• 한국정보통신학회논문지
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• 제8권4호
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• pp.886-893
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• 2004

본 논문에서는 트랜지스터를 이용해서 이득을 갖는 능동 대역 통과 필터, 부성저항 특성을 갖는 능동 공진기를 이용한 능동 공진 발진기를 설계 제작하였다. 제안된 능동 공진 발진기는 ISM 대역의 국부 발진기로 사용 가능하도록 5.5GHz의 발진주파수를 갖도록 설계하였다. 설계된 능동 공진 발진기는 유전율 3.38, 유전체 두께 0.508mm, 금속 두께 0.018mm인 기판 위에 구현하였다. 이득을 갖는 능동 대역 통과 필터를 이용한 능동 공진 발진기는 5.6GHz의 발진주파수와 -2Bm의 출력과 100kHz 옵셋에서의 위상잡음 특성은 -81dBc/Hz이다. 부성저항 특성을 갖는 능동 공진기를 이용한 능동 공진 발진기는 5.8GHZ의 발진주파수와- 4dBm의 출력과 100kHz 옵셋에서의 위상잡음 특성은 -91dBc/Hz이다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제7권8호
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• pp.1591-1597
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• 2003

본 논문에서는 HEMT(Agilent ATF­34143)를 이용한 부성저항 특성을 갖는 능동 인덕터와 캐패시터를 이용해 능동 공진 발진기 제작에 응용하였다. 5.5GHz 대역에서 능동 인덕터는 ­25$\Omega$의 부성저항과 2.4nH의 인덕턴스를 갖고, 능동 캐패시터는 ­14$\Omega$의 부성저항과 0.35pF의 캐패시턴스를 갖도록 설계하였다. 설계된 능동 인덕터와 캐패시터를 이용 5.8GHz ISM 대역의 국부 발진기로 사용 가능한 능동 공진 발진기를 설계하였다. 애질런트사의 ADS 2002C를 이용 시뮬레이션 하였다. 설계된 발진기는 유전율 3.38, 유전체 두께 0.508mm, 금속 두께 0.018mm인 기판위에 HMIC 형태로 구현하였다. 제작된 능동 공진 발진기는 5.68GHz의 기본 발진주파수에서 ­3.6㏈m의 출력을 얻었고, 100KHz 옵셋에서 ­81㏈c1/Hz의 위상잡음 특성을 갖는다.

• 전자공학회논문지A
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• 제29A권2호
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• pp.8-17
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• 1992

In this paper a push-push oscillator using DR (dielectric resonator) at K-band is designed and constructed. Two identical oscillators are arranged in a push-push configuration that has the frequency of oscillator that is twice frequency each oscillator. A dielectric resonator is placed at the input of an active two-port device(FET) yielding a stable frequency source. The oscillators realized with this technique exhibit excellent spectral purity and cancellation of fundamental frequency.

• 한국통신학회논문지
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• 제21권3호
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• pp.763-770
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• 1996

In this paper, the Single-stage Transmission type Injectiong-Locked Oscillator(STILO) was designed and fabicated for the Active Integrated Phased Array Antenna(AIPAA) system. The STILO, which was designed and fabricated by injection-locked technique and hair-pin resonator, has the same 210MHz frequency tuning range of the Voltage Controlled Oscillator(VCO) used by varactor. The locking bandwidth of STILO with 11.5MHz bandwidth, is much better than that of the Injection-Locked Dielectric Resonator Oscillator(ILDRO), And the STILO has the improved noise characteristics in AM, FM, and PM. This STILO is useful for the AIPAA, the coupled VCO array, an the MMIC structure.

• 한국통신학회논문지
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• 제30권2A호
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• pp.122-128
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• 2005

본 논문에서는 고조파 억압 특성 개선을 위한 저잡음 병렬 궤환형 발진기 (Parallel feedback oscillator)와 주파수 체배기 (frequency doubler)를 설계 및 제작하였다. 주파수 체배를 위한 발진기의 기본 주파수를 유전체 공진기 (DR: Dielectric Resonator) 여파기와 능동소자 사이에서 얻음으로써 불요 고조파를 현저히 억압하였다. 발진기의 기본 주파수 신호는 고조파 신호를 억압하기 위한 부가적인 대역 통과 여파기가 필요치 않으며 곧바로 주파수 체배기의 입력단으로 인가되어 주파수 체배기의 입력 정합 회로가 간단하다. 측정된 발진기의 고조파 억압 특성은 -47.7 dBc이고 주파수 체배기를 이용하였을 때 24.0 GHz 에서의 기본 주파수 억압 특성은 -37.5 dBc이다. 위상 잡음 특성은 중심 주파수에서 10 KHz와 100 KHz 떨어진 곳에서 각각 -80.3 dBc/Hz와 -93.5 dBc/Hz이다.

• 한국전자통신학회논문지
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• 제9권11호
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• pp.1215-1220
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• 2014

본 논문은 GaAs MESFET를 이용하여 X-band 레이더용 국부발진기를 설계 및 제작하였다. GaAs MESFET는 매우 낮은 저잡음특성과 높은 전자이동도를 가지기 때문에 초고주파용 저잡음 발진기에 적합하다. 본 논문의 발진기 설계 방법은 RF 공진기를 사용하지 않고 능동소자의 부성저항 특성과 임피던스 정합법에 의해 이루어진다. 따라서 RF 공진기가 차지하는 면적을 줄일 수 있고 MMIC화가 가능하여 발진기의 크기를 소형화할 수 있는 장점이 있다. 설계된 발진기는 중심주파수 10.545 GHz에서 출력 2.30 dBm을 나타낸다.

• Journal of electromagnetic engineering and science
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• 제12권4호
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• pp.227-233
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• 2012

This paper describes a novel and compact biosensing platform using an RF active system. The proposed sensing system is based on the oscillation frequency deviation due to the biomolecular binding mechanism on a resonator. The impedance variation of the resonator, which is caused by a specific biomolecular interaction results in a corresponding change in the oscillation frequency of the oscillator so that this change is used for the discrimination of the biomolecular binding, along with concentration variation. Also, a Surface Acoustic Wave (SAW) filter is utilized in order to enhance the biosensing performance of our system. Because the oscillator operates at the skirt frequency range of the SAW filter, a small amount of oscillation frequency deviation is transformed into a large variation in the output amplitude. Next, a power detector is used to detect the amplitude variation and convert it to DC voltage. It was also found that the frequency response of the biosensing system changes linearly with three streptavidin concentrations. Therefore, we expect that the proposed RF biosensing system can be applied to bio/medical applications capable of detecting a nano-sized biomolecular interaction.

• 전자공학회논문지A
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• 제30A권12호
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• pp.28-35
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• 1993

The MESFET can be used as a three-terminal varactor by employing gate depletion capacitance Cg. In this paper, a novel VCDRO(voltage controlled dielecric resonator oscillator) is designed to apply VCDRO with this concept. The VCDRO produced 6.33dBm output power at a frequency of 11.058GHz and tunning bandwidth of 45MHz. The advantage of using the MESFET as a three-terminal varactor is to let the MESFET play both roles at the same time, thus simplifying the circuit configuration and fabrication. This finding demonstrates the potential of using both real and imaginary parts of the equivalent impedance of the active device.

• 전기전자학회논문지
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• 제15권1호
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• pp.49-56
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• 2011

본 논문에서는 고주파 발진회로의 공진기를 패치 안테나로 사용하는 능동발진 안테나를 2.4GHz 대역에서 제안하여 소형 무선도플러 센서로서 이동체의 거리나 속도 등을 측정할 수 있게 하였다. 이동체의 움직임은 고주파 발진 주파수의 천이를 발생시키며 이를 검출하는 회로를 통해 제안된 구조의 동작을 확인하였다. 설계 제작된 무선 도플러 센서는 직경이 30mm, 높이 4.2mm 정도로 매우 작은 원형디스크 형태를 갖으며, 안테나는 2.373GHz에서 약 130도의 빔폭과 전방향 방사특성을 나타내었다. 센서의 감도 측정결과, 1m 떨어져 움직이고 있는 도체판에 대해 최소 190mV의 도플러 신호 전압을 얻었고, 센서의 자유낙하 실험으로부터 지표상의 4.5m 지점에서 부터 지표면까지 전압크기가 선형적으로 증가하였다.

• 한국전자파학회:학술대회논문집
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• 한국전자파학회 2003년도 종합학술발표회 논문집 Vol.13 No.1
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• pp.234-238
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• 2003

In this work, we have designed a fully integrated 2.4GHz LC-tuned voltage-controlled oscillator (VCO) with multiple tuning inputs for a $0.25-{\mu}m$ standard CMOS Process. The design of voltage-controlled oscillator is based on an LC-resonator with a spiral inductor of octagonal type and pMOS-varactors. Only two metal layer have been used in the designed inductor. The frequency tuning is achieved by using parallel pMOS transistors as varactors and back-gate tuned pMOS transistors in an active region. Coarse tuning is achieved by using 3-bit pMOS-varactors and fine tuning is performed by using back-gate tuned pMOS transistors in the active region. When 3-bit digital and analog inputs are applied to the designed circuits, voltage-controlled oscillator shows the tuning feature of frequency range between 2.3 GHz and 2.64 GHz. At the power supply voltage of 2.5 V, phase noise is -128dBc/Hz at 3MHz offset from the carrier, Total power dissipation is 7.5 mW.