• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제8권6호
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• pp.241-245
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• 2007

[ $(Ba_{0.9-x}Sr_xCa_{0.10})TiO_3$ ] (x=0.33, 0.36) powders were prepared by sol-gel method. $(Ba,Sr,Ca)TiO_3$(BSCT) thick films, undoped and doped with $MnCO_3$ and $Yb_2O_3(0.1{\sim}0.7mol%)$, were fabricated by the screen printing method on the alumina substrate. The coating and drying procedure was repeated 6-times. The Pt bottom electrode was screen printing method on the alumina substrate. These BSCT thick films were annealed at $1420^{\circ}C$ for 2 hr in atmosphere. The upper electrodes were fabricated by screen printing the Ag paste and then firing at $590^{\circ}C$ for 10 min. And then the structured and dielectric properties as a function of the doping amount of $Yb_2O_3$ were studied. As a result of the TG-DTA, exothermic peak was observed at around $670^{\circ}C$ due to the formation of the polycrystalline perovskite phase. All BSCT thick films showed XRD patterns of typical cubic peroveskite structure. The average thickness of BSCT thick films was about $70^{\mu}m$. The curie temperature and the dielectric constant decreased with increasing $Yb_2O_3$ doped content and the relative dielectric constant of the specimen, doped with 0.5 mol% $Yb_2O_3$ at BSCT(54/36/10), showed a best value of 5018 at curie temperature.

• 한국태양에너지학회:학술대회논문집
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• 한국태양에너지학회 2011년도 추계학술발표대회 논문집
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• pp.245-248
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• 2011

Many researches have been carried out to improve light absorption in the crystalline silicon solar cell fabrication. The rear reflection is applied to increase the path length of light, resulting in the light absorption enhancement and thus the efficiency improvement mainly due to increase in short circuit current. In this paper, we manufactured the silicon solar cell using the mono crystalline silicon wafers with $156{\times}156mm^2$, 0.5~3.0 ${\Omega}{\cdot}cm$ of resistivity and p-type. After saw damage removal, the dielectric film ($SiN_x$)on the back surface was deposited, followed by surface texturing in the KOH solution. It resulted in single-side texturing wafer. Then the dielectric film was removed in the HF solution. The silicon wafers were doped with phosphorus by $POCl_3$ with the sheet resistance 50 ${\Omega}/{\Box}$ and then the silicon nitride was deposited on the front surface by the PECVD with 80nm thickness. The electrodes were formed by screen-printing with Ag and Al paste for front and back surface, respectively. The reflectance and transmittance for the single-sided and double-sided textured wafers were compared. The double-sided textured wafer showed higher reflectance and lower transmittance at the long wavelength region, compared to single-sided. The completed crystalline silicon solar cells with different back surface texture showed the conversion efficiency of 17.4% for the single sided and 17.3% for the double sided. The efficiency improvement with single-sided textured solar cell resulted from reflectance increase on back surface and light absorption enhancement.

• 한국결정성장학회지
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• 제25권1호
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• pp.35-38
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• 2015

LED는 소비전력 절감, 사용수명 증가, 발광 파장 변화를 통한 다변적 적용이 가능하여 에너지 효율 증대의 대안으로 각광받고 있으며, 조명뿐만 아니라 디스플레이 백라이트, 차량용 헤드라이트 등 다양한 분야에 적용되고 있다. 현재 백색 LED를 구현하는 데에는 청색 LED와 황색 형광체를 혼합하는 방식이 주로 활용되며, 황색 형광체로는 YAG : $Ce^{3+}$가 많이 이용된다. 기존에는 형광체를 epoxy resin과 혼합하여 LED chip 위에 도포하여 경화시키는 패키징 방식을 주로 사용하였다. 하지만 페이스트 기반 패키징 방식은 열에 의한 형광체의 특성 저하와 효율 감소 문제를 일으킨다. 이러한 문제를 해결하기 위해 형광체 플레이트를 이용한 remote 방식이 이용되고 있지만, 플레이트 내부 전반사로 인한 광 효율 손실 또한 해결해야 할 문제이다. 본 연구에서는 플레이트 측면을 Ag로 코팅함으로써 플레이트 내부의 전반사에 의한 광 효율 손실을 해결하고자 하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2000년도 제18회 학술발표회 논문개요집
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• pp.211-211
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• 2000

Carbon nanotubes (CNTs) have been spotlighted as one of promising field emission displays(FEDs). For the first time, to authors knowledge, we have developed the 9" color CNT-FEDs with the resolution of 240x576 lines. The 9" CNT-FEDs with diode-type and triode-type structures are presented. The well-dispersed CNT paste was squeezed onto the metal-patterned cathode glass. For the anode plate, the Y2O2S:Eu, ZnS:Ag,Cl low-voltage phosphors were printed for red, green, and blue colors, respectively. The vacuum-packaged panel maintained the vacuum level of 1x10-7 Torr. The uniform moving images vacuum-packaged panel maintained the vacuum level of 1x10-7 Torr. The uniform moving images were demonstrated at 2 V/um. High brightness of 800, 200, and 150cd/m2 was observed on the green, red, and blue phosphors at V/um, respectively. Field emission characteristics of a triode-type CNT-FED were simulated using a finite element method. the resultant field strength on the cathode was modulated by gate bias and emitted electrons were focused on the anode. A relatively uniform emission image was experimentally achieved at the 800V anode. A relatively uniform emission image was experimentally achieved at the 800V anode and the 50-180 V gate biases. Energy distribution of electrons emitted from CNTs was measured using an energy analyzer. The maximum peak of energy curve corresponded to the Fermi energy level of CNTs. The whole fabrication processed of CNT-FEDs were fully scalable and reproducible. Our CNT-FEDs has demonstrated the high potential of large-area and full-color applications with very low cost fabrication and low power consumption.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제34권1호
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• pp.56-62
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• 2021

In this study, we created a DBD plasma device and a MnO2 catalyst mesh filter for evaluating ozone reduction of devices via the catalyst method. The DBD plasma device was manufactured by applying Ag paste to soda lime glass via the screen-printing method. The MnO2 catalyst mesh filter was manufactured by mixing MnO2 powder with binder with a 10% difference in concentration from 10% to 50% and then applying it using the dip-coating method. Finally, we sintered a MnO2 catalyst mesh filter in an electric furnace. We evaluated the characteristics of ozone generation according to the Ar gas flow of DBD plasma devices, the opening ratio, and ozone reduction performance of the MnO2 catalyst filters. Ozone reduction performance was approximately 20.4% at MnO2 10 wt%, 37.8% at MnO2 30 wt% and 50% at MnO2 50 wt%.

• 한국산업융합학회 논문집
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• 제27권3호
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• pp.685-692
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• 2024

Currently used heating elements are metal and non-metal heating elements, including various types of heaters, and resistance line heating elements have a problem of decreasing thermal efficiency over time, so to solve this problem, a planar heating element using high-purity carbon materials and oxidation-resistant inorganic compounds was applied. Through the manufacture of planar heating elements using CNT, ruthenium composite materials, and ruthenium oxide, physicochemical performance and capacity were increased, and instantaneous responsiveness was increased. Through thick film technology applicable to various base bodies, fine patterns were formed by the screening method in consideration of the fact that the performance of the heat source depends on the viscosity and pattern shape. The heating element was manufactured by thick film printing technology by mixing ruthenium oxide, CNT, Ag, etc. The characteristics of each paste were analyzed through viscosity measurement, and STS 430 was used as a base. Surface temperature and efficiency were measured by testing heaters manufactured for small wind tunnels and real-vehicle experiments. The surface temperature decreased as the air volume increased, and the optimal system boundary was found to be about 200 mm. Among the currently used heating elements, this paper manufactured a planar heating element using thick film technology to find out the relationship between air volume and temperature, and to study the surface temperature.

• Journal of Preventive Medicine and Public Health
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• 제32권4호
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• pp.452-458
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• 1999

연구자들은 만성간질환의 코호트연구에서 잠재적 발병자 집단이 포함되어 있을 때 분석 결과의 비뚤림을 평가하고 적절한 분석전략을 제안하기 위하여 본 연구를 수행하였다. 1993년 현재 서울코호트로 구축된 14,529명을 대상으로 4년 6개월 동안 만성간질환 발생을 파악하였다. 의료보험공단의 수진내역 및 해당 의무기록 조사, 암등록사업자료 및 통계청 사망원인통계자료와의 연계를 통하여 총 102명에서 간질환이 발생하였다. 대상 코호트를 간질환의 잠재적 발병자 집단은 기초조사 자료에서 B형간염 표면할원 양성인 경우, 혈청 간효소인 GPT(ALT)가 40 이상으로 증가된 경우, 또는 설문조사 결과 간질환을 앓았거나 현재 앓고 있는 대상자로 정의하였으며 총 2,217명이었다. Cox의 회귀분석모형으로 전체 코호트 대상자, 잠재적 발병자 집단 및 기타 대상자 7,305명에 대하여 각각 위험요인을 파악하였으며, 각 분석결과를 비교하였다. 전체 대상자 및 잠재적 발병자 집단에 대한 분석결과는 대체적으로 일치하며, 표면항원 양성, 높은 간효소치, 급성간염 과거력, 최근 금연, 금주 등이 유의한 위험요인이었으며, 식이 측면에서는 돼지고기, 커피 등이 보호요인으로 관찰되었다. 한편 잠재군에서는 비만도가 높을 경우 위험도가 감소하는 경향이 있었다. 잠재적 발병자 집단을 제외한 코호트 대상자 분석에서는 상이한 양상이 관찰되었는데 체질량지표의 경우 비만도가 높은 집단에서 발생 위험도가 4배 정도로 증가하였다(p<0.10). 그러나 금주나 금연 등은 무관하였으며, 생간(生肝) 섭취, 가공생선 및 된장찌개의 섭취 빈도가 위험도를 증가시켰다. 한편 표면항원 양성, 높은 간효소치, 급성간염 과거력 등은 다른 대상자의 분석결과가 유사하였다. 이상의 결과에서 잠재적 발병자 집단을 포함할 경우, 질병의 결과로 변화하는 생활습관이 해당 질병의 위험요인으로 파악될 가능성이 있었으며, 특히 금연, 금주 및 비만도 등이었다. 즉 연구자들은 만성적 경과를 밟아 진행되며 임상적으로 확인되는 질병에 대한 코호트 연구에서 잠재적 발병자 집단을 감안하지 않을 경우 발생하는 비뚤림의 가능성을 실증적으로 평가하였다. 4년 6개월간의 추적조사기간 동안 102명의 만성간질환 발병 예를 확인하였지만 잠재적 발병자 집단을 제외한 분석이 타당하며, 이들에서는 19명의 환자만이 발생하였다. 만성간질환의 위험요인에 대한 유용하고도 정밀한 연구결과를 도출하기 위해서는 향후 추적조사기간을 연장하여 충분한 발병 예를 확보할 필요가 있다.

• 한국조리학회지
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• 제17권5호
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• pp.241-252
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• 2011

본 연구는 천일염, 구운 소금, 1회 구운 죽염과 9회 구운 죽염으로 만든 된장에서 항암효과를 평가하기 위하여 수행되었다. MTT 분석에서 천일염된장(S-D), 구운 소금된장(R-D), 1회 구운 죽염 된장(B1-D) 및 9회 구운죽염 된장(B9-D)을 0.05%와 0.1%를 첨가하였을 때 인체위암세포인 AGS의 증식에 대하여 상당한 저해효과(64-87%)를 나타내었다. Sarcoma-180 세포를 주사한 Balb/c 마우스 가운데 4종류의 된장을 투여한 쥐의 체중, 간장, 비장, 간장과 심장의 무게는 된장을 투여하지 않은 군보다 무거웠다. 또한 4가지 종류의 된장은 쥐의 종양 형성을 크게 저해하였으며, 특히 R-D와 B1-D는 1.0mg/kg 투여함으로써 97%의 종양세포의 성장억제를 나타내었다. 자연살해세포의 활성은 4종류의 된장을 투여한 쥐에서 상당히 높았으며 R-D를 투여한 쥐에서는 88.2%의 강한 활성을 나타내었다. 4종류의 된장을 투여한 쥐에서 glutathione S-transferase(GST)는 된장을 투여하지 않은 쥐보다 높았으며, 특히 GST 활성은 B1-D를 투여한 군에서 가장 높게 나타났다. 이러한 결과들은 여러 가지 종류의 소금이 된장의 항암활성에 미치는 영향에 차이가 있는 것으로 사료된다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2007년도 추계학술대회 논문집
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• pp.346-346
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• 2007

압전세라믹 재료는 현재 압전 변압기, actuator, transducer, sensor, speaker 등에 광범위하게 이용이 되고 있다. 이 중에서 압전세라믹 소결체를 이용한 스피커의 제조는 가공이 까다롭고, 대형의 크기로 제작 시 소자가 깨지는 등의 많은 제약을 받고 있으며, 저음 특성이 떨어져 응용 범위가 한정되어 있다. 따라서 최근에는 이러한 단점을 극복하기 위하여 세라믹/고분자 복합체를 이용한 필름 스피커를 제작하고자 시도하고 있다. 이러한 세라믹/고분자 0-3형 압전 복합체를 이용할 경우, 제품의 경량화를 실현할 수 있고, 크기나 환경의 영향을 거의 받지 않으므로, 고기능성 스피커로의 응용에 적합할 것으로 보인다. 따라서 본 연구에서는 PZT계의 세라믹와 PVDF, PVDF-TrFE, Polyester, acrylic resin 등의 여러 고분자 물질과의 복합체를 제조하여 압전특성을 평가하였다. 본 실험은 먼저 $(Pb_{1-a-b}Ba_aCd_b)(Zr_xTi_{1-x})_{1-c-d}(Ni_{1/3}Nb_{2/3})_c(Zn_{1/3}Nb_{2/3})_dO_3$ (이하 PZT라 표기)의 최적화 조성을 선택하여, $1050^{\circ}C$에서 소결된 분말을 48시간 ball milling방법 로 약 $1{\mu}m$ 크기로 분쇄하였다. 고분자 물질들은 알맞은 용제들을 선택하여 녹였다. 그 다음 소결된 PZT분말과 고분자를 50:50, 60:40, 65:35, 70:30등의 무게 분율로 혼합하고, 분산제, 소포제 등을 첨가하여 3단 roll mill을 이용하여 충분히 분산시켜 페이스트 (Paste)를 제조하였다. 제조된 페이스트를 ITO가 코팅된 PET필름 위에 스크린 프린팅 법을 사용하여 인쇄하여 $120^{\circ}C$에서 5분간 건조하였다. 코팅된 복합체의 두께는 약 $80{\mu}m$ 정도로 측정되었다. Ag 페이스트를 이용한 상부 전극 형성에도 스크린 프린팅 법을 적용하였다. 이를 $120^{\circ}C$에서 4 kV/mm의 DC 전계로 분극 공정을 수행한 후 전기적 특성을 평가하였다. 유전특성을 조사하기 위해서 LCR meter (EDC-1620)를 사용하였고, 시편의 결정구조는 XRD (Rigaku; D/MAX-2500H)을 통해 분석하였으며, 전자현미경(SEM)을 이용하여 미세구조를 분석하였다. 압전 전하상수$(d_{33})$ 값은 APC 8000 모델을 이용하여 측정하였다. PZT의 혼합비가 증가할수록 비유전율 및 압전 전하 상수 등의 전기적 특성이 증가되었다. 또 여러 고분자 물질 중에서 PVDF-TrFE 수지가 가장 우수한 특성을 보였다. 이는 PVDF-TrFE 수지가 압전성을 나타내기 때문인 것으로 판단되었다.

• 융복합기술연구소 논문집
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• 제8권1호
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• pp.33-39
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• 2018

The screen printing method for forming the electrode by applying the existing pressure is difficult to apply to thin wafers, and since expensive Ag paste is used, it is difficult to solve the problem of cost reduction. This can solve both of the problems by forming the front electrode using a plating method applicable to a thin wafer. In this paper, the process conditions of electrode formation are optimized by using LIEP (Light-Induced Electrode Plating). Experiments were conducted by varying the Ni plating bath temperature $40{\sim}70^{\circ}C$, the applied current 5 ~ 15 mA, and the plating process time 5 ~ 20 min. As a result of the experiment, it was confirmed that the optimal condition of the structural characteristics was obtained at the plating bath temperature of $60^{\circ}C$, 15 mA, and the process time of 20 min. The Cu LIEP process conditions, experiments were conducted with Cu plating bath temperature $40{\sim}70^{\circ}C$, applied voltage 5 ~ 15 V, plating process time 2 ~ 15 min. As a result of the experiment, it was confirmed that the optimum conditions were obtained as a result of electrical and structural characteristics at the plating bath temperature of $60^{\circ}C$ and applied current of 15 V and process time of 15 min. In order to form Ni silicide, the firing process time was fixed to 2 min and the temperature was changed to $310^{\circ}C$, $330^{\circ}C$, $350^{\circ}C$, and post contact annealing was performed. As a result, the lowest contact resistance value of $2.76{\Omega}$ was obtained at the firing temperature of $310^{\circ}C$. The contact resistivity of $1.07m{\Omega}cm^2$ can be calculated from the conditionally optimized sample. With the plating method using Ni / Cu, the efficiency of the solar cell can be expected to increase due to the increase of the electric conductivity and the decrease of the resistance component in the production of the solar cell, and the application to the thin wafer can be expected.