• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2009년도 추계학술발표대회
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• pp.23.2-23.2
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• 2009

Atomic layer deposition (ALD)have been proven to be a very attractive technique for the fabrication of advanced gate dielectrics and DRAM insulators due to excellent conformality and precise control of film thickness and composition, However, one major disadvantages of ALD is its relatively low deposition rate (throughput) because the deposition rate is typically limited by the time required for purging process between the introduction of precursors. In order to improve its throughput, many efforts have been made by commercial companies, for example,the modification reactor and development of precursors. However, any promising solution has not reported to date. We developed a new concept ALD system(Lucida TM S200) with high-throughput. In this process, a continuous flow of ALD precursor and purging gas are simultaneously introduced from different locations in the ALD reactor. A cyclic ALD process is carried out by moving the wafer holder up and down. Therefore, the time required for ALD reaction cycle is determined by speed of the wafer holder and vapor pressure of precursors. We will present the operating principle of our system and results of deposition.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.689-689
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• 2013

Atomic layer deposition (ALD)에 의한 알루미늄 산화 막(Al2O3)은 고효율 결정질 실리콘 태양전지를 위한 우수한 표면 패시베이션 특성을 제공한다. 알루미늄 산화막는 고정적인 음전하를 가지고 있기 때문에 p-형 실리콘 태양 전지 후면은 전계에 의한 우수한 패시베이션 효과를 형성한다. 그러나, ALD 방식으로 증착된 알루미늄 산화막은 매우 긴 공정 시간을 필요로 하기 때문에 기존의 실리콘 태양 전지 공정에 적용하기가 어렵다. 본 논문에서는 알루미늄 산화막 형성에서 공정 시간을 줄이기 위해 Plasma assisted atomic layer deposition (PA-ALD) 방식을 적용했다. PA-ALD 기술은 trimethylaluminum (TMA)과 O2를 사용하여 기판 표면에 알루미늄 산화막을 증착하는 것으로 ALD 방식과 유사하지만, O2 플라즈마를 사용함으로써 증착 속도를 향상시킬 수 있다. 이는 좋은 패시베이션 특성을 가지는 알루미늄 산화막을 실리콘 태양전지양산 공정에 적용할 수 있는 가능성을 제시한다. PA-ALD 방식에 의한 알루미늄 산화막의 패시베이션 특성을 최적화하기 위해서 증착 후 열처리 조건에 대한 연구도 수행하였다. 막증착률이 1.1${\AA}$/cycle인 Al2O3층의 두께 변화에 따른 특성을 최적화하기 위해 공정 온도를 $250^{\circ}C$ 고정하고, 열처리 온도와 시간을 가변하였으며 유효 반송자수명을 측정하여 알루미늄 산화막의 패시베이션 특성을 확인했다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제29권7호
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• pp.440-444
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• 2016

Titanium oxide ($TiO_2$) thin films were synthesized on polymer insulator and Si substrates by atomic layer deposition (ALD) method. The surface and electrical properties of $TiO_2$ films synthesized at various ALD cycle numbers were investigated. The synthesized $TiO_2$ films exhibited higher contact angle and smooth surface. The contact angle of $TiO_2$ films was increased with the increase of ALD-cycle number. Also, the rms surface roughness of films was slightly rough with the increase of ALD-cycle number. The leakage current on $TiO_2$ film surface synthesized at various conditions were uniformed, and the values were decreased with the increase of ALD-cycle number. In the results, the performance of $TiO_2$ films for self-cleaning critically depended on a number of ALD-cycle.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제45회 하계 정기학술대회 초록집
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• pp.76.1-76.1
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• 2013

Atomic Layer Deposition (ALD) has remarkably developed in semiconductor and nano-structure applications since early 1990. Now, the advantages of ALD process are well-known as controlling atomic-level-thickness, manipulating atomic-level-composition control, and depositing impurity-free films uniformly. These unique properties may accelerate ALD related industries and applications in various functional thin film markets. On the other hand, one of big markets, Display industry, just starts to look at the potential to adopt ALD functional films in emerging display applications, such as transparent and flexible displays. Unlike conventional ALD process strategies (good quality films and stable precursors at high deposition processes), recently major display industries have suggested the following requirements: large area equipment, reasonable throughput, low temperature process, and cost-effective functional precursors. In this talk, it will be mentioned some demands of display industries for applying ALD processes and/or functional films, in terms of emerging display technologies. In fact, the AMOLED (active matrix organic light emitting diode) Television markets are just starting at early 2013. There are a few possibilities and needs to be developing for AMOLED, Flexible and transparent Display markets. Moreover, some basic results will be shown to specify ALD display applications, including transparent conduction oxide, oxide semiconductor, passivation and barrier films.

• 대한소아신경학회지
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• 제24권3호
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• pp.71-83
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• 2016

X-linked adrenoleukodystrophy (X-ALD) is caused by mutations in the ATP binding cassette subfamily D member 1 (ABCD1), a gene that encodes peroxisomal membrane located on ABC half-transporter named adrenoleukodystrophy protein (ALDP). X-ALD is characterized by a highly variable clinical spectrum, including progressive cerebral type, adrenomyeloneuropathy, and addison-only phenotype. No genotype/phenotype correlation has been established. Thus, unidentified modifier genes and other co-factors are speculated to modulate the phenotypic variation and disease severity. Recent advanced sequencing methods and reprogramming technologies not only offer an affordable and applicable approach to investigate the pathophysiological mechanisms of adrenoleukodystrophy, but also provide means to develop therapy. A causal therapy of X-ALD is lacking. Lorenzo's oil therapy is recommended for asymptomatic boys, but the longest study found that the oil was not beneficial at all to symptomatic X-ALD patients. Hematopoietic stem cell therapy has a relevant chance of success when performed during this early stage of cerebral type X-ALD. Recently, it has been insisted that lentiviral-mediated gene therapy of hematopoietic stem cells can provide clinical benefits in X-ALD. This review describes current knowledge on the clinical presentation, pathogenesis, diagnosis and management of X- ALD.

• 한국분말재료학회지
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• 제26권3호
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• pp.243-250
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• 2019

Atomic layer deposition (ALD) is widely used as a tool for the formation of near-atomically flat and uniform thin films in the semiconductor and display industries because of its excellent uniformity. Nowadays, ALD is being extensively used in diverse fields, such as energy and biology. By controlling the reactivity of the surface, either homogeneous or inhomogeneous coating on the shell of nanostructured powder can be accomplished by the ALD process. However, the ALD process on the powder largely depends on the displacement of powder in the reactor. Therefore, the technology for the fluidization of the powder is very important to redistribute its position during the ALD process. Herein, an overview of the three types of ALD reactors to agitate or fluidize the powder to improve the conformality of coating is presented. The principle of fluidization its advantages, examples, and limitations are addressed.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제29권1호
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• pp.61-66
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• 2022

이 연구는 원자층 증착(Atomic Layer Deposition, ALD) 기술을 사용하여 나노미터 크기의 금속 촉매 물질을 연료극 층에 코팅하여 표면적을 늘리고 촉매의 효과를 극대화시키기 위한 연구이다. ALD 공정은 기판 위에 원자 수준에서 잘 제어된 두께를 갖는 균일한 막을 제조하는 것으로 알려져 있다. 우리는 고체산화물 연료전지의 연료극 물질로 가장 널리 알려진 Ni/YSZ 위에 금속(Ni)을 코팅하여 성능을 측정하였다. ALD 코팅은 3 nm 이상의 코팅에서 전지 성능의 감소를 보이기 시작했다

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제15권3호
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• pp.47-52
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• 2008

높은 종횡비를 갖는 비아 및 트렌치 상에 절연 막으로서 $SiO_2$를 증착하고 증착 특성 및 막의 특성을 연구하였다. 실리콘 관통 전극에서 절연 막은 전극의 벽면과 그 내부에 충진 된 물질간의 상호 확산 감소와 물질 간 접착, 전기적 절연, 디바이스로의 전기적 누수 차단 등의 역할을 해야 한다. 따라서 이러한 특성을 확인하기 위해 3종의 화학 기상 증착법인 PECVD, PETEOS, ALD을 선정하고 절연 막 증착 후 특성평가를 진행 하였다. 특성평가 항목 중 step coverage는 PECVD : <30%, PETEOS : 45%, ALD : 75%, 표면 거칠기는 PECVD : 27.8 nm, PETEOS : 2.1 nm, ALD : <2.0 nm으로 측정되어 막질의 특성은 ALD가 가장 우수하게 평가 되었으나, 실제 기술의 적용에서 가장 중요한 요소인 증착률에서 ALD는 $18\;\AA/1cycle$로서 $10\;\AA/min$ 이라는 대략적 시간이 소요되어 $5000\;\AA/min$의 증착률을 보인 PETEOS에 비해 매우 낮은 수준으로 최소 $1000\;\AA$ 이상의 두께가 요구되는 절연 막의 적용에는 어려움이 있고, 따라서 PETEOS가 본 연구에서 최적의 recipe라 평가되었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제45회 하계 정기학술대회 초록집
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• pp.320.1-320.1
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• 2013

We have investigated the effect of surface passivation for crystalline silicon solar cell using ozone-based atomic layer deposited (ALD) $Al_2O_3$. We examined passivation properties such as uniformity, carrier lifetime, thickness, negative fixed charge density at AlOx/Si interface, and reflectance. The influences of process temperature and heat treatment were investigated using microwave photoconductance decay (PCD). Ozone-based ALD $Al_2O_3$ film shows the best carrier lifetime at lower deposition temperature than $H_2O$-based ALD.

• 대한유전성대사질환학회지
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• 제14권2호
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• pp.195-199
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• 2014

X 연관 부신백질이영양증(adrenoleukodystrophy, X-ALD)는 성염색체 Xq28에 위치한 ABCD1 유전자의 돌연변이에 의해 발생하며, 매우 긴 사슬 지방산(saturated very long chain fatty acids, VLCFA) 운반의 장애로 뇌와 척수의 백질과 부신 피질을 포함한 모든 조직에 VLCFA가 쌓이게 되어 중추와 말초 신경 조직 내에 탈수초(demyelination)가 진행되고, 부신 피질의 기능 저하가 나타나게 된다. X-ALD의 임상적 증상은 매우 다양하나, 크게 3가지 표현형으로 나누어 대뇌 부신백질형성 장애(cerebral ALD), 부신 척수 신경병증(adrenomyeloneuropathy), 부신 피질 기능 저하 즉 애디슨병(Addison's disease only ALD)으로 나눌 수 있다2). 부신 피질 기능 저하 증세만을 보이는 Addison's disease only ALD의 경우 주로 2세에서 7.5세에 발생하며, 증세는 구토, 위약, 혼수, ACTH 분비 증가에 따른 색소 과다 침착(hyperpigmentation)으로 나타나고 발생 당시에는 신경학적 증세가 동반되지 않는다. 저자들은 구역, 구토, 탈수, 저혈당 및 저혈압 등의 증상 없이 색소 과다 침착이 부신 피질 기능 저하의 유일한 증세였던 환아를 혈장 VLCFA 검사를 통해 X-ALD로 진단하였고, ABCD1 유전자 분석 검사에서 c.1992-2A>G 변이를 확인하였다. 국내에서 색소 과다 침착만을 보이는 환아가 X-ALD로 진단받은 보고는 찾을 수 없었으며, 국내에서 보고되지 않은 돌연변이로 이를 보고하는 바이다. X-ALD 환아의 장기적인 예후 예측과 자세한 상담을 위해서 유전자형과 표현형의 상관관계에 대한 더 많은 연구가 필요하며, 이를 위해 유전자형에 따른 증상과 예후에 대한 자료가 공유되어야 할 것이다.