• 전기학회논문지
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• 제67권10호
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• pp.1370-1374
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• 2018

A heterojunction $SnS_2/p-Si$ photodetector was fabricated by RF magnetron sputtering system. $SnS_2$ was formed with 2-inch $SnS_2$ target. Al was applied as the front and the back metal contacts. Rapid thermal process was conducted at $500^{\circ}C$ to enhance the contact quality. 2D material such as $SnS_2$, MoS2 is very attractive in various fields such as field effect transistors (FET), photovoltaic fields such as photovoltaic devices, optical sensors and gas sensors. 2D material can play a significant role in the development of high performance sensors, especially due to the advantages of large surface area, nanoscale thickness and easy surface treatment. Especially, $SnS_2$ has a indirect bandgap in the single and bulk states and its value is 2 eV-2.6 eV which is considerably larger than that of the other 2D material. The large bandgap of $SnS_2$ offers the advantage for the large on-off current ratio and low leakage current. The $SnS_2/p-Si$ photodetector clearly shows the current rectification when the thickness of $SnS_2$ is 80 nm compared to when it is 135 nm. The highest photocurrent is $19.73{\mu}A$ at the wavelength of 740 nm with $SnS_2$ thickness of 80 nm. The combination of 2D materials with Si may enhance the Si photoelectric device performance with controlling the thickness of 2D layer.

• 한국초전도ㆍ저온공학회논문지
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• 제2권2호
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• pp.1-5
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• 2000

There is the possibility that internal tin processed Nb$_3Sn$ wires are locally heated during the drawing process and the jacketing process. It is important to know the variations in J$_c$ of internal tin processed Nb$_3Sn$ wires caused by local heating. Internal tin processed Nb$_3Sn$ rods were cold worked to 2.28 mm, using the appropriate reduction ratio, and then cut into several pieces. At this stage, wires were locally 50 mm heat zone heated up to 360$^{\circ}C$. The locally heated Nb$_3Sn$ wires were drawn to a final diameter size of 0.81 mm. Others were cold worked successively to 0.81 mm and locally heated with the same conditions. 2 types of locally heat treated wires were wound on Ti-6Al-4V barrels and heat treated for the Nb$_3Sn$ reaction. Local heating of internal tin processed Nb$_3Sn$ wires after the J$_c$ of these wires. However, local heating at an intermediate stage of the drawing process caused a decrease in J$_c$. When the local heating temperatures were higher than melting point of Sn, non-Cu J$_c$'s decreased significantly. A Sn-Cu alloyed boundary appeared after local heating over the melting point of Sn, and caused work hardening and a decrease in the workability.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제29권2호
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• pp.1-10
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• 2022

최근 반도체 소자는 모바일 전자제품과 wearable 및 flexible한 소자와 기판의 다양한 활용으로 많은 분야에서 폭넓게 사용되고 있다. 이들 반도체 칩 접합 공정 중 기판과 솔더의 열팽창 계수(CTE)의 차이와 기판 및 부품 전체에 인가되는 과도한 열 영향은 소자의 성능 및 신뢰성에 영향을 주며, 최종적으로 휨(warpage) 현상 및 장기 신뢰성 저하 등을 초래한다. 이러한 문제점을 개선하기 위해 저온에서 공정이 가능한 저융점 솔더에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. Sn-Bi, Sn-In 등 다양한 저융점 솔더 합금 중 Sn-Bi 솔더는 높은 항복 강도, 적절한 기계적 특성 및 저렴한 가격 등의 이점이 있어 유망한 저온 솔더로 각광받고 있다. 그러나 Bi의 높은 취성 특성 등 단점으로 인해 솔더 합금의 개선이 필요하다. 본 review 논문에서는 다양한 미량 원소와 입자를 첨가하여 Sn-Bi 소재의 기계적 특성 개선을 위한 연구 동향을 소개하며 이를 비교 분석하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2010년도 제39회 하계학술대회 초록집
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• pp.158-158
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• 2010

최근 전자산업의 발전은 형상 면에서 경박 단소화로 급속하게 진행되고 있으며, 전자소자 내부에서의 배선재료로 사용되고 있는 알루미늄(Al) 박막의 두께 역시 얇아지고 있다. 극박막 범위에서 박막의 두께 증가에 따라 전기가 잘 흐르기 시작하는 박막의 최소두께로 정의 되는 유착두께를 실시간으로 측정하는 방법을 구현하고 임의의 금속박막과 기판의 조합에 있어서 각각의 재료에 대한 유착두께를 제공함으로써 향후 미세전자소자의 제작 시 배선 재료의 선택에 대한 기초자료를 축적할 수 있다. 또한 박막의 미세구조 변화 관점에서 연구함으로써 여러 가지 금속박막에 대한 유착두께를 줄일 수 있는 방법을 도출할 수 있다. 본 연구에서는 유리 기판 위에 사진 식각 공정으로 패턴을 형성하고 패턴이 형성된 유리 기판은 스퍼터에 연결된 4 point probe에 구리 도선으로 연결한 후 DC 마그네트론 스퍼터법으로 Al, Cr, ITO, Sn을 증착하면서 실시간으로 시간에 따른 면저항을 측정하며 이 때 스퍼터 내부 진공도는 $4.6{\times}10^{-5}$까지 낮춰준 후 각각의 금속에 맞는 진공도를 설정하였다. 20.0 sccm의 Ar가스를 넣고 100 W파워로 플라즈마를 형성시켜 금속을 증착하면서 4-point probe를 이용하여 실시간으로 면저항을 측정했다. 1초 단위로 면저항을 측정한 결과 평균적으로 Al은 71초, Cr은 151초, ITO는 61초, Sn은 20초에 저항이 급격히 감소함을 알 수 있었다. 또한 저항이 급격히 감소한 시점의 박막 두께를 알기 위해Surface profiler로 박막두께를 측정한 결과 1초당 Al은 $4\;{\AA}$, Cr은 $1.7\;{\AA}$, ITO는 $2.7\;{\AA}$, Sn은 $6.7\;{\AA}$ 이었다. 실험적으로 R은 면저항, T는 증착 시간이라 할 때 Y축을 $R{\times}T^3$으로 하고 X축을 T로 설정하고 그래프로 나타내면 Y축 값이 최소값을 갖는 시점이 유착두께임을 확인하였다. 본 연구는 실시간 면저항 측정을 통한 금속박막의 전기전도 특성과 미세구조에 대한 기초자료를 제공함으로써 신기술 발전에 공헌할 것이다.

• 한국분말재료학회지
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• 제27권2호
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• pp.139-145
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• 2020

The powder manufacturing process using the gas atomizer process is easy for mass production, has a fine powder particle size, and has excellent mechanical properties compared to the existing casting process, so it can be applied to various industries such as automobiles, electronic devices, aviation, and 3D printers. In this study, a modified A4032-xSn (x = 0, 1, 3, 5, and 10 wt.%) alloy with low melting point properties is investigated. After maintaining an argon (Ar) gas atmosphere, the main crucible is tilted; containing molten metal at 1,000℃ by melting the master alloy at a high frequency, and Ar gas is sprayed at 10 bar gas pressure after the molten metal inflow to the tundish crucible, which is maintained at 800℃. The manufactured powder is measured using a particle size analyzer, and FESEM is used to observe the shape and surface of the alloy powder. DSC is performed to investigate the change in shape, according to the melting point and temperature change. The microstructure of added tin (Sn) was observed by heat treatment at 575℃ for 10 min. As the content of Sn increased, the volume fraction increased to 1.1, 3.1, 6.4, and 10.9%.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2003년도 하계학술대회 논문집 Vol.4 No.2
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• pp.942-945
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• 2003

Nerve gas sensor based on tin oxide was fabricated and its characteristics were examined. Target gas was dimethylmethylphosphonate($C_3H_9O_3P$, DMMP) that is simulant gas of nerve gas. Sensing material was $SnO_2$ added ${\alpha}-Al_2O_3$ with $4{\sim}20wt.%$ and was physically mixed. And then it was deposited by screen printing method on alumina substrate. Sensor device was consisted of sensing electrode with interdigit(IDT) type in front and heater in back side. Total size of device was $7{\times}10{\times}0.6mm^3$. Crystallite size of fabricated $SnO_2$ were characterized by X-ray diffraction(XRD, Rigaku) and morphology of the $SnO_2$ powders was observed by a scanning electron microscope(SEM, Hitachi). Fabricated sensor was measured as flow type and sensor resistance change was monitored real time using LabVIEW program. The best conditions as added $Al_2O_3$ amounts and operating temperature changes were 4wt.% and $300^{\circ}C$ in DMMP 0.5ppm, respectively. The sensitivity was over 75%. Response and recovery times were about 1 and 3 min., respectively. Repetition measurement was very good with ${\pm}3%$ in full scale.

• 한국컴퓨터정보학회논문지
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• 제26권4호
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• pp.231-237
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• 2021

10여년전 Krasnova et al.는 페이스북 사용자들의 자기노출에 영향을 미치는 요인들을 식별하였다. 이러한 요인들에는 인지된 위험, 관계구축, 관계유지, 자기표현, 즐거움이 포함된다. 한편, 지난 10년여 동안, SNS와 관련된 기능, 매체, 경쟁 측면에서 상당한 변화가 있었다. SNS는 기능적으로 강화되었고, 모바일 환경에서 사용되고 있으며, 많은 경쟁자들이 출현하였다. 이러한 변화된 사실들에 비추어 볼 때, 자기노출에 대한 그러한 요인들의 영향은 Krasnova et al.의 연구에서 발견된 영향과 상당히 다를 수 있다. 본 연구의 목적은 반복연구를 통해서 Krasnova et al.의 연구에서 채택된 요인들이 자기노출을 설명하는데 있어서 여전히 중요한지를 검증하는 것이다. 데이터 분석결과, 본 연구는 Krasnova et al.의 연구 결과와 상당히 다른 결과를 얻었다. 본 연구는 분석결과를 토대로 향후 연구를 위한 의미있는 시사점들을 논의한다.

• 센서학회지
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• 제15권5호
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• pp.309-316
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• 2006

The $SnO_{2}$ thin film sensors were fabricated by a thermal oxidation method. $SnO_{2}$ thin film sensors were treated in $N_{2}$ atmosphere. The sensors with $O_{2}$ treatment after $N_{2}$ treatment showed 70 % sensitivity for 1 ppm $H_{2}S$ gas, which is higher than the sensors with only $O_{2}$ treatment. The Ni metal was evaporated on Sn thin film on the $Al_{2}O_{3}$ substrate. And the sensor was heated to grow the Sn nanowire in the tube furnace with $N_{2}$ atmosphere. Sn nanowire was thermally oxidized in $O_{2}$ environments. The sensitivity of $SnO_{2}$ nanowire sensor was measured at 500 ppb $H_{2}S$ gas. The selectivity of $SnO_{2}$ nanowire sensor compared with thin film and thick film $SnO_{2}$ was measured for $H_{2}S$, CO, and $NH_{3}$ in this study.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제13권1호통권38호
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• pp.23-29
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• 2006

Si-웨이퍼와 FR-4 기판을 상온에서 초음파 접합한 후, 접합부의 신뢰성을 평가하였다. Si-웨이퍼 상의 UBM(Under Bump Metallization)은 위에서부터 Cu/ Ni/ Al을 각각 $0.4{\mu}m,\;0.4{\mu}m,\;0.3{\mu}m$의 두께로 전자빔으로 증착하였다. FR-4 기판위의 패드는 위에서부터 Au/ Ni/ Cu를 각각 $0.05{\mu}m,\;5{\mu}m,\;18{\mu}m$의 두께로 전해 도금하여 형성하였다. 접합용 솔도로는 Sn-3.5wt%Ag을 두께 $100{\mu}m$으로 압연하여 사용하였다. 시편의 초음파 접합을 위하여 초음파 접합 시간을 0.5초에서 3.0초까지 0.5초 단위로 증가시키면서 상온에서 접합하였으며, 이 때 출력은 1,400W로 하였다. 실험 결과, 상온 초음파 접합법에 의해 신뢰성 있는 'Si-웨이퍼/솔더/FR-4기판' 접합부를 얻을 수 있었다. 접합부의 전단 강도는 접합 시간에 따라 증가하여 접합 시간 2.5초에서 65N으로 가장 높게 측정되었다. 이 후 접합 시간 3.0초에서는 전단 강도가 34N으로 감소하였는데, 이는 초음파 접합시간이 과도해지면서 Si-웨이퍼와 솔더 사이의 계면을 따라 균열이 발생되었기 때문으로 판단된다. 초음파 접합에 의해 Si-웨이퍼와 솔더 사이에서 생성된 금속간 화합물은 ($(Cu,Ni)_{6}Sn_{5}$)으로 확인되었다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제15권2호
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• pp.37-45
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• 2008

본 논문에서는 유기 기판 위에 $100{\mu}m$ 피치를 갖는 플립칩 구조인 Cu(60 um)/SnAg(20 um) 더블 범프 플립칩 어셈블리를 구현하여 이의 리플로우, 고온 유지 신뢰성, 열주기 신뢰성, Electromigration 신뢰성을 평가하였다. 먼저, 리플로우의 경우 횟수와 온도에 상관없이 범프 접속 저항의 변화는 거의 나타나지 않음을 알 수 있었다. 125도 고온 유지 시험에서는 2000시간까지 접속 저항 변화가 관찰되지 않았던 반면, 150도에서는 Kirkendall void의 형성으로 인한 접속 저항의 증가가 관찰되었다 또한 Electromigration 시험에서는 600시간까지 불량이 발생하지 않았는데 이는 Al금속 배선에서 유발되는 높은 전류 밀도가 Cu 칼럼의 높은 두께로 인해 솔더 영역에서는 낮아지기 때문으로 해석되었다. 열주기 시험의 경우, 400 cycle 이후부터 접속 저항의 증가가 발견되었으며, 이는 열주기 시험 동안 실리콘 칩과 Cu 칼럼 사이에 작용하는 압축 변형에 의해 그 사이에 있는 Al 및 Ti 층이 바깥쪽으로 밀려나감으로 인해 발생하는 것으로 확인되었다.