• Proceedings of the Korean Magnestics Society Conference
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• 2002.12a
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• pp.158-159
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• 2002

스핀 밸브에서는 NiFe, CoFe, Cu등 주요 금속들이 면심입방체(111)로 배향이 용이하지만, 자기 터널 접합 소자에서는 $Al_2$O$_3$ 장벽층이 비정질로서 상부 강자성 전극이 충분히 (111) 배향을 할 수 없기 때문에 top bias 방식의 사용이 거의 불가능하며, bottom bias의 경우에도 교환 바이어스의 크기는 상대적으로 작다[1]. 이를 극복하기 위해 인공 초격자를 이용한 인공 반강자성층(synthetic antiferromagnet - SAF)을 이용하여 높은 교환 바이어스 효과를 구현하고자 하였다. (중략)

• Journal of Radiation Industry
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• v.5 no.1
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• pp.95-99
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• 2011

The electrical and mechanical properties of electrode for radiation detection are very important. In general, Au electrode and CZT crystal are combined to form ohmic contacts, and the best energy resolution is shown at the Au electrode. The metal contacts are fabricated by electroless deposition method, sputtering deposition method and thermal evaporation method. The electrode fabrication is easy with use of the thermal evaporation method, while an adhesive strength is weak. Thus interface materials such as Ag, Al and Ni were investigated to overcome defects generated by the this method. The thickness of the interface material between the Au electrode and the CZT crystal was 100 Angstroms, the Au electrode with thickness of 400 Angstroms was deposited. The Al+Au electrode is shown that the results of current-voltage and radiation response are similar to results of Au electrode.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.5 no.8
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• pp.929-935
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• 1995

In order to develop COG (Chip On Glass) technology for LCD module interconnecting the driver IC to Al pad electrode on the glass substrate, Anisotropic Conductive Adhesive(ACA) process, the most promising one among COG technologies, was investigated. ACA process was carried out by two steps, dispensing of ACA resin in the bonding area and curing by W radiation. Load on the chip was ranged from 2.0 to 15kg and the chip was heated at about 12$0^{\circ}C$. In resin, the density of conductive particles coated with Au or Ni at the surface were 500, 1000, 2000 and 4000 particles/$\textrm{mm}^2$, and the diameter of particles were 5, 7 and 12${\mu}{\textrm}{m}$. As a result of the experiments, ACA process using ACA particle of diameter and density of 5${\mu}{\textrm}{m}$ and 4000 particles/$\textrm{mm}^2$ respectively shows optimum characteristic with the stabilzed bonding properties and contact resistance.

• Journal of the Korean institute of surface engineering
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• v.49 no.6
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• pp.530-538
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• 2016

There is a close relationship between the performance and the heat generation of the electronic device. Heat generation causes a significant degradation of the durability and/or efficiency of the device. It is necessary to have an effective method to release the generated heat. Based on demands of the printed circuit board (PCB) manufacturing, it is necessary to develop a robust and reliable plating technique for substrates with high thermal conductivity, such as alumina ($Al_2O_3$), aluminium nitride (AlN), and silicon nitride ($Si_3N_4$). In this study, the plating of metal layers on an insulating silicon nitride ($Si_3N_4$) ceramic substrate was developed. We formed a Pd-$TiO_2$ adhesion layer and used APTES(3-Aminopropyltriethoxysilane) to form OH groups on the surface and adhere the metal layer on the insulating $Si_3N_4$ substrate. We used an electroless Ni plating without sensitization/activation process, as Pd particles were nucleated on the $TiO_2$ layer. The electrical resistivity of Ni and Cu layers is $7.27{\times}10^{-5}$ and $1.32{\times}10^{-6}ohm-cm$ by 4 point prober, respectively. The adhesion strength is 2.506 N by scratch test.

• Journal of the Korean Electrochemical Society
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• v.4 no.3
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• pp.125-131
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• 2001

A long-term variation of electrode polarization in the MCFC has been analyzed successfully using a single cell with a Au, $CO_2/O_2$ reference electrode Four different cells with different components were operated and their electrode polarizations were analyzed. As published in the literatures, the cathode polarization was larger than that of the anode. The more stable operation of a single cell with the Al-coated cell frame up to 6,000hrs indicates that the corrosion at the cell frame, particularly wet seal area, plays an important role to determine the lifetime of a MCFC. At the initial stage of the cell operation, the voltage of the cell using a cathode stabilized by the $LiCoO_2$ coating was relatively low due to the high cathode polarization. As the cell was operated and the stabilized cathode was lithiated sufficiently, the cathode polarization decreased and the cell voltage was recovered. It was observed that the voltage of the cell using the $Li_2CO_3/Na_2CO_3$ electrolyte fluctuated with operation time and the cathode polarization fluctuated along with the cell voltage quite similarly. Although the mechanisms of the voltage fluctuation were not clear yet, the results imply that the voltage fluctuation was related with a reaction in the cathode side. After testing every single cell, the cathode polarization increased with the steep decrease in the cell voltage. Thus, the cathode should be improved in order to develop more durable MCFC.

• Applied Chemistry for Engineering
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• v.3 no.3
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• pp.527-534
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• 1992

Raney nickel was used as catalyst in the hydrogen electrode for an alkaline fuel cell. The hydrogen electrode manufactured with the Raney nickel catalyst which was sintered at $700^{\circ}C$ was found to have the highest electrode performance. Using the Raney nickel powder of average particle size $90{\AA}$ for the electrode, the current density which had been measured was $450mA/cm^2$ at $80^{\circ}C$ using 6N KOH solution as an electrolyte. The effects of PTFE addition were investigated with CO-chemisorption, polarization curves and Tafel slope. CO-chemisorption had shown the optimum value when the Raney nickel was mixed with 5wt% of PTFE, but from the current density and Tafel slope at porous Raney nickel electrode, the appropriate value of PTFE addition was 10wt%. Recommendable Ni and Al portion for Raney nickel was 60 : 40 and loading amount was $0.25g/cm^2$. Also the influence of pressing pressure for manufacturing catalytic layer and for junction with gas diffusion layer was examined. The morphology of catalyst surface was investigated with SEM. The influence of reactivation time and heat-treatment temperature were also studied.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.47 no.8
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• pp.1-6
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• 2010

We report on the electrical properties of Ti/Al/Ni/Au (20 nm/ 150 nm/ 30 nm/ 100 nm) Ohmic contacts and the anisotropic conductivity of n-type ${\alpha}$-plane ([11-20]) GaN grown on $\gamma$-plane ([1-102]) sapphire substrates. The Ti/Al/Ni/Au Ohmic contacts and their sheet resistances are characterized by using the transfer length method (TLM) as a function of azimuthal angles. It is found that the specific contact resistance does not depend on the axis orientation and there are significant electrical anisotropy in ${\alpha}$-plane GaN films on $\gamma$-plane sapphire substrates, and the sheet resistance varies with azimuthal angles. The sheet resistance values in the direction parallel to m-axis [1-100] are 25% ~ 75% lower than those parallel to c-axis [0001] directions. Thus, Basal stacking faults (BSFs) are offered as a feasible source of the anisotropic mobility in defected m-axis direction because the band-edge discontinuities owing to the differential band gap structure.

• Transactions of the Korean hydrogen and new energy society
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• v.7 no.2
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• pp.157-164
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• 1996

The AB5-type metal hydride electrodes using $(LM)Ni_{4.49}Co_{0.1}Mn_{0.205}Al_{0.205}$(LM : Lanthaniumrich Mischmetal) alloy powders(${\leq}200$mesh) which were coated with 25wt% copper in an acidic bath were prepared with or without addition of 10wt% PTFE as a binder. Prior to electrochemical measurements, the electrodes were sintered at $40^{\circ}C$ for 1 and 2hrs in vacuum with Mm(mischmetal) and sponge type Ti getters. The properties such as maximum capacity, cycle life and mechanical strength of the negative electrode have been investigated. The surface analysis of the electrode was also obtained before and after charge-discharge cycling using scanning electron microscope(SEM). From the observations of electrochemical behavior, it was found that the sintered electrode shows a lower maximum discharge capacity compared with non-sintered electrode but it shows a better cycle life. For the both electrodes with or without addition of PTFE binder, the values of mechanical strength were obtained, and their values increased with increasing sintering time. However, there is little difference of discharge capacity for both electrodes.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2016.02a
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• pp.255-255
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• 2016

Resistive random access memory (ReRAM)는 낮은 동작 전압, 빠른 동작 속도, 고집적화 등의 장점으로 인해 차세대 비휘발성 메모리 소자로써 많은 관심을 받고 있다. 최근에 ReRAM 절연막으로 NiOx, TiOx, AlOx TaOx, HfOx와 같은 binary metal oxide 물질들을 적용하는 연구가 활발히 진행되고 있다. 특히, HfOx는 안정적인 동작 특성을 나타낸다는 점에서 ReRAM 절연막 물질로 적합하다고 보고되고 있다. ReRAM 절연막을 형성할 때, 물리 기상 증착 방법 (PVD)이나 화학 기상 증착법 (CVD)과 같은 방법이 많이 이용된다. 이러한 증착 방법들은 고품질의 박막을 형성시킬 수 있는 장점이 있다. 하지만, 높은 온도에서의 공정과 고가의 진공 장비가 이용되기 때문에 경제적인 문제가 있으며, 기판 또는 금속에 플라즈마 손상으로 인한 문제가 발생할 수 있다. 따라서 이러한 문제점들을 개선하기 위해 용액 공정이 많은 관심을 받고 있다. 용액 공정은 공정과정이 간단할 뿐만 아니라 소자의 대면적화가 가능하고 공정온도가 낮으며 고가의 진공장비가 필요하지 않은 장점을 가진다. 따라서 본 연구에서는, 용액공정을 이용하여 HfOx 기반의 ReRAM 제작하였고 $25^{\circ}C$와 $85^{\circ}C$에서 ReRAM의 동작특성에 미치는 compliance current의 영향을 평가하였다. 실험 방법으로는, hafnium chloride (0.1 M)를 2-methoxyethanol에 충분히 용해시켜서 precursor를 제작하였다. 이후, p-type Si 기판 위에 습식산화를 통하여 300 nm 두께의 SiO2 절연층을 성장시킨 후, 하부전극을 형성하기 위해 electron beam evaporation을 이용하여 10/100 nm 두께의 Ti/Pt 전극을 증착하였다. 순차적으로, 제작된 산화물 precursor를 이용하여 Pt 위에 spin coating 방법으로 1000 rpm 10 초, 6000 rpm 30초의 조건으로 두께 35 nm의 HfOx 막을 증착하였다. 최종적으로, solvent 및 불순물을 제거하기 위해 $180^{\circ}C$의 온도에서 10 분 동안 열처리를 진행하였으며, 상부 전극을 형성하기 위해 electron beam evaporation을 이용하여 Ti와 Al을 각각 50 nm, 100 nm의 두께로 증착하였다. ReRAM 동작에서 compliance current가 미치는 영향을 평가하기 위하여 compliance current를 10mA에서 1mA까지 변화시키면서 측정한 결과, $25^{\circ}C$에서는 compliance current의 크기와 상관없이 일정한 메모리 윈도우와 우수한 endurance 특성을 얻는 것을 확인하였다. 한편, $85^{\circ}C$의 고온에서 측정한 경우에는 1mA의 compliance current를 적용하였을 때, $25^{\circ}C$에서 측정된 메모리 윈도우 크기를 비슷하게 유지하면서 더 우수한 endurance 특성을 얻는 것을 확인하였다. 결과적으로, 용액공정 방법으로 제작된 ReRAM을 측정하는데 있어서 compliance current를 줄이면 보다 우수한 endurance 특성을 얻을 수 있으며, ReRAM 소자의 전력소비감소에 효과적이라고 기대된다.

• Proceedings of the Korea Technology Innovation Society Conference
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• 1998.05a
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• pp.8-8
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• 1998

한 국가의 경쟁력은 여러 가지 생산요소들의 질적·양적 우위에 의해 결정되나, 그 중에서도 특히 기술이 체화된 인적자원이 경쟁력 확보의 핵심요소임은 재론의 여지가 없다. 과거 우리나라 급성장의 주요 원동력이었던 우수하고 풍부한 인력이 이제 더 이상 우리 경쟁력의 원천이 되지 못하고 있다. 무한경쟁시대를 이끌어갈 창의력과 지도력을 갖춘 고급기술인력이 부족하고, 우수한 기술인력이 과학기술계를 회피하고 있으며, 산업현장에서 실제문제를 해결할 수 있는 실천적 전문기술과 숙련된 기능을 제대로 갖춘 인력을 배출하지 못하고 있다. 이러한 기숙인력 양성의 문제들을 해결하기 위한 방안의 하나로서 일반대학과 별도로 기술인력양성을 전문으로 하는 학위과정 설치의 필요성이 대두되었으며, 1996년 교육개혁의 일환으로 단설대학원제도와 전문학위제도가 시행되기 시작하였다. 그동안 여러 분야에서 단설대학원 설립이 추진되었으며, 일부에서 운영이 시작되고 있으나 과학기술분야에서는 극히 일부의 사례만이 있을 뿐이고 아직 본격적으로 설립운영되고 있다고 보기 어렵다. 본고는 외국 공공연구기관에서 시행되는 단설대학원의 사례들을 조사 분석함으로써 우리나라 과학기술계 출연연구기관에서의 바람직한 운영모델을 제시하고자한다. 일본의 총합연구대학원대학과 연계대학원제도, 중국 국가연구소들의 학위수여제도, 프랑스 국가연구소들의 석·박사과정, 독일 연구기관들의 박사과정 등을 소개하며, 이 들의 특징과 장단점들을 비교한다. 이어서 우리나라에서 현재 진행되고 있는 현황을 분석하고, 과학기술계 출연연구기관의 단설대학원 설립의 방향과 활성화를 위한 개선방안 등을 제시한다. 보고하였다2) 이 경우 보호피막으로서 NiO 와 $LiCrO_2$가 작용하는데, $LiCrO_2$가 용융탄산염 중에서 보다 안정한 것으로 부터, Cr의 첨가가 내식성에 기여하는 것으로 판단하였다. 다음 단계 로서 Fe/Cr재료에 용-융탄산염 중에서 안정한 산화물을 형성하는 Al의 첨가효과를 검토하였다. Al의 첨가는 더욱 내식성을 향상시키는 것이 발견되었고, 약 4wt%의 첨가로 충분한 내식성을 가지 는 것을 보고 하였다. 그러나 이러한 안정한 산화물에 의한 내식성 향상은 전기진도도의 희생을 바탕으로 한 것으로서, 다읍 단계로서 Ti산화물의 반도체적인 특성을 이용하고자 제 4의 원소로서 Ti첨가를 시도하였다. 그러나 Fe/Cr/AVTi재료가 뛰어난 내식성을 가지는 것은 관찰되었으나, 전도도 향상에는 기여하지 못하는 것이 보고되었다. 현재 MCFC는 실용화를 위한 고성능화의 하나로서 가압하에서의 운전을 시도하고 있다. 이 러한 가압하에서의 운전은 기전력의 향상 및 전극반응의 촉진 등으로 출력의 향상을 가져오나. 현재 문제로 되고 있는 Cathode극인 NiO의 용해/석출 현상을 가속화하는 결과를 초래해, 이에대 한 대책으로서 Li-K보다 NiO의 용해가 적은 Li-Na탄산염으로의 전환이 진행되고 있다. 이러한 배경으로부터 Uchida그룹에서 개발한 FeiCr/AVTi재료와 현재 분리판 재료로 사용증인 SUS 310, S SUS 316재료에 대해. 산화성 분위기의 5기압까지의 가압하에서, Li-K, Li-Na탄산염에 대하여 부 식거동을 검토한 결과, 가압하에서 내식성이 향상되는 것이