• 한국세라믹학회지
• /
• 제33권7호
• /
• pp.735-742
• /
• 1996

Antimony-doped Tin oxide (ATO) thin films were deposited on soda-lime glass substrates by DC magnetron sputtering technique. Effects of DC power film thickness and post heat-treatment on electrical conductivity of ATO film were investigated. Other properties of ATO film such as optical anti-chemical and wear properties were also reported in this work. The obtained ATO films showed electrical resistivities ranging from 5$\times$10-3 $\Omega$cm to 3$\times$10-3 $\Omega$cm with the average optical transparency above 80% in visible wavelength range and excel-lent anti-chemical properties where the electrical resistivity was not changed even after soaking the films in 1M HCl or 1M NaOH solution for 10 days. These properties were found to be related to the crystallinity of ATO film and the films having higher crystallinity showed better properties.

• 한국재료학회지
• /
• 제25권4호
• /
• pp.177-182
• /
• 2015

Sb-doped $SnO_2$(ATO) thin films were prepared using electrospinning. To investigate the optimum properties of the electrospun ATO thin films, the deposition numbers of the ATO nanofibers(NFs) were controlled to levels of 1, 2, 4, and 6. Together with the different levels of deposition number, the structural, chemical, morphological, electrical, and optical properties of the nanofibers were investigated. As the deposition number of the ATO NFs increased, the thickness of the ATO thin films increased and the film surfaces were gradually densified, which affected the electrical properties of the ATO thin films. 6 levels of the ATO thin film exhibited superior electrical properties due to the improved carrier concentration and Hall mobility resulting from the increased thickness and surface densification. Also, the thickness of the samples had an effect on the optical properties of the ATO thin films. The ATO thin films with 6 deposited levels displayed the lowest transmittance and highest haze. Therefore, the figure of merit(FOM) considering the electrical and optical properties showed the best value for ATO thin films with 4 deposited levels.

• 한국결정성장학회지
• /
• 제13권5호
• /
• pp.241-246
• /
• 2003

ATO(antimony-doped tin oxide) 투명전도막을 sol-gel dip coating 방법에 의해 $SiO_2$/glass 기판 위에 성공적으로 제조하였다 ATO막의 결정상은 $SnO_2$상임을 확인하였고, 막의 두께는 withdrawal speed를 50 mm/minute로 코팅시 약 100 nm/layer였다. $SiO_2$/glass 기판 위에 코팅한 400 nm두께의 ATO 박막을 질소분위기에서 annealing한 후, 측정한 광 투과율과 전기 저항치는 각각 84%와 $5.0\times 10^{-3}\Omega \textrm{cm}$였다. 이러한 특성은 $SiO_2$막이 Na 이온의 확산을 제어하여 $Na_2SnO_3$ 및 SnO와 같은 불순물의 형성을 억제하고, 막 내부의 Sb의 농도와 $Sb^{3+}$에 대한 $Sb^{5+}$의 비를 증가시키는데 기여했기 때문으로 확인되었다. 또한, $N_2$ annealing은 $Sb^{5+}$뿐만 아니라 $Sn^{4+}$를 환원시킴으로써 전기전도도를 향상시킴을 확인하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 2000년도 하계학술대회 논문집
• /
• pp.361-364
• /
• 2000

Antimony doped tin oxide (ATO) thin films were deposited at room temperature by reactive ion-beam sputter deposition (IBSD) technique in oxidizing atmosphere utilizing Sb and Sn metal targets. Effect of Sb doping concentration, film thickness and heat treatment on electrical and optical properties was investigated. The thickness of as-deposited films was controlled approximately to 1500 $\AA$ or 2000$\AA$, and Sb concentration to 10.8 and 14.9 wt%, as determined by SEM and XPS analyses. Heat treatment was performed at the temperature from 40$0^{\circ}C$ to 80$0^{\circ}C$ in flowing $O_2$or forming gas. The resulting ATO films showed widely changing electrical resistivity and optical transmittance values in the visible spectrum depending on the composition, thickness and firing condition.

• 한국결정성장학회지
• /
• 제23권5호
• /
• pp.230-234
• /
• 2013

ATO 나노 입자들로 구성된 적외선 차단 박막이 솔-젤 법에 의해 성공적으로 제조되었다. 코팅액은 유무기 하이브리드 바인더와 콜로이드 ATO 용액으로 합성되었고 ATO 박막은 슬라이드 유리기판에 5~40 mm/s의 인상속도로 코팅되었다. 인상속도가 5 mm/s에서 40 mm/s로 증가함에 따라 코팅막의 두께 또한 $1.05{\mu}m$에서 $4.25{\mu}m$로 증가하였다. 그리고 파장 780 nm에서 2500 nm에서의 적외선 차단율은 49.5 %에서 66.7 %로 증가하였다. 또한 $80^{\circ}C$에서 건조된 ATO 박막의 연필경도 값은 5H를 나타내었고 tetraethylorthosilicate와 methyltrimethoxysilane을 합성한 하이브리드 바인더의 영향으로 테이프테스트 후 코팅막은 벗겨지지 않았다. 서로 다른 인상속도에 의해 제조된 박막의 표면구조, 광학적 특성 그리고 박막두께는 FE-SEM, UV-Vis-NIR 분광기 그리고 Dektak에 의해 측정되었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 2000년도 영호남학술대회 논문집
• /
• pp.307-310
• /
• 2000

Antimony doped tin oxide (ATO) thin films were deposited at room temperature by ion-beam sputter deposition (IBSD) technique in oxidizing atmosphere utilizing Sb and Sn metal targets. Effect of Sb doping concentration, film thickness and heat treatment on electrical and optical properties was investigated. The thickness of as-deposited films was controlled approximately to $1500{\AA}$ or $2000{\AA}$, and Sb concentration to 10.8 and 14.9 wt%, as determined by SEM and XPS analyses. Heat treatment was performed at the temperature from $400^{\circ}C$ to $600^{\circ}C$ in flowing $O_2$ or forming gas. The resulting ATO films showed widely changing electrical resistivity and optical transmittance values in the visible spectrum depending on the composition, thickness and firing condition.

• 한국세라믹학회지
• /
• 제37권11호
• /
• pp.1025-1032
• /
• 2000

산화분위기에서의 반응성 이온빔 스퍼터링법으로 Sn과 Sb 금속 타겟을 사용하여 실온에서 ATO 박막을 증착하였다. Sb 첨가량, 박막의 두께 및 열처리가 ATO 박막의 전기적 특성과 광학적 특성에 미치는 효과를 연구하고자 하였다. 제조된 ATO 박막의 두께는 약 1500$\AA$과 1000$\AA$으로 조절하였으며, Sb 농도는 10.8wt% 또는 14.9wt%임이 XPS 분석에 의하여 확인되었다. 증착한 박막의 열처리는 40$0^{\circ}C$~$600^{\circ}C$의 온도범위에서 산소 또는 forming gas(10% H$_2$-90% Ar) 분위기에서 30분간 수행하였다. 이렇게 제조된 ATO 박막은 Sb의 첨가량, 두께 및 열처리 조건에 따라 다양한 전기 비저항 값과 가시광선 대역에서의 광투과도를 나타내었다.

• 한국결정성장학회지
• /
• 제19권5호
• /
• pp.256-261
• /
• 2009

Sol-gel법에 의해 친수성 투명 $TiO_2$ 박막이 제조되었고, 박막의 접촉각, 표면구조, 투과율의 특성이 측정되었다. 더욱이 박막의 친수 특성을 향상시키기 위하여 계면활성제 tween 80이 이용되었다. Tween 80의 첨가량이 0, 10, 30, 50wt%일 때, 제조된 박막의 접촉각은 각각 $41.4^{\circ}$, $18.2^{\circ}$, $16.0^{\circ}$, $13.2^{\circ}$로 확인되었다. 제조된 $TiO_2$ 박막은 자외선 조사 후 Methylene blue용액을 분해시켜 흡광도를 감소시키는 광촉매 특성을 보여주었다. 일반유리(bare glass), Antimony Tin Oxide(ATO)코팅 유리, Fluorine Tin Oxide(FTO)코팅유리, Indium Tin Oxide(ITO)코팅유리 기판 위 에 Tween 80을 30 wt% 함유한 $TiO_2$ 용액을 적층하여 박막의 접촉각과 투과율을 측정하였다. 다양한 기판에 제조된 박막은 $16.2\sim27.1^{\circ}$의 표면 접촉각을 나타냈으며 자외선 조사 후에는 접촉각이 $13.2\sim17.6^{\circ}$로 낮아졌다. 특히 ATO코팅유리와 FTO 코팅유리 기판 위에 코팅된 필름은 가시광선 영역에서 각각 74.6%, 76.8%의 높은 투과율을 나타내었고, 적외선 영역에서는 각각 54.2%, 40.4%의 낮은 투과율을 나타냈다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 2000년도 추계학술대회 논문집
• /
• pp.192-195
• /
• 2000

Antimony doped tin oxyde thin films have been deposited by sol-gel method using non-alkoxide precursor SnCl$_2$$.$2H$_2$O as host and SbC1$_3$ as dopant material. Using spin coating method, thin films of thickness up to 200nm have been uniformly deposited on Corning 1737F non-alkali glass substrates. Effect of Sb doping concentration and heat treatment on electrical and optical properties was investigated. Heat treatment was performed at the temperature from 350$^{\circ}C$ to 650$^{\circ}C$ in flowing O$_2$. The resulting ATO films showed widely changing electrical resistivity and optical transmittance values in the visible spectrum depending on the composition and firing condition.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
• /
• 제13권5호
• /
• pp.241-244
• /
• 2012

Antimony doped tin oxide (ATO) thin films on glass substrate were prepared by the chemical solution deposition (CSD) method, using sol-gel solution synthesized by non-alkoxide precursors and the sol-gel route. The crystallinity and electrical properties of ATO thin films were investigated as a function of the annealing condition (both annealing environments and temperatures), and antimony (Sb) doping concentration. Electrical resistivity, carrier concentration, Hall mobility and optical transmittance of ATO thin films were improved by Sb doping up to 5~8 mol% and annealing in a low vacuum atmosphere, compared to the undoped tin oxide counterpart. 5 mol% Sb doped ATO film annealed at $550^{\circ}C$ in a low vacuum atmosphere showed the highest electrical properties, with electrical resistivity of about $8{\sim}10{\times}10^{-3}{\Omega}{\cdot}cm$, and optical transmittance of ~85% in the visible range. Our research demonstrates the feasibility of low-cost solution-processed transparent conductive oxide thin films, by controlling the appropriate doping concentration and annealing conditions.