A study on the Manufactiring of High-Precision Linear Scale by the Use of He-Ne Laser Interference Of late, along with the advancement of procision machining technology, the reauirement of super-precision measurement increases as time goes on, and the precision and accuracy of standard scale which is a basis of procision measurement has been cognized as a oriterion of industrial development in a nation. Up to now, mechanical and chemical methods have been widely employed to carve scale lines on linear scale, and it is impossible for the linear scale manufactured by means of those methods to guarantee the measurement with sub-micron level owing to errors attended with various problems. And the measuring length also bears errors subjected to the influence of surroundings condition, and shows inefficient circumstances in measurement on the ground of the complexity of measuring procedure as well as massive measuring apparatus. Hence in this paper, we described on technology by which we can carve scale lines thru optical method under the condition of laboratory by using rhcoherence of He-Ne two-mode stabilized laser and in turn, put it to practical use as linear scale for the measurment of lengrh. In this researchin the case of setting scale interval to 20 .mu. m, we employed super-precision scale-carving device associated by Ar larser and acoustic optical modulator in lieu of flsahing lamp scale-carving device, and we consequently obtained superior linear scales carved with precision and accuracy of .+-. 0.3 .mu. m.
A study on the manufacturing of High Precision Linear Scalr using He-Ne Laser interference Of late, along with the advancement of precision machining technology, the requirement of super precision measurement increases as time goes on, and the accuracy of standard scale which is a basis of precision measurement has been cognized as a criterion of industrial development in a nationl. In this paper, we described on technology by which we could carve scale lines thru optical method under the condition of laboratory by using the coherence of He-Ne two-mode stabilized laser and in turn, put it to practical use as linear scale for the measurement of length. Hence in this research in the case of setting scale interval to 20 ${\mu}m$, we employed super precision scale-carving device associated with Ar laser and acousto optic modulator in lieu of flashing lamp scale-carving device, and we obtained as experimental result superior linear scales carved within the accuracy of ${\pm}$0.3${\mu}m$.
In this paper, vibration-based methods to monitor damage in foundation-structure interface of harbor caisson structure are presented. The following approaches are implemented to achieve the objective. Firstly, vibration-based damage monitoring methods utilizing a variety of vibration features are selected for harbor caisson structure. Autoregressive (AR) model for time-series analysis and power spectral density (PSD) for frequency-domain analysis are selected to detect the change in the caisson structure. Also, the changes in modal parameters such as natural frequency and mode shape are examined for damage monitoring in the structure. Secondly, the feasibility of damage monitoring methods is experimentally examined on an un-submerged lab-scaled mono-caisson. Finally, numerical analysis of un-submerged mono-caisson, submerged mono-caisson and un-submerged interlocked multiple-caissons are carried out to examine the effect of boundary-dependent parameters on the damage monitoring of harbor caisson structures.
Self-organized nanostructures of dots, holes or ripples produced by energetic ion bombardment have been reported in a wide variety of substrates. Ion bombardment on an alloy or compound also draws much attention because it can induce a surface composition modulation with a topographical surface structure evolution. V. B. Shenoy et al. further suggested that, in the case of alloy surfaces, the differences in the sputtering yields and surface diffusivities of the alloy components will lead to a lateral surface composition modulation [1]. In the present work, the classical molecular dynamics simulation of Ar bombardment on metallic alloys at room temperature revealed that this bombardment induces a surface composition modulation in layer-by-layer mode. In both the $Co_{0.5}Cu_{0.5}$ alloy and the CoAl B2 phase, the element of higher-sputtering yield is accumulated on the top surface layer, whereas it is depleted in lower layers. A kinetic model considering both the rearrangement and the sputtering of the substrate atoms agrees with the puzzling simulation results, which revealed that the rearrangement of the substrate atoms plays a significant role in the observed composition modulation.
In this paper, the dynamics of a 2-DOF not 1:1 resonant Hamiltonian system are studied. In the first part of the work, the behaviors of special periodic orbits called normal modes are examined by means of the harmonic balance method and their approximate stability ar analyzed by using the Synge's concept named stability in the kinematico-statical sense. Secondly, the global dynamics of the system for low and high energy are studied in terms of a perturbation analysis and Poincare' maps. In this part, one can see that the unstable normal mode generates chaotic motions resulting from the transverse intersections of the stable and unstable manifolds. Although there exist analytic methods for proving the existence of infinitely many periodic orbits, chaos, they cannot be applied in our case and thus, the Poincare' maps constructed by direct numerical integrations are utilized fot detecting chaotic motions. In the last part of the work, the existence of arbitrarily many periodic orbits of the system are proved by using a subharmonic Melnikov's method. We also study the possibility of the breakdown of invariant KAM tori only when h>h$_{0}$ (h$_{0}$:bifurcating energy) and investigate the generality of the destruction phenomena of the rational tori in the systems perturbed by stiffness and inertial coupling.
Fluorocarbonated-SiO2 films were deposited on p-type Si(100) substrate using FSi$(OC_2H_5)_3$ (FTES), and $O_2$ mixture gases by a helicon plasms source. High density $O_2$/FTES/Ar plasma of ~$10^{12} \textrm{cm}^{-3}$ is obtained at low pressure (<3mTorr) with RF power above 900 W in the helicon plasma source. Optical emission spectroscopy (OES) is used to study the relation between the relative densities of the radicals and the film properties. The FTES and $O_2$ gases are greatly dissociated at the helicon mode that is launched at the above threshold plasma density. FTIR and XPS spectra shows that the film has Si-F, and C-F bonds during the formation process of the film which may lower the dielectric constant greatly. The relative dielectric constant, leakage current density, and dielectric breakdown voltage are about 2.8, $8\times10^{-9}\textrm{A/cm}^2$, and > 12 MV/cm, respectively.
본 연구에서는 불용성 토양 휴믹물질(HS)인 토양 휴민(Hu)을 대상으로 페난트린(PHE)과의 흡착상수($K_{OC}$, n)를 조사하였고, 각 휴민 분자의 물질특성과 흡착상수와의 상관관계를 조사하였다. 토양 휴민은 한라산 토양을 포함한 국내 5개 지역의 토양과 국제휴믹학회(IHSS) 표준토양 및 이탄토(Peat)에서 분리한 7종을 사용하였으며, 원소성분비 및 고체 $^{13}C$ NMR을 이용한 탄소형태별 분포(%) 등을 조사하였다. 토양 휴민은 알킬탄소를 주요 성분으로 하는 높은 지방족 탄소함량(57.1~72.3%)을 가진 분자구조 특성을 보였으며, 추출원별 알킬탄소의 함량($C_{Al-H,C}$, %)은 화강암 기원의 토양 Hu (26~42) > 화산재토양 기원의 HL Hu (23.9) > Peat Hu (14.0)의 순으로 나타났다. 토양 휴민의 물질특성과 PHE 흡착상수의 상관성 해석결과, 유기탄소 표준화분배계수($K_{OC}$, mL/g) 값은 알킬탄소 함량(%)과 높은 상관성($r^2$ = 0.77, p < 0.05)을 보인 반면, Freundlich plot을 통해 얻은 비선형 흡착상수(n)는 H,C-치환 방향족탄소 함량($C_{Ar-H,C}$, %)과 높은 상관성($r^2$ = (-)0.74, p < 0.05)을 보였다. $K_{OC}$ 값은 분자 극성도(PI, N+O)/C)와도 높은 상관성($r^2$ = (-)0.74, p < 0.1)을 보여, 분자극성도 값도 소수성유기물의 흡착능 예측에 유용한 물질특성 인자임을 확인하였다. 이상의 결과로 부터 토양휴민 분자 내 알킬탄소의 함량이 높거나, 분자극성도가 낮을수록 PHE의 흡착능이 증가하며, 방향족탄소 함량이 높을수록 흡착의 비선형성(nonlinear sorption)이 증가하는 경향이 있음을 알 수 있었으며, 이러한 토양 휴민의 PHE 흡착특성은 dual reactive mode 흡착모델에 적용하여 해석하였다.
본 논문에서는 경제시계열 데이타중에 하나인 환율데이타(Yen/Dollar)의 장기기억성과 정답율을 조사했다. 통상 단기 기억성을 가진 대표적 모델 AR 모델로 부터 생성되는 시계열에는 두종류의 프랙탈차원이 존재하는 경우가 많다. 두차원으로 분리되는 샘플 간격을 $k^{crossover}$라고 한다면, 통계모델에서K < $k^{crossover}$일때의 프랙탈차원을 $D_1$, K > $k^{crossover}$일때의 프랙차원을 $D_2$라고 한다면 $ D_1이면서 $D_2\cong2$ 인 관계를 가진다. 그러나 일본경제평균등 실제의 시계열에서는 이것에 반대되는 결과가 나타났다. 그 한 예로써 환율데이타에서는 $D_1>D_2$라는 관계를 가진다는 것을 알았다. 이것은 데이타 사이의 시간 간격이 멀어지는데 오히려 상관은 강해지는 현상을 나타내는 것이다. 환율 시계열을 뉴럴네트워크를 이용해서 예측한 결과, 예측오차로부터 얻어진 지수(指數) $\beta$와 D가 프랙탈성질을 가진 비선형 모델로 부터 구한 관계식 $\beta$=2-2D을 정확히 만족 시키는 것을 확인했다. 그리고 프랙탈차원의 차이가 정답율에서도 나타남을 확인했다.
최근 상용화된 5G 이동통신의 주요한 특징은 High Data Rate와 Connection Density 그리고 Low Latency로 대표할 수 있는데, 이중 기존 4G와 가장 차별되는 특징은 Low Latency로 다양한 새로운 서비스 제공의 기반이 될 것이다. 이러한 특징을 활용한 서비스로는 AR, 자율주행 등이 검토되고 있으며 관련표준에서도 5G Network Latency 논의를 진행하고 있다. 그러나 서비스 관점의 E2E Latency 논의는 많이 부족한 것이 사실이다. 5G에서 Low Latency를 달성을 위한 최종목표는 RTD 기준 Air Interface 1ms 달성으로 이는 '20년 초 Rel-16을 통한 URLLC(Ultra-reliable Low Latency Communications)를 통해 가능하며, 추가적으로 MEC(Moble Edge Computing)를 통한 Network latency 감소도 연구 중이다. 전체 5G E2E Latency는 5G Network 관련 외에도 다양한 요인이 존재하는데, 주요 요인으로는 5G Network과 서비스 제공을 위한 IDC Server 사이의 경로에 놓인 선로/장비 Latency, 단말 App과 Server 내 서비스 처리를 위한 Processing Latency 등이 존재한다. 한편, 서비스 초기 Setup을 위한 Latency와 서비스가 지속 중인 경우의 Latency를 구분하여 세부 서비스 요구사항에 대하여 연구하는것도 필요한데, 이를 위해 본 논문에서는 서비스 초기 Setup과 관련하여 다음과 같은 세가지 요인에 대하여 검토를 진행하였다. 첫째로 (1) Data호 Setup시에 발생 가능한 Latency, 둘째 전력 효율화를 위한 (2) CRDX On/Off에 따른 영향, 마지막으로 (3) H/O가 발생되는 경우에 Latency에 대하여 Latency에 미치는 영향을 실험과 분석을 제시했다. 이를 통해 우리는 Low Latency가 필요한 서비스의 초기 Setup시에 Latency와 관련된 서비스 요구사항 및 기획에 기여할 수 있을 것으로 기대한다.
Single-walled carbon nanotubes (SWCNTs) were grown on a Si wafer by using thermal chemical vapor deposition (t-CVD). We investigated the effect of the catalyst deposition rate on the types of CNTs grown on the substrate. In general, smaller islands of catalyst occur by agglomeration of a catalyst layer upon annealing as the catalyst layer becomes thinner, which results in the growth of CNTs with smaller diameters. For the same thickness of catalyst, a slower deposition rate will cause a more uniformly thin catalyst layer, which will be agglomerated during annealing, producing smaller catalyst islands. Thus, we can expect that the smaller-diameter CNTs will grow on the catalyst deposited with a lower rate even for the same thickness of catalyst. The 0.5-nm-thick Fe served as a catalyst, underneath which Al was coated as a catalyst support as well as a diffusion barrier on the Si substrate. The catalyst layers were. coated by using thermal evaporation. The deposition rates of the Al and Fe layers varied to be 90, 180 sec/nm and 70, 140 sec/nm, respectively. We prepared the four different combinations of the deposition rates of the AI and Fe layers. CNTs were synthesized for 10 min by flowing 60 sccm of Ar and 60 sccm of $H_2$ as a carrier gas and 20 sccm of $C_2H_2$ as a feedstock at 95 torr and $810^{\circ}C$. The substrates were subject to annealing for 20 sec for every case to form small catalyst islands prior to CNT growth. As-grown CNTs were characterized by using field emission scanning electron microscopy, high resolution transmission electron microscopy, Raman spectroscopy, UV-Vis NIR spectroscopy, and atomic force microscopy. The fast deposition of both the Al and Fe layers gave rise to the growth of thin multiwalled CNTs with the height of ${\sim}680\;{\mu}m$ for 10 min while the slow deposition caused the growth of ${\sim}800\;{\mu}m$ high SWCNTs. Several radial breathing mode (RBM) peaks in the Raman spectra were observed at the Raman shifts of $113.3{\sim}281.3\;cm^{-1}$, implying the presence of SWCNTs (or double-walled CNTs) with the tube diameters 2.07~0.83 nm. The Raman spectra of the as-grown SWCNTs showed very low G/D peak intensity ratios, indicating their low defect concentrations.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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