망막 촬영 및 다채널 고속 영상 획득 시스템을 개발하였다. 망막 두께 측정은 망막을 3차원으로 촬영하고 고속으로 신호처리를 할 수 있는 시스템을 요구한다. 망막에 레이저를 투사한 후에 반사되어 돌아오는 레이저의 양을 array photo diode를 이용하여 감지하며 이를 3차원 영상화하여 망막의 두께를 측정할 수 있다. 망막에 레이저를 투사하는 장치, APD 광센서를 이용한 망막 영상화 장치, 다채널 고속 A/D 변환장치 및 PCI 인터페이스를 개발하였다. polygon mirror와 galvano mirror를 이용하여 HeNe 레이저 빔을 각각 수평방향과 수직방향으로 주사하여 이미지 평면을 만들어 망막에 투사하였다. APD 어레이 광센서를 이용하여 각 층별로 나타나는 망막영상을 획득하였으며, 이를 실시간으로 A/D 변환하여 PCI 버스를 통해 컴퓨터로 전송하였다.
APD(ASIA Package Design)는 한국, 일본, 상해, 대만 4개국의 패키지디자인협회가 2년마다 개최하는 국제행사로 1993년도 한국에서 1회를 시작하여 2013년 상해행사까지 4개국 순회 개최로 주관하였다. 2015년은 한국에서 14회를 맞게 되어 전시, 컨퍼런스, 환영만찬과 공연의 내용으로 각국의 패키지디자인과 트렌드를 공유하며 발표하는 국제적 커뮤니티의 장이 되었다는 평가를 받고 있다. 지난 달 15일부터 18일까지 동대문디자인플라자(DDP) 갤러리문에서는 APD Seoul 2015 Best Creative Awards 수상작들이 전시되었다. 본 고에서는 나라별 수상작들을 살펴본다.
An optical receiver using a CMOS-compatible avalanche photodetector (CMOS-APD) is demonstrated. The CMOS-APD is fabricated with $0.18{\mu}m$ standard CMOS technology and the optical receiver is implemented by using the CMOS-APD and a transimpedance amplifier on a board. The optical receiver can detect 6.25-Gb/s data with the help of the series inductive peaking effect.
Hur Min-Ho;Lim Sung-Jin;Kwon Sewoong;Yoon Young-Joong
Journal of electromagnetic engineering and science
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제5권2호
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pp.61-65
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2005
In this paper, a numerical permissible disturbance model is proposed to preserve a throughput performance of a 2.4 GHz wireless LAN service. The model is composed of two parameters, a peak value and a time rate of noise signal. The model parameters are experimentally determined from an APD parameter measurement. The APD parameter is measured by using the APD measurement method which is recommended from CISPR/A/447/CD.
본 논문에서는 1.5um 파장대에서 감쇄기를 이용한 유사단일광원을 이용하여 단일광자검출의 특성을 실험적으로 분석하였다. Gated Geiger 모드에서 APD를 동작 하여 열적 노이즈에 따른 양자효율을 측정하였다. 또한 APD를 이용하여 단일광자를 고속으로 검출시 문제가 되는 afterpulsing 노이즈의 온도별 특성을 분석하였다.
This paper presents the reliability of planar InP/InGaAs avalanche photodiodes (APD's) with recess etching, which is very crucial for the commercial 10-Gb/s optical receiver application. A versatile design for the planar InP/InGaAs APD's and bias-temperature tests to evaluate long-term reliability at temperature from 200 to $250^{\circ}C$. The reliability is examined by accelerated life tests by monitoring dark current and breakdown voltage. The lifetime of the APD's is estimated by a degradation activation energy. Based on the test results, it is concluded that the planar InP/InGaAs APD's with recess etching shows the sufficient reliability for practical 10-Gb/s optical receivers.
본 논문은 초고속 광통신용 검출기로 사용되고 있는 InP/InGaAs Avalanche Photodiode (APD)에 대한 연구로서 구조 변화에 따른 APD의 특성에 대해 연구하였다. 채택된 APB의 기본 구조는 Separated Absorption, Grading, Charge and Multiplication (SAGCM)구조로 u-InP 의 두께 3.5$\mu\textrm{m}$에~2.9$\mu\textrm{m}$ 만큼 Zn diffusion 하였으며, u-InGaAs 의 흡수층 두께는 0.8$\mu\textrm{m}$ 로 하였다. charge sheet 층의 도핑 농도는 ~ 3.5 $\times$ 10/sup 12//cm/sup 2/ 이고, 전극 구조는 back side illumination type이다. (중략)
One-year-old yellow-poplar (Liriodendron tulipifera L.) and sweetgum (Liquidambar styraciflua L.) seedlings were exposed to 0.10 ${\mu}l/l\;O_3$and simulated acid rain at pH 3.0 for ten consecutive weeks. Shoot height growth (SHG), fresh weight (FWT), dry weight (DWT), apparent plastochron duration (APD) and foliar nutrient concentrations were measured. None of growth measurements, except the apparent plastochron duration (APD), were significantly affected by any treatment in yellow-poplar seedlings. APD was approximately 30% higher in seedlings exposed to $0.1{\mu}l/l\;O_3$ + pH 5.6 solution than any other treatment. Ozone significantly reduced SHG of sweetgum seedlings by 24% at the end of the ten-week fumigation. There were also significant effects of single and combined effects of ozone and simulated acid rain on APD in sweetgum. APD was significantly increased by 19.8% and 25.7% in seedlings exposed to $0.1{\mu}l/l\;O_3$ and pH 5.6 solution, respectively, and resulted in 46.1% higher APD in seedlings exposed to $0.1{\mu}l/l\;O_3$ + pH 5.6 solution compared with seedlings exposed to $0.0{\mu}l/l\;O_3$ + pH 3.0 solution. Phosphorus and sulphur were significantly greater in seedlings exposed to simulated rain at pH 3.0 compared with pH 5.6 for both species. Foliar S concentration was higher in seedlings exposed to $0.0{\mu}l/l\;O_3$ + pH 3.0 than in seedlings exposed to any other treatment in sweetgum. Ozone significantly increased Ca in sweetgum seedlings, however, ozone reduced Ca in yellow-poplar. Ozone also reduced S and Mg in sweetgum seedlings.
Dihydropyridine (DHP) calcium channel blockers (CCBs) have been widely used to treat of several cardiovascular diseases. An excessive shortening of action potential duration (APD) due to the reduction of $Ca^{2+}$ channel current ($I_{Ca}$) might increase the risk of arrhythmia. In this study we investigated the electrophysiological effects of nicardipine (NIC), isradipine (ISR), and amlodipine (AML) on the cardiac APD in rabbit Purkinje fibers, voltage-gated $K^+$ channel currents ($I_{Kr}$, $I_{Ks}$) and voltage-gated $Na^+$ channel current ($I_{Na}$). The concentration-dependent inhibition of $Ca^{2+}$ channel currents ($I_{Ca}$) was examined in rat cardiomyocytes; these CCBs have similar potency on $I_{Ca}$ channel blocking with $IC_{50}$ (the half-maximum inhibiting concentration) values of 0.142, 0.229, and 0.227 nM on NIC, ISR, and AML, respectively. However, ISR shortened both $APD_{50}$ and $APD_{90}$ already at $1{\mu}M$ whereas NIC and AML shortened $APD_{50}$ but not $APD_{90}$ up to $30{\mu}M$. According to ion channel studies, NIC and AML concentration-dependently inhibited $I_{Kr}$ and $I_{Ks}$ while ISR had only partial inhibitory effects (<50% at $30{\mu}M$). Inhibition of $I_{Na}$ was similarly observed in the three CCBs. Since the $I_{Kr}$ and $I_{Ks}$ mainly contribute to cardiac repolarization, their inhibition by NIC and AML could compensate for the AP shortening effects due to the block of $I_{Ca}$.
LTV(Light to Voltage) 변환을 위한 APD(Avalanche Photo Diode)는 다른 PD(Photo Diode)와 다르게 높은전압의 동작영역을 사용하므로 TIA(Transimpedance Amplifier) 사용시 과전류 방지를 위해 Quenching 저항을 직렬로 연결하여야 한다. 그러한 경우 Quenching 저항이 TIA 전달함수에 영향을 미쳐 안정도에 심각한 결과를 초래할 수 있다. 본 논문에서는 APD Quenching 저항이 TIA의 전압과 전류 루프 전달함수에 미치는 영향을 분석하여 안정도 개선을 위한 Quenching 저항 값 결정 방법을 제안하고자 한다. 제안된 방법에 의하여 Quenching 저항을 가지는 TIA 회로를 설계하여 시뮬레이션 및 칩 제작을 통하여 동작의 안정도를 검증하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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