Constructing and making highly active and stable nanostructured Pt-based catalysts with ultralow Pt loading are still electrifying for electrochemical applications such as water electrolysis and fuel cells. In this study, MoO3 ribbons (RBs) of few micrometer in length is successfully synthesized via hydrothermal synthesis. Subsequently, 3-dimentional (3D)-silicate layer for about 10 to 15 nm is introduced via chemical deposition onto the pre-formed MoO3 RBs; to setup the platform for Pt metaldots (MDs) deposition. In comparison with the bare MoO3 RBs, the MoO3-Si has served as a efficient solid-support for stabilizing and accommodating the uniform deposition of sub-2 nm Pt MDs. Such a structural design would effectively assist in improving the electronic conductivity of a fabricated MoO3-Si-Pt catalyst towards MOR; the interfaced, porous and 3D silicate layer has assisted in an efficient mass transport and quenching the poisonous COads species leading to a significant electrocatalytic performance for MOR in alkaline medium. Uniformly decorated, sub-2 nm sized Pt MDs has synergistically oxidized the MeOH in association with the MoO3-Si solid-support hence, synergistic catalytic activity has been achieved. Present facile approach can be extended for fabricating variety of highly efficient Metal Oxide-Metal Nanocomposite for energy harvesting applications.
We report the effect of the fabric of the surface microstructure on the CO gas sensing properties of $SnO_2$ thin films deposited on self-assembled Au nanodots ($SnO_2$/Au) that were formed on $SiO_2/Si$ substrates. We characterized structural and morphological properties, comparing them to those of $SnO_2$ thin films deposited directly onto $SiO_2/Si$ substrates. We observed a significant enhancement of CO gas sensing properties in the $SnO_2$/Au gas sensors, specifically exhibiting a high maximum response at $200^{\circ}C$ and quite a low detection limit of 1 ppm level in dry air. In particular, the response of the $SnO_2/Au$ gas sensor was found to reach the maximum value of 32.5 at $200^{\circ}C$, which is roughly 27 times higher than the response (~1.2) of the $SnO_2$ gas sensor obtained at the same operating temperature of $200^{\circ}C$. Furthermore, the $SnO_2/Au$ gas sensors displayed very fast response and recovery behaviors. The observed enhancement in the CO gas sensing properties of the $SnO_2/Au$ sensors is mainly ascribed to the formation of a nanostructured morphology in the active $SnO_2$ layer having a high specific surface-reaction area by the insertion of a nanodot form of Au nucleation layer.
We compared the electrical, optical, structural, and interface properties of indium zinc oxide (IZO)-Ag-IZO and IZO-Au-IZO multilayer electrodes deposited by linear facing target sputtering system at room temperature for organic photovoltaics. The IZO-Ag-IZO and IZO-Au-IZO multilayer electrodes show a significant reduction in their sheet resistance (4.15 and 5.49 Ohm/square) and resistivity ($3.9{\times}10^{-5}$ and $5.5{\times}10^{-5}$Ohm-cm) with increasing thickness of the Ag and Au layers, respectively. In spite of its similar electrical properties, the optical transmittance of the IZO-Ag-IZO electrode is much higher than that of the IZO-Au-IZO electrode, due to the more effective antireflection effect of Ag than Au in the visible region. In addition, the Auger electron spectroscopy depth profile results for the IZO/Ag/IZO and IZO/Au/IZO multilayer electrodes showed no interfacial reaction between the IZO layer and Ag or Au layer, due to the low preparation temperature. To investigate in detail the Ag and Au structures on the bottom IZO electrode with increasing thickness, a synchrotron x-ray scattering examination was employed. Moreover, the OSC fabricated on the IZO-Ag-IZO electrode shows a higher power conversion efficiency (3.05%) than the OSC prepared on the IZO-Au-IZO electrode (2.66%), due to its high optical transmittance in the wavelength range of 400-600 nm, which is the absorption wavelength of the P3HT:PCBM active layer.
Currently, organic light-emitting diodes (OLEDs) have been proven of their readiness for commercialization in terms of lifetime and efficiency. In accordance with emerging new technologies, enhancement of light efficiency and extension of application fields are required. Particularly inverted structures, in which electron injection occurs at bottom and hole injection on top, show crucial advantages due to their easy integration with Si-based driving circuits for active matrix OLED as well as large open area for brighter illumination. In order to get better performance and process reliability, usually a proper buffer layer for carrier injection is needed. In inverted top emission OLED, the buffer layer should protect underlying organic materials against destructive particles during the electrode deposition, in addition to increasing their efficiency by reducing carrier injection barrier. For hole injection layers, there are several requirements for the buffer layer, such as high transparency, high work function, and reasonable electrical conductivity. As a buffer material, a few kinds of transition metal oxides for inverted OLED applications have been successfully utilized aiming at efficient hole injection properties. Among them, we chose 2 nm of $WO_3$ between NPB [N,N'-bis(1-naphthyl)-N,N'-diphenyl-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine] and Au (or Al) films. The interfacial energy-level alignment and chemical reaction as a function of film coverage have been measured by using in-situ ultraviolet and X-ray photoelectron spectroscopy. It turned out that the $WO_3$ interlayer substantially reduces the hole injection barrier irrespective of the kind of electrode metals. It also avoids direct chemical interaction between NPB and metal atoms. This observation clearly validates the use of $WO_3$ interlayer as hole injection for inverted OLED applications.
혼합전도체 산화물, LSCF의 전극반응점 분포에 따른 분극현상을 관찰하기 위해 다공성 양극의 기공률을 변화시켜가며 분극특성을 관찰하였다. 전극의 기공률을 달리하기 위해 크기가 다른 두 종류의 LSCF 분말들을 혼합비를 달리하여 사용하였으며 GDC 전해질 기판에 스크린 인쇄법을 통해 전극을 구성한 후 반쪽전지 실험을 수행하였다. 제조된 후막전극의 기공률은 화상 분석법을 통해 측정하였으며 전극의 전체 비표면적을 유추하기 위해 2차원 이미지에서의 기공의 둘레 길이를 측정하였다. 교류 임피던스법을 이용해 분극 특성을 관찰한 결과 혼합전도체인 LSCF 양극에서의 전극반응은 i) 양극표면에서 이온화된 산소이온이 전해질과의 삼상계면까지 이동해 오는 단계, ii) 이동해온 산소이온이 양극으로부터 전해질로 전달되는 반응단계에 의해 제어됨을 알 수 있었다. 이러한 양극에서의 분극은 기공률의 증가에 따라 전극 반응에 필요한 활성 표면이 증가됨으로써 줄어드는 것을 알 수 있었다.
질소 치환한 소용량 조제분유 포장에서 초기 잔존 산소와 저장 중 투과 유입되는 산소를 제거하여 추가적인 산화 방지 효과를 얻고자 산소흡수제를 함입하는 포장을 구성 설계하였다. 조제분유 13 g을 담은 5 × 7 cm의 폴리에틸렌/펄프 다층 세공성 여과 봉지와 함께 산소흡수제를 8 × 9 cm의 알루미늄 적층 필름 포장에 넣은 후, 질소 기체로 치환포장하여 30℃에서 254일 동안 저장하였고, 같은 조건에서 산소흡수제가 함입되지 않은 대조구 포장 조건과 비교하였다. 산소흡수제는 조제분유와 직접적인 접촉을 하지 않으면서도 포장 내부의 산소를 전량 흡수할 수 있었으며 산소의 제거에 따른 산화 방지로 인하여 이산화탄소 발생을 보이지 않았다. 전 저장기간 동안 대조구 포장 제품에 비하여 산소흡수제 함입 포장의 제품에서는 0.7~2.2 meq/kg 만큼의 낮은 과산화물가를 보여서 조제분유 포장에서 산소흡수제의 산화 지연 효과를 확인할 수 있었다. 초기 갈변지표 물질인 HMF 함량은 두 처리구간 큰 차이를 보이지 않았다. 본 연구의 산소흡수제 함입 조제분유 포장은 소용량 포장의 유통기한을 연장하고 제품 품질을 향상시킬 수 있는 가능성을 제공하였다.
We investigated the effects of SiH$_4$ gas on the surface of Hf-silicate films during the deposition of polycrystalline (poly) Si films and the thermal stability of sputtered Hf-silicate films in poly Si/Hf-silicate structure by using High Resolution Transmission Electron Microscopy (HR-TEM) and X-ray Photoelectron Spectroscopy (XPS). Hf-silicate films were deposited by using DC-mag-netron sputtering with Hf target and Si target and poly Si films were deposited at 600$^{\circ}C$ by using Low Pressure Chemical Vapor Deposition (LPCVD) with SiH$_4$ gas. After poly Si film deposition at 600$^{\circ}C$, Hf silicide layer was observed between poly Si and Hf-silicate films due to the reaction between active SiH$_4$ gas and Hf-silicate films. After annealing at 900$^{\circ}C$, Hf silicide, formed during the deposition of poly Si, changed to Hf-silicate and the phase separation of the silicate was not observed. In addition, the Hf-silicate films remain amorphous phase.
A systematic study of the role of transfer films on friction properties was performed with various temperatures in the brake system. An NAO friction material specimens containing 9 ingredients were tested using a pad-on-disk type friction tester A new method of measuring the transfer film thickness was developed by considering the electrical resistance of the transfer film using a 4-point probe technique. The properties of transfer film such as surface morphology and film distribution vaied according to the relative amount of graphite and magnesium oxide. By using SEM, it was possible to obtain information about the chemical composition of the transfer film. Results showed that there detected a threshold value of the relative amount of a two active materials to maintain a certiain thickness of a transfer film. Results also showed that formation of friction layer generated on the friction surface was strongly affected by chemical action of two ingredients during sliding due to chemical reaction of solid lubricants at different interface temperature. The results suggested that no apparent relationship between transfer film thickness and the average friction coefficient was founded and friction characteristics were affected more by the property of the solid lubricant and abrasive in the material.
In-situ micro-channeled multi tubular solid oxide fuel cell(SOFC) was fabricated using multi-pass extrusion process with out side diameter of 2.7 mm and active length of 5 mm that contained 61 individual cells. Cell materials used in this work were NiO-YSZ (50 : 50 vol.%), 8 mol% yttria-stabilized zirconia(8YSZ), $La_{0.8}Sr_{0.2}MnO_3(LSM)$ as anode, electrolyte, and cathode, respectively. The arrangement of each electrode and electrolyte layer in green bodies showed uniformity and integrity after extrusion and sintering. The XRD analysis confirmed that no reaction phases appeared and the microstructure of the electrolyte was fairly dense (relative density > 96%) after sintering.
In order to study the growth and maturation of ovarian follicle, the localization and activity of alkaline phosphatase(ALPase) and adenosine triphosphatase(ATPase) of the granulosa cells and theca layer were examined according to the follicle size, the follicle state and the ovarian cyclic phase in pig. Theca interna of the small follicles was more heavyly localized with reaction product by the activites of ALPase and ATPase than that of the large follicles. It is assumed that, as the follicles proceed to growth and maturation, antrum formation is the result of the follicular fluid accumulation by means of active transport by the activities of ALPase and ATPase in theca interna. The activities of ALPase and ATPase in atretic follicles were higher than those of normal follicles. These results imply that the mechanisms of follicle maturation and atresia are different according to the phase of ovarian cycle.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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