Currently, e-textile market is rapidly expanding and the emerging area of e-textiles requires electrically conductive threads for diverse applications, including wearable innovative e-textiles that can transmit/receive and display data with a variety of functions. This study introduces hybrid nano-structures which may help increase the conductivity of the textile threads for use in wearable and flexible smart apparels. For this aim, Ag was selected as a conductive material, and yarn treatment was implemented where silver nanowire (AgNW) and graphene flake (GF) hybrid structures overcome the limitations of the AgNW alone. The yarn treatment includes several treatment conditions, e.g., annealing temperature, annealing time, binder material such as polyurethane (PU), coating time, in order to search for the optimum method to form stable conductive nano-scale composite materials as thin film on the surface of textile yarns. Treatedyarns showed improved electrical resistance readings. The functionality of the spandex yarn as a stretchable conductive thread was also demonstrated. When the yarn specimens were treated with colloid of AgNW/GF, relatively good electrical conductivity value was obtained. During the extension and recovery cycles of the treated yarns, the initial resistance values did not deteriorate significantly, since the network of nanowire structure with the support of GF and polyurethane stayed flexible and stable. Through this research, it was found that when one-dimensional structure of AgNW and two-dimensional structure of GF were mixed as colloids and treated on the surface of textile yarns, flexible and stretchable electrical conductor could be formed.
Recently, RF inductor having researched by many workers, we fabricated and investigated properties of RF inductors. In order to improve the Q-factor (Quality), we try to apply the patterned Fe$_{78.81}$Ta$_{8.47}$N$_{12.71}$ soft magnetic thin film of 5000 which shows magnetic anisotropy of 30 Oe. Thus, patterned magnetic film was artificially increased magnetic anisotropy lead to increasing of ferro-magnetic resonance frequency up to GHz band. Coil as part of inductor was fabricated by lift off process. The dimension of RF inductor was designed 47un, rectangular shape, and measured properties. In the case of Ti/Ag air core type inductor shows Q of 9, inductance of 8.4 nH at 2 GHz. Magnetic film employed inductor shows inductance of 9 nH and FMR resonance frequency was 700 MHz.
Park, Keun-Ho;Choi, Sung-Hyun;Son, Tae-Churl;Song, Ju-Yeong
Journal of the Korean Applied Science and Technology
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v.23
no.2
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pp.137-146
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2006
We investigated the electrochemical properties for Langmuir-Blodgett (LB) films mixed with fatty acid (8A5H) and phospholipid (DLPE, DMPC, and DPPA). LB films of 8A5H monolayer and 8A5H-phospholipid mixture were deposited using the Langmuir-Blodgett method on the indium tin oxide(ITO) glass. The electrochemical properties measured using cyclic voltammetry with three-electrode system, an Ag/AgCl reference electrode, a platinum wire counter electrode and LB film-coated ITO working electrode at various concentrations(0.1, 0.5, and 1.0 mol/L) of $NaClO_4$ solution. A measuring range was reduced from initial potential to -1350 mV, continuously oxidized to 1650 mV and measured to the initial point. The scan rate was 50, 100, 150 and 200 mV/s, respectively. As a result, LB films of fatty acid and phospholipid (8A5H/DLPE and DPPA) appeared irreversible process were caused by only the reduction current from the cyclic voltammogram and LB film of 8A5H-DMPC mixture was found to be caused by a reversible oxidation-reduction process.
We investigated the characteristics of electroless plated Cu films on screen printed Ag/Anodized Al substrate. Cu plating was attempted using neutral electroless plating processes to minimize damage of the anodized Al substrate; this method used sodium hypophosphite instead of formaldehyde as a reducing agent. The basic electroless solution consisted of $CuSO_4{\cdot}5H_2O$ as the main metal source, $NaH_2PO_2{\cdot}H_2O$ as the reducing agent, $C_6H_5Na_3O_7{\cdot}2H_2O$ and $NH_4Cl$ as the complex agents, and $NiSO_4{\cdot}6H_2O$ as the catalyser for the oxidation of the reducing agent, dissolved in deionized water. The pH of the Cu plating solutions was adjusted using $NH_4OH$. According to the variation of pH in the range of 6.5~8, the electroless plated Cu films were coated on screen printed Ag pattern/anodized Al/Al at $70^{\circ}C$. We investigated the surface morphology change of the Cu films using FE-SEM (Field Emission Scanning Electron Microscopy). The chemical composition of the Cu film was determined using XPS (X-ray Photoelectron Spectroscopy). The crystal structures of the Cu films were investigated using XRD (X-ray Diffraction). Using electroless plating at pH 7, the structures of the plated Cu-rich films were typical fcc-Cu; however, a slight Ni component was co-deposited. Finally, we found that the formation of Cu film plated selectively on PCB without any lithography is possible using a neutral electroless plating process.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2012.02a
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pp.312-312
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2012
Magnesium oxide has become focus for research activities due to its use in magnetic tunnel junctions and for understanding of do ferromagnetism. Theoretical investigations on such type of system indicate that the presence of defects greater than a threshold value is responsible for the magnetic behaviour. It has also been shown experimentally that by decreasing the film thickness and size of nanoparticles, enhancement/increase in magnetization can be achieved. Apart from the change in dimension, swift heavy ions (SHI) are well known for creating defects and modifying the properties of the materials. In the present work, we have studied the irradiation induced effects in magnesium oxide thin film deposited on quartz substrate via X-ray absorption spectroscopy (XAS). Magnesium oxide thin films of thickness 50nm were deposited on quartz substrate by using e-beam evaporation method. These films were irradiated by 200 MeV Ag15+ ion beam at fluence of $1{\times}10^{11}$, $5{\times}10^{11}$, $1{\times}10^{12}$, $3{\times}10^{12}$ and $5{\times}10^{12}ions/cm^2$ at Nuclear Science Centre, IUAC, New Delhi (India). The grain size was observed (as studied by AFM) to be decreased from 37 nm (pristine film) to 23 nm ($1{\times}10^{12}ions/cm^2$) and thereafter it increases upto a fluence of $5{\times}10^{12}ions/cm^2$. The electronic structure of the system has been investigated by X-ray absorption spectroscopy (XAS) measurements performed at the high energy spherical grating monochromator 20A1 XAS (HSGM) beamline in the National Synchrotron Radiation Research Center (NSRRC), Taiwan. Oxides of light elements like MgO/ZnO possess many unique physical properties with potentials for novel application in various fields. These irradiated thin films are also studied with different polarization (left and right circularly polarized) of incident x-ray beam at 05B3 EPU- Soft x-ray scattering beamline of NSRRC. The detailed analysis of observed results in the wake of existing theories is discussed.
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.27
no.2
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pp.75-79
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2017
Honeycomb-shaped Ag-grid transparent conductive electrodes (TCEs) were fabricated using two different processes, high density plasma etching and lift-off, and the optical and electrical properties were compared according to the fabrication method. For the fabrication of the Ag-grid TCEs by plasma etching, etch characteristics of the Ag thin film in $10CF_4/5Ar$ inductively coupled plasma (ICP) discharges were studied. The Ag etch rate increased as the power increased at relatively low ICP source power or rf chuck power conditions, and then decreased at higher powers due to either decrease in $Ar^+$ ion energy or $Ar^+$ ion-assisted removal of the reactive F radicals. The Ag-grid TCEs fabricated by the $10CF_4/5Ar$ ICP etching process showed better grid pattern transfer efficiency without any distortion or breakage in the grid pattern and higher optical transmittance values of average 83.3 % (pixel size $30{\mu}m/line$ width $5{\mu}m$) and 71 % (pixel size $26{\mu}m/line$ width $8{\mu}m$) in the visible range of spectrum, respectively. On the other hand, the Ag-grid TCEs fabricated by the lift-off process showed lower sheet resistance values of $2.163{\Omega}/{\square}$ (pixel size $26{\mu}m/line$ width $18{\mu}m$) and $4.932{\Omega}/{\square}$ (pixel size $30{\mu}m/line$ width $5{\mu}m$), respectively.
The bilayer film of Ag/a-S $e_{75.G}$$e_{25}$ and the monolayer film of a-S $e_{75.G}$$e_{25}$ act as a negative-type and a positive-type resist in focused ion beam lithography, respectively. Using a model which takes into account the ion stopping power, the ion projected range, the ion concentration implanted into resists and the ion transmission coefficient, etc., the ion resist parameters are calculated for a broad range of ion energies and implanted doses. Ion sources of A $r^{+}$, S $i^{++}$ and G $a^{+}$ are used to expose resists. As the calculated results, the energy loss per unit distance by Ga'$^{+}$ ion is about 10$^{3}$[keV/.mu.M] and nearly constant for all energy range. Especially, the projected range and struggling for 80[keV] G $a^{+}$ ion energy are 0.0425[.mu.m] and 0.020[.mu.m], , respectively and the resist thickness of a-S $e_{75}$ G $e_{25}$ to minimize the ion penetration rate into a substrate is 0.118[.mu.m].u.m]..u.m].
Byeong-Joo Kim;Miyeon Yoon;Myeonghee Lee;Sang Ho Park;Ji-Kwang Lee;Kyeongdal Choi;Woo-Seok Kim
Progress in Superconductivity and Cryogenics
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v.25
no.4
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pp.50-53
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2023
In this study, the photolithography process was chosen to reduce the aspect ratio of the cross-section of a high-temperature superconducting (HTS) tape by dividing the superconducting layer of the tape. Reducing the aspect ratio decreases the magnetization losses in the second-generation HTS tapes generated by AC magnetic fields. The HTS tape used in the experiment has a thin silver (Ag) layer of about 2 ㎛ on top of the REBCO superconducting layer and no additional stabilizer layer. A dry film resist (DFR) was laminated on top of the HTS tape by a lamination method for the segmentation. Exposure to a 395 nm UV lamp on a patterned mask cures the DFR. Dipping with a 1% Na2CO3 solution was followed to develop the uncured film side and to obtain the required pattern. The silver and superconducting layers of the REBCO films were cleaned with an acid solution after the etching. Finally, the segmented HTS tape was completed by stripping the DFR film with acetone.
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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v.45
no.5
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pp.12-18
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2008
Ag paste was employed for source and drain electrode of OTFTs and for the data metal lines of OTFT-OLED array on PC(polycarbonate) substrate. We tested two kinds of Ag-pastes such as pastes for 325 mesh and 500 mesh screen mask to examine the pattern ability and electrical performance for OTFTs. The minimum feature size was 60 ${\mu}m$ for 325 mesh screen mask and 40 ${\mu}m$ for 500 mesh screen mask. The conductivity was 60 $m{\Omega}/\square$ for 325 mesh and 133.1 $m{\Omega}/\square$ for 500 mesh. For the OTFT performance the mobility was 0.35 $cm^2/V{\cdot}sec$ and 0.12 $cm^2/V{\cdot}sec$, threshold voltage was -4.7 V and 0.9 V, respectively, and on/off current ratio was ${\sim}10^5$, for both screen masks. We applied the 500 mash Ag paste to OTFT-OLED array because of its good patterning property. The pixel was composed of two OTFTs and one capacitor and one OLED in the area of $2mm{\times}2mm$. The panel successfully worked in active mode operation even though there were a few bad pixels.
Journal of the Korean Graphic Arts Communication Society
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v.30
no.3
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pp.45-56
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2012
Printing technology is accepted by appropriate technology that smart phones, tablet PC, display(LCD, OLED, etc.) precision recently in the electronics industry, the market grows, this process in the ongoing efforts to improve competitiveness through the development of innovative technologies. So printed electronics appeared by new concept. This technology development is applied on electronic components and circuits for the simplification of the production process and reduce processing costs. Low-temperature process making possible for widening, slimmer, lighter, and more flexible, plastic substrates, such as(flexible) easily by forming a thin film on a substrate has been studied. In the past, the formation of the electrode used a screen printing method. But the screen printing method is formation of fine patterns, high-speed printing, mass production is difficult. The roll-to-roll printing method as an alternative to screen printing to produce electronic devices by printing techniques that were used traditionally in the latest technology and processing techniques applied to precision control are very economical to implement fine-line printing equipment has been evaluated as. In order to function as electronic devices, especially the dozens of existing micro-level of non-dot print fine line printing is required, the line should not break at all, because according to the specifications required to fit the ink transfer conditions should be established. In this study of roll-to-roll printing conductive paste suitable for gravure offset printing by developing Ag paste for forming fine patterns to study the basic physical properties with the aim of this study were to.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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