• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제15권3호
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• pp.164-169
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• 2014

We investigated the etching characteristics of $HfAlO_3$ thin films in $O_2/Cl_2/Ar$ and $O_2/BCl_3/Ar$ gas, using a high-density plasma (HDP) system. The etch rates of the $HfAlO_3$ thin film obtained were 30.1 nm/min and 36 nm/min in the $O_2/Cl_2/Ar$ (3:4:16 sccm) and $O_2/BCl_3/Ar$ (3:4:16 sccm) gas mixtures, respectively. At the same time, the etch rate was measured as a function of the etching parameter, namely as the process pressure. The chemical states on the surface of the etched $HfAlO_3$ thin films were investigated by X-ray photoelectron spectroscopy. Auger electron spectroscopy was used for elemental analysis on the surface of the etched $HfAlO_3$ thin films. These surface analyses confirm that the surface of the etched $HfAlO_3$ thin film is formed with nonvolatile by-product. Also, Cl-O can protect the sidewall due to additional $O_2$.

• 소성∙가공
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• 제14권7호
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• pp.624-627
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• 2005

In this paper, we investigated the possibility of replicating patterned media by nano-injection molding process with a metallic nano-stamper. The original nano-master was fabricated by I-beam lithography and ICP etching process. The metallic nano-stamper was fabricated using a nanoimprint lithography and nano-electroforming process. Finally, the nano-patterned substrate was replicated using a nano-injection molding process without additional etching process. The replicated patterns using nano-injection molding process were as small as 50nm in diameter, 150nm in pitch, and 50nm in depth.

• 정보저장시스템학회논문집
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• 제1권2호
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• pp.192-196
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• 2005

In this paper, we investigated the possibility of replicating patterned media by nano-injection molding process with a metallic nano-stamper. The original nano-master was fabricated by E-beam lithography and ICP etching process. The metallic nano-stamper was fabricated using a nanoimprint lithography and nano-electroforming process. The nano-patterned substrate was replicated using a nano-injection molding process without additional etching process. In nano-injection molding process, since the solidified layer, generated during the polymer filling, deteriorates transcribability of nano patterns by preventing the polymer melt from filling the nano cavities, an injection-mold system was constructed to actively control the stamper surface temperature using MEMS heater and sensors. The replicated polymeric patterns using nano-injection molding process were as small as 50 nm in diameter, 150 nm in pitch, and 50 nm in depth. The replicated polymeric patterns can be applied to high density patterned media.

• 한국소성가공학회:학술대회논문집
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• 한국소성가공학회 2005년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.60-63
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• 2005

In this paper, we investigated the possibility of replicating patterned media by nano-injection molding process with a metallic nano-stamper. The original nano-master was fabricated by E-beam lithography and ICP etching process. The metallic nano-stamper was fabricated using a nanoimprint lithography and nano-electroforming process. Finally, the nano-patterned substrate was replicated using a nano-injection molding process without additional etching process. The replicated patterns using nano-injection molding process were as small as 50 nm in diameter, 150 nm in pitch, and 50 nm in depth.

• 대한소아치과학회지
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• 제34권1호
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• pp.106-121
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• 2007

본 연구는 치면열구전색술시 치과용 염료를 이용하여 초기 우식병소의 유무와 유기물의 잔재를 확인하고 산부식 액의 도포시 brushing방법을 이용하여 침투를 깊이 유도함으로써 열구내 법랑질의 산부식 상태를 유지력을 얻기 위한 최상의 상태로 만들고자 하는 목적으로 자연치를 대상으로 여러 가지 치면세마법과 비교하여 다음과 같은 결과를 얻었다. 1. 실험군은 기존의 치면세마법보다 변연누출이 적었으나 enameloplasty를 시행한 군과는 차이가 없었다. 2. 법랑질 산부식 형태의 질이 향상되었다. 3. 실험군은 다른 군에 비해 미세결합강도가 높았다. 4. 구강내 환경적 조건이 치면열구전색재의 성공실패를 좌우한다. 이상의 결과를 종합하면 치면열구전색술시 치과용 염료와 산부식 액의 도포시 brushing 방법을 이용하여 침투를 깊이 유도하므로써 수복물의 성공적인 도포를 제공할 수 있다고 사료된다.

• Restorative Dentistry and Endodontics
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• 제35권5호
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• pp.321-334
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• 2010

연구목적: 본 연구는 상아질 접착제의 잔류 용매가 접착 효율에 미치는 영향을 평가하고자 하였다. 연구 재료 및 방법: 본 연구에서는 5세대 2단계 산부식형 접착제와 7세대 단일과정 자가부식형 접착제를 사용하였다. 상아질 접착제의 증발률과 전환률, 적용 후 용매의 공기건조 방법에 따른 미세인장결합강도를 측정하였으며 접착 계면을 FE-SEM을 이용하여 관찰하였다. 결과: 1. 시간에 따라 접착제의 증발률은 증가하나 접착제의 종류에 따라 증가 양상이 서로 달랐다. 2. 대부분 전환률은 증발률에 비례하는 경향을 나타내었다. 3. 공기건조 방법에 따라 결합강도는 대부분 under군, control군, over군 순으로 증가하는 양상을 나타내었다. 4. FE-SEM에서 아세톤을 용매로 사용하는 접착제는 공기건조 방법에 따라 droplet이나 gap이 관찰되었다. 결론: 상아질 접착제의 잔류 용매는 접착 효율에 부정적인 영향을 미치기 때문에, 상아질 접착제의 선택과 사용 시 용매의 종류와 특징에 대한 적절한 이해가 필요할 것이다.

• 센서학회지
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• 제9권3호
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• pp.224-232
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• 2000

표면 미세가공 공정에서 Al 공정을 이용하면 Al 전극의 제작에 의해 접촉 저항이나 선 저항 등을 줄여 전기적인 신호 손실을 줄일 수 있고, 산화막을 희생층으로 사용하는 간단한 공정에 의해 Al 구조물 제작이 가능한 장점을 지닌다. 그러나 실제 공정에서는 Al 전극이나 Al 구조물이 희생층 제거 시에 사용되는 HF 용액에 의해서 부식되는 문제점이 있다. 이러한 문제점을 해결하기 위해 사용되는 희생층 식각액인 BHF/glycerine 혼합 용액에 대한 PSG와 Al의 기본적인 식각 특성은 표면 미세가공에서 발생하는 구조적인 제한 조건에 따라 상당히 달라진다. 본 논문에서는 이러한 희생층의 구조적 특성과 Al 박막의 증착 표면 거칠기의 변화로 인한 식각 특성의 변화를 고려하여 실제로 표면 미세가공에 적용 가능한 혼합 용액의 조건을 조사하였다. 희생층 식각 조건변화에 따른 BHF/glycerine 혼합용액의 최적 혼합비는 $NH_4F$:HF:glycerine=2:1:2에서 가장 좋은 식각 선택비를 보이는 것으로 나타났으며 이 실험 결과를 실제 Al 전극 제작에 적용한 결과 Al 패턴이 희생층 식각액에 대해서 우수한 내식성을 보였다. 또한 Al의 식각액에 대한 내식성을 향상시키기 위하여 CMP 공정을 도입하여 증착 표면을 개선시켰으며 이를 Al 구조물의 제작에 적용하여 식각 특성을 분석하였다. 이러한 분석을 통해 본 논문에서 제시한 식각 조건을 이용하면 Al 전극과 Al 구조물을 표준적인 표면 미세가공 공정을 통하여 간단하게 제작할 수 있다.

• 구강회복응용과학지
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• 제35권2호
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• pp.72-80
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• 2019

목적: 본 연구의 목적은 레진계 치아고정 재료의 법랑질 치면 처리 방법에 따른 전단결합강도와 파절 양상을 비교 분석하는 것이다. 연구 재료 및 방법: 레진계 치아고정 재료로 G-FIX, LightFix를 사용하였다. 시편 제작을 위해 소의 하악 절치 20개를 사용했다. 노출된 법랑질 표면을 4부분으로 구분하여, 각 분획 마다 37% 인산(E), 37% 인산+Adhesive resin (E+A), 37% 인산+G-premio bond (E+GP), G-premio bond (GP)로 각각의 치면 처리를 하고, 재료를 접착하였다. 만능 시험기를 이용하여 전단결합강도를 측정하였고, 시편의 파절된 표면을 현미경으로 확대하여 파절 양상을 관찰하였다. Two-way ANOVA를 이용하여 재료와 표면처리 방법 사이의 상호작용을 검증하였고 각 재료에서 표면처리 방법 사이의 비교를 위해 One-Way ANOVA test를 하고 Scheffe's test로 사후 검정 하였다. 각 표면처리 방법에서 재료 사이의 전단결합강도를 비교하기 위해 independent t-test를 하였다. 모든 통계는 95% 유의수준에서 진행하였다. 결과: 동요치 고정을 위한 G-FIX는 산부식만 시행한 후 재료를 적용해도 접착 레진을 추가적으로 사용했을 때와 유사한 전단결합강도를 보였으며 LightFix는 산부식을 시행한 후 접착 레진을 추가적으로 사용했을 때 가장 높은 전단결합강도를 보였다. 또한, G-FIX와 LightFix 모두에서 별도의 산부식 없이 자가부식 접착제만 처리했을 때 가장 낮은 전단결합강도를 보였다. 교호작용의 검증 결과 치아고정용 레진과 표면처리 방법 사이의 상호 연관됨이 관찰되었다. 파절 양상은 모든 군에서 대부분 혼합성 파절이 관찰되었다. 결론: 치아 고정용 레진인 G-FIX와 LightFix의 사용시 제조사의 지시와 같이 산부식만 시행한 후 재료를 적용해도 충분한 접착이 이루어질 것으로 생각된다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2003년도 하계학술대회 논문집 Vol.4 No.1
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• pp.58-62
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• 2003

Silicon carbide (SiC) was etched in a $NF_3/CH_4$ inductively coupled plasma. The etch process was modeled by using a neural network called generalized regression neural network (GRNN). For modeling, the process was characterized by a $2^4$ full factorial experiment with one center point. To test model appropriateness, additional test data of 16 experiments were conducted. Particularly, the GRNN predictive capability was drastically improved by a genetic algorithm (GA). This was demonstrated by an improvement of more than 80% compared to a conventionally obtained model. Predicted model behaviors were highly consistent with actual measurements. From the optimized model, several plots were generated to examine etch rate variation under various plasma conditions. Unlike the typical behavior, the etch rate variation was quite different depending on the bias power Under lower bias powers, the source power effect was strongly dependent on induced dc bias. The etch rate was strongly correated to the do bias induced by the gas ratio. Particularly, the etch rate variation with the bias power at different gas ratio seemed to be limited by the etchant supply.

• 한국생산제조학회지
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• 제23권6호
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• pp.533-538
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• 2014

We fabricated grooved mushroom structures with anisotropic wettability on silicon substrates using basic MEMS processes. The geometry of these grooved mushroom structures could be changed by controlling the additional IPA solution during Si etching by TMAH solution. To understand anisotropic wettability, contact angles (CAs) of hexadecane droplets were measured in the orthogonal and parallel directions to grooved lines. The CA measurement results displayed anisotropic wetting on the grooved mushroom structures. However, specimens with $80{\mu}m$ distance between top layers displayed isotropic and superoleophobic wetting. This study demonstrates that the thickness of the top layer is more critical than the width or height of the ridge when determining the wettability of organic solvent. Despite the wide distance between top layers ($80{\mu}m$), the specimen with a thin top layer (100 nm) showed highly anisotropic wetting and low CA due to the pinning of droplets at the edge of the top layer.