentration are enhanced up to 1.64% compared with that of DI water at $21^{\circ}C$. In addition, experimental results are compared with theoretical results from Jang and Choi model.
In this study the formation mechanism of AlN synthesized by SHS(Self-propagating high-temperature Syn-thesis) was studied in order to obtain uniform AlN powder size and morphology. Based on the morphology of AlN synthesized and the calculation of the temperature of Al powder as a function AlN layer thickness the formation mechanism of AlN was proposed.
Several oxide (ZrO2, Al2TiO5, reactive Al2O3) and nonoxide (SiC, Si3N4, "ALON" (5AlN.9Al2O3)) additives were used as a microfiller for alumina based LCC (Low-Cement-Castable). High temperature prooperties (HMOR, softening under load) and the phase changes of developed LCC on various sintering temperatures were examined. In addition, thermal shock test and corrosion test were accomplished. Based on these data the effects of each microfiller on the properties of LCC were established comparing to those of the commercial LCC with amorphous silica as a microfiller. The castables, containing reactive alumina, ZrO2 and "ALON" (5AlN.9Al2O3) as a first portion, exhibited considerably higher HMOR-values over 100$0^{\circ}C$, better creep behavior, and thermal shock resistance than those of castables with amorphous silica. The LCC with 5% Al2TiO5 showed no corrosion against molten aluminum.nst molten aluminum.
Park, Y.;Lee, J.;Kim, D.Y.;Chu, H.Y.;Lee, H.;Do, L.M.;Zyung, T.
한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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한국정보디스플레이학회 2002년도 International Meeting on Information Display
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pp.105-107
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2002
The device characteristics and the interface electronic structures of organic light-emitting devices based on tris-(8-hydroxyquinoline)aluminum were investigated with $Al/CaF_2$, Al/LiF, and Al-only cathodes. Similar to the Al/LiF cathode, the $Al/CaF_2$ cathode greatly improved the performance of the device over Al-only cathode. However, a photoelectron spectroscopy study revealed that despite the performance improvement, the evolution of the new peaks during $Al/CaF_2$ cathode formation closely resembled those of the Al-only cathode rather than the Al/LiF cathode.
지식기반의 패스워드 인증방식이 대중적으로 사용되었으나, 사전공격과 같은 근본적인 문제를 해결하지 못한다. 이에따라 소유기반의 인증기술에 대한 연구가 필요해졌다. 2002년 Lee et al.은 지식기반정보(패스워드)와 소유기반정보(smartcard)를 이용한 사용자 원격 인증기법을 제안하였으며, 그 이후로 스마트카드를 이용한 원격 인증기법에 대한 연구가 활발하게 진행되었다. 2009년 Xu et al.은 사용자 익명성을 보장하는 프로토콜을 제안하였으나, 2012년 Shin et al.은 Xu et al. 기법의 사용자익명성 노출, 위장공격에 대한 취약점을 분석하고 이를 개선한 사용자 익명성을 보장하는 프로토콜을 제안하였다. 본 논문에서는 Shin et al. 기법을 전방향안전성과 내부자공격에 대한 취약점을 분석하고 전방향안전성, 내부자공격, 사용자익명성, 위장공격에 안전한 타원곡선암호기반의 사용자 인증 프로토콜을 제안한다.
In this paper, we propose an AlGaN/GaN-based extended-gate metal-insulator-semiconductor high electron mobility transistor (MISHEMT)-type biosensor for detecting streptavidin-biotin complexes. We measure the drain current of the fabricated sensor, which varies depending on the antibody-antigen reaction of streptavidin with biotin molecules. To confirm the immobilization of biotin polyethylene glycol (PEG) thiol, we analyze the Au surface of a GaN sample using X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). The proposed biosensor shows higher sensitivity than Si-based extended-gate metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET)-type biosensor. In addition, the proposed AlGaN/GaN-based extended-gate MISHEMT-type biosensor exhibits better long-term stability, compared to the conventional AlGaN/GaN-based MISHEMT-type biosensor.
We have investigated the effect of surface passivation for crystalline silicon solar cell using ozone-based atomic layer deposited (ALD) $Al_2O_3$. We examined passivation properties such as uniformity, carrier lifetime, thickness, negative fixed charge density at AlOx/Si interface, and reflectance. The influences of process temperature and heat treatment were investigated using microwave photoconductance decay (PCD). Ozone-based ALD $Al_2O_3$ film shows the best carrier lifetime at lower deposition temperature than $H_2O$-based ALD.
Recently, advances in ZnO based oxide semiconductor materials have accelerated the development of thin-film transistors (TFTs), which are the building blocks for active matrix flat-panel displays including liquid crystal displays (LCD) and organic light-emitting diodes (OLED). However, the electrical performances of oxide semiconductors are significantly affected by interactions with the ambient atmosphere. Jeong et al. reported that the channel of the IGZO-TFT is very sensitive to water vapor adsorption. Thus, water vapor passivation layers are necessary for long-term current stability in the operation of the oxide-based TFTs. In the present work, $Al_2O_3$ and $TiO_2$ thin films were deposited on poly ether sulfon (PES) and $SnO_x$-based TFTs by electron cyclotron resonance atomic layer deposition (ECR-ALD). And enhancing the WVTR (water vapor transmission rate) characteristics, barrier layer structure was modified to $Al_2O_3/TiO_2$ layered structure. For example, $Al_2O_3$, $TiO_2$ single layer, $Al_2O_3/TiO_2$ double layer and $Al_2O_3/TiO_2/Al_2O_3/TiO_2$ multilayer were studied for enhancement of water vapor barrier properties. After thin film water vapor barrier deposited on PES substrate and $SnO_x$-based TFT, thin film permeation characteristics were three orders of magnitude smaller than that without water vapor barrier layer of PES substrate, stability of $SnO_x$-based TFT devices were significantly improved. Therefore, the results indicate that $Al_2O_3/TiO_2$ water vapor barrier layers are highly proper for use as a passivation layer in $SnO_x$-based TFT devices.
In this paper, effective thermal conductivities of water-based $Al_2O_3$-nanofluids with low concentration from 0.01 vol. % to 0.3 vol. % are experimentally obtained by transient hot wire method (THWM). The water-based $Al_2O_3$-nanofluids are manufactured by two-step method which is widely used. To examine suspension and dispersion characteristics of the water-based $Al_2O_3$-nanofluids, Zeta potential as well as transmission electron micrograph (TEM) is observed. We confirm the manufactured $Al_2O_3$-nanofluids have good suspension and dispersion. The effective thermal conductivities of the water-based $Al_2O_3$-nanofluids with low concentration are enhanced up to 1.64% compared with that of DI water at $21^{\circ}C$. In addition, experimental results are compared with theoretical results from Jang and Choi model.
In order to improve incombustibility of EPDM(Ethylene propylene diene monomer)-based rubber, inorganic materials as $Al(OH)_3$ and $Sb_2O_3$ were added. The mechanical and thermal properties have been measured for vulcanized rubber loaded with different concentrations of $Al(OH)_3$ and $Sb_2O_3$. As inorganic material contents increases from 5phr to 30phr, the specific gravity and hardness increase while elongation at break decreases. This study performed incombustibility test and thermal analysis through TGA(Thermogravimetric Analyzer). As a results, incombustible and thermal properties of EPDM-based rubber were improved as $Al(OH)_3$ and $Sb_2O_3$ contents increase.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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