• Journal of Information Display
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• 제6권1호
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• pp.12-16
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• 2005

Gate and data drivers are essential for driving active matrix display. In this study, we integrate drivers with a-Si:H to develop a compact, better reliability and cost effective display. We design and fabricate drivers with conventional a-Si:H thin film transistors (TFTs). The output voltages are investigated according to the input voltage, temperature and operation time. Based on these studies, we propose here a new driver to prevent gate line from the floated state. For the external coupled voltage fluctuation, the proposed driver shows better stability.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2002년도 International Meeting on Information Display
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• pp.167-170
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• 2002

We have proposed new pixel structures for Active Matrix OELD (AMOELD) to improve the uniformity of luminance and manufactured a full-color 3.6-inch QVGA AMOELD. The proposed pixel structures, composed of four TFTs and one capacitor, can display 64 gray scales by compensating threshold voltage (Vth) variation of driving TFTs. Nonuniformity and peak intensity of measured luminance are under 14% and over $200cd/m^2$, respectively.

• Journal of the Optical Society of Korea
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• 제16권2호
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• pp.181-184
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• 2012

We report, for the first time, operation frequency dependence of current density-voltage ($J_{OLED}-V_{OLED}$) shift for multi-layer organic light-emitting diodes (OLEDs). When the OLEDs were electrically stressed for 21 hours with 50% duty voltage pulses at 60, 120, 240, and 360 Hz, the JOLED-VOLED shifts were suppressed by half for 360 Hz operation compared with 60 Hz operation, but with little change in emission efficiencies. This frequency dependent $J_{OLED}-V_{OLED}$ shift is believed to be commonly observed for typical multi-layer OLEDs and can be used to further improve lifetime of digitally-driven active-matrix OLED displays.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제21권6호
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• pp.1161-1166
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• 2017

최근 디스플레이 기술 발전과 함께 AMOLED(Active Matrix OLED) 패널(Panel)의 생산과 수요가 급증하고 있다. AMOLED 패널은 기본적으로 LCD와는 다르게 백라이트(Backlight)를 필요로 하지 않아 적은 소비전력으로 선명도 있는 영상의 출력이 가능하다. 따라서 세계적으로 AMOLED 시장이 커지고 있다. 이에 따라 생산에 필요한 검사 장치의 수요도 확산되고 있다. AMOLED 패널 에이징(Aging) 시스템의 검사 장치는 MES(Manufacturing Execution System), MIS(Management Information System)와 연동하여 운영되며, 네트워크 환경을 구축하는 것이 효율적이다. 패널 에이징에 사용되는 검사 장치는 다중 신호를 출력하는 기능을 가진 신호 생성기(Pattern Generator)이다. 다수개의 신호 생성기를 운영하기 위해서는 효율적인 설계가 필요하다. 이를 해결하기 위해 본 논문에서는 신호 생성기를 원격으로 통합 제어하기 위한 방법과 AMOLED 패널을 구동시키기 위한 방법을 제안하고 이를 구현하였으며, 이에 따른 타이밍과 전원 설정 결과를 제시하였다.

• 한국정보전자통신기술학회논문지
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• 제2권1호
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• pp.3-9
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• 2009

AMOLED 디스플레이는 LCD에 비해 넓은 시야각, 빠른 응답 속도, 박막화의 용이성 등의 많은 장점들을 갖고 있으나 불균일한 TFT의 전기적 특성과 전원선의 전압 강하에 의한 휘도 불균일, 잔상 현상 및 수명 등과 같은 많은 문제점들이 있다. 이 중에서 본 논문에서는 구동 TFT 소자의 hysteresis 현상에 의해 발생하는 가역적 잔상 현상을 개선하고자 한다. TFT의 hysteresis 특성을 개선하기 위해 게이트 산화막 증착 전에 표면 처리 조건을 변경하였다. 게이트 산화막 증착 전에 실시한 자외선 및 수소 플라즈마 표면 처리는 게이트 산화막과 다결정 실리콘 박막 사이의 계면 trap 밀도를 $3.11{\times}10^{11}cm^{-2}$로 감소시켰고, hysteresis 레벨을 0.23 V로 줄였으며 출력 전류 변화율을 3.65 %로 감소시켰다. 자외선 및 수소 플라즈마 처리를 행함으로써 AMOLED 디스플레이의 가역적 잔상을 많이 개선할 수 있을 것으로 기대된다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제43회 하계 정기 학술대회 초록집
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• pp.374-374
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• 2012

Nowadays, Active Matrix Organic Light-Emitting Diodes (AM-OLEDs) are the superior display device due to their vivid full color, perfect video capability, light weight, low driving power, and potential flexibility. One of the advantages of AM-OLED over Liquid Crystal Display (LCD) lies in its flexibility. The potential flexibility of AM-OLED is not fully explored due to its sensitivity to moisture and oxygen which are readily present in atmosphere, and there are no flexible encapsulation layers available to protect these. Therefore, we come up with a new concept of Inorganic-Organic hybrid thin film as the encapsulation layer. Our Inorganic layer is Al2O3 and Organic layer is F-Alucone. We deposited these layers in vacuum state using Atomic Layer Deposition (ALD) and Molecular Layer Deposition (MLD) techniques. We found the results are comparable to commercial requirement of 10-6 g/m2 day for Water Vapor Transmission Rate (WVTR). Using ALD and MLD, we can control the exact thin film thickness and fabricate more dense films than chemical or physical vapor deposition methods. Moreover, this hybrid encapsulation layer potentially has both the flexibility of organic layers and superior protection properties of inorganic layer.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2002년도 ITC-CSCC -2
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• pp.1125-1128
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• 2002

Tantalum pentoxide (Ta$_2$O$\sub$5/) is a candidate for use in metal-insulator-metal diode in switching devices for active-matrix liquid-crystal displays. The MIM diode with very low threshold voltage and perfect symmetry was fabricated. High quality Ta$_2$O$\sub$5/ thin films were obtained by using an anodizing method. Rutherford backscattering spectroscopy, transmission electron microscope observations, auger electron spectroscopy, ellipsometry measurements, and electrical measurements, such as current - voltage(I-V) measurements were performed to investigate Ta$_2$O$\sub$5/ films and their reliability and indicated that the obtained TaOx thin films were reliable Ta$_2$O$\sub$5/ films for the applications. Furthermore, in this paper, we discuss the effects of top-electrode metals and annealing conditions. The conduction mechanism of the leakage current and the symmetry characteristics related to the Schottky emission and Poole-Frankel effect are also discussed using the results of electrical measurements and conduction barrier theory.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1996년도 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1582-1584
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• 1996

The polycrystalline silicon thin film transistors (poly-Si TFT) are the most promising candidate for active matrix liquid crystal displays (AMLCD) for their high mobilities and current driving capabilities. The leakage current of the poly-Si TFT is much higher than that of the amorphous-Si TFT, thus larger storage capacitance is required which reduces the aperture ratio fur the pixel. The offset gated poly-Si TFTs have been widely investigated in order to reduce the leakage current. The conventional method for fabricating an offset device may require additional mask and photolithography process step, which is inapplicable for self-aligned source/drain ion implantation and rather cost inefficient. Due to mis-alignment, offset devices show asymmetric transfer characteristics as the source and drain are switched. We have proposed and fabricated a new offset poly-Si TFT by applying photoresist reflow process. The new method does not require an additional mask step and self-aligned ion implantation is applied, thus precise offset length can be defined and source/drain symmetric transfer characteristics are achieved.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제40회 동계학술대회 초록집
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• pp.128-128
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• 2011

Polysilicon thin-film transistors (poly-Si TFTs)는 능동행렬 액정 표시 소자(AMLCD : Active Matrix Liquid Crystal Display)와 DRAM과 같은 메모리 분야에 폭넓게 적용이 가능하기 때문에 많은 연구가 진행되고 있다. 최근 poly-Si TFTs의 우수한 특성으로 인하여 주변 driving circuits에 직접화가 가능하게 되었다. 또한 디스플레이 LCD 패널에 controller와 메모리와 같은 다 기능의 장치을 직접화 하여 비용의 절감과 소자의 소형화가 가능한 SOP (System on panels)에 연구 또한 진행 되고 있다. 이미 잘 알려진 바와 같이 비휘발성 메모리는 낮은 소비전력과 비휘발성이라는 특성 때문에 이동식 디바이스에 데이터 저장 장치로 많이 사용되고 있다. 하지만 플로팅 타입의 비휘발성 메모리는 제작공정의 문제로 인하여 SOP의 적용에 어려움을 가지고 있다. SONOS 타입의 메모리는 빠른 쓰기/지우기 효율과 긴 데이터 유지 특성을 가지고 있으나 소자의 스케일링 따른 누설전류의 증가와 10년의 데이터 보존 특성을 만족 시킬 수 가 없는 문제가 발생한다. 본 연구에서는 SOP 적용을 위하여 ELA 방법을 통하여 결정화한 poly-Si TFT memory를 SiO2/Si3N4/SiO2 Tunnel barrier와 High-k HfO2과 Al2O3을 Trapping layer와 Blocking layer로 적용, 비휘발성 메모리을 제작하여 전기적 특성을 알아보았다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2004년도 추계학술대회 논문집 전기물성,응용부문
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• pp.20-22
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• 2004

유기 EL(Organic Light Emitting diode : OLED)은 자체발광 소자로서 액정 디스플레이(Liquid Crystal Display)에 비해 빠른 응답속도, 넓은 시야각 등의 뛰어난 화질 표현이 가능하다. 구동 박막 트랜지스터(TFT)의 전류가 OLED의 휘도를 결정하므로, 고품질의 영상을 위해 미세한 TFT 전류 조절 능력이 매우 중요하다. 비정질 실리콘(a-Si) TFT는 그레인 구조를 갖는 다결정 실리콘(poly-Si) TFT에 비해 균일한 전기적 특성을 나타내지만, 장시간 구동에 따른 문턱전압의 열화가 발생한다. 본 논문에서는 상기의 문제점을 최소화하기 위하여 positive bias에 의한 열화를 negative bias로 어닐링하는 구동방법을 제안하였다. 본 회로는 2개의 게이트 선택 신호와 6개의 a-Si TFT로 이루어져 있다. 실험 결과를 통해 추출된 소자 parameter를 바탕으로 제안된 회로의 simulation을 수행 및 검증하였다. 본 회로는 a-Si TFT에서 발생하는 문턱전압 열화 등의 신뢰성 문제를 감소시킨다.