The paper compares topography, phase contrast and force spectroscopy in atomic force microscopy data for evaluating the microheterogeneity of surface layer. The worn surface of ion-plated TiN coating was measured using both a laboratory-built and a commercial AFM. The results of analysis revealed structural and micromechanical heterogeneity of the worn surfaces. We demonstrated that the phase image allows relatively qualitative estimation of elastic modulus of the sample surface. The tribolayer formed in the worn surface possessed much lower stiffness than the original coating. It is shown that the most stable phase imaging is provided with a stiff cantilever. In this case, phase contrast is well conditioned, first of all, by microheterogeneity of elastic properties of the investigated surfaces. In this study an attempt was also made to correlate the results of phase imaging with that of the farce spectroscopy. The joint analysis of information on the surface properties obtained by the phase imaging and quantitative data measured with the force spectroscopy methods allows a better understanding of the nature of the surface micromechanical heterogeneity.
Rewritable optical disk is one of the essential data storage media in these days, which takes advantage of the different optical properties in the amorphous and crystalline states of phase change materials. As well known, data transfer rate is one of the most important parameter of the phase change optical disks, which is mostly limited by the crystallization speed of recording media. Therefore, we doped Sn/Bi to $Ge_2Sb_2Te_5$ alloy in order to improve the crystallization speed and investigated the dependence of phase change characteristics on Sn/Bi doping concentration. The Sn/Bi doped $Ge_2Sb_2Te_5$ thin film was deposited by RF magnetron co-sputtering system and phase change characteristics were investigated by X-ray diffraction (XRD), static tester, UV-visible spectrophotometer, electron probe microanalysis (EPMA), inductively coupled plasma mass spectrometer (ICP-MS) and atomic force microscopy (AFM). Optimum doping concentration of Bi and Sn were 5${\~}$6 at.$\%$ and the minimum time for crystallization was below than 20 ns. This improvement is correlated with the simple crystalline structure of Sn/Bi doped $Ge_2Sb_2Te_5$ and the reduced activation barrier arising from Sn/Bi doping. The results indicate that Sn/Bi might play an important role in the transformation kinetics of phase change materials..
전도성 고분자 중 안정성이 높은 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) (PEDOT)을 이용하여 전기변색 박막을 제조하고 박막제조 방법에 따른 전기변색 특성을 연구하였다. PEDOT 박막은 전기중합법과 증기중합법에 의해 제조되었고, 두가지 방법 모두 도핑되지 않은 중성 상태에서 짙은 푸른색을 띠는 박막으로 제조되었다. 전기변색 특성을 평가하기 위하여 UV-Vis spectrophotometer와 Cyclic voltammetry가 사용되었으며, 산화/환원 시 표면은 AFM으로 관찰되었다. 전기 중합법으로 제조된 PEDOT 박막에 비해 증기중합에 방법에 의해 제작된 PEDOT 박막의 표면이 거칠기 50 nm 이내로 균일 하였다. 특히 증기 중합법을 이용하여 제조된 전기 변색 소재의 특성도 응답성 1.5초 이내, 49%의 투과율 차이, 402의 변색 효율을 보여 박막의 특성 향상으로 전기변색특성이 향상 된 결과를 보였다.
Projection method has been used in the phase equilibria study. The projection is made through the saturated phase on the smaller chemical system from larger system. This decreases the number of phases which are included in the larger chemical system. In multiple projection containing plagioclase as a projection phase, there is a difference in matrix calculation when plagioclase is treated as a single composite component and separately as an albite and anorthite. The matrix calculation is considered to be more usable and easier in multiple projection. The value of the A component in the AFM system, which is the smaller system projected from the larger one, is effected and varies according to the change in the An content in plagioclase that is examined as an example.
한국고분자학회 2006년도 IUPAC International Symposium on Advanced Polymers for Emerging Technologies
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pp.288-288
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2006
Natural rubbers (NR) reinforced by multi-wall carbon nanotubes (MWCNT) was found to show extraordinary improvement of mechanical property. We speculated that this was owing to the interfacial phase that surrounded CNT and investigated about the phase by atomic force microscopy (AFM). Using force modulation mode and force-distance curve analyses, we succeeded in obtaining the information of its nanometer-scale rheological property. We found that was actually surrounded by the interfacial phase, that had softer modulus than NR matrix.
에멀젼 입자 표면의 새로운 형태학적 분석을 위하여 원자간력 현미경을 이용한 위상지연 가시화법을 응용하여 폴리우레탄 수지와 아크릴레이트 수지로 구성된 폴리우레탄 아크릴레이트 하이브리드 에멀젼의 형태 및 물성 연구를 시도하였다. 데이터의 분석을 위하여 순수한 수분산 폴리우레탄과 아크릴레이트 에멀젼 입자를 각각 합성하였고, 유사한 형태로 합성된 두 입자에 대한 각각의 서로 다른 위상지연의 크기를 얻을 수 있었다. 이들 데이터를 기준으로 수십 나노미터의 분해능으로 폴리우레탄 속에 혼성된 아크릴 수지의 입자표면을 구별하고 특성을 분석하였다. 따라서 위상지연 가시화법의 응용으로 서로 다른 2가지 화합물의 특성을 구분하고 이를 가시화 할 수 있는 새로운 가능성을 제시하였고, 이러한 분석법은 유기 합성 고분자의 입자 표면분석 및 물성연구에 유용함을 기술하였다.
Measuring the thickness of thin films is strongly required in the display industry. In recent years, as the size of a pattern has become smaller, the substrate has become larger. Consequently, measuring the thickness of the thin film over a wide area with low spatial sampling size has become a key technique of manufacturing-yield management. Interferometry is a well-known metrology technique that offers low spatial sampling size and the ability to measure a wide area; however, there are some limitations in measuring the thickness of the thin film. This paper proposes a method to calculate the thickness of the thin film in the following two steps: first, pre-estimation of the thickness with the phase at the peak position of the interferogram at the bottom surface of the thin film, using white-light phase-shift interferometry; second, accurate correction of the measurement by fitting the interferogram with the theoretical pattern through the estimated thickness. Feasibility and accuracy of the method has been verified by comparing measured values of photoresist pattern samples, manufactured with the halftone display process, to those measured by AFM. As a result, an area of $880{\times}640$ pixels could be measured in 3 seconds, with a measurement error of less than 12%.
유기물 반도체 화합물인 Cu-Pc(copper(II)-phthalocyanine)는 우수한 전기적 광학적 특성을 가지며, OLED, MISFET등 소자로서의 활용도가 높다. Cu-Pc 화합물은 $\alpha$-phase, $\beta$-phase, $\gamma$-phase를 포함하는 여러 가지 다결정 polymer로 존재할 수 있다. 가장 잘 알려진 구조로는 열적으로 준안정적인 $\alpha$-phase와 열적으로 안정적인 $\beta$-phase가 있다. Cu-Pc 박막의 구조 및 흡수 특성과 전기적 특성에 대한 기술이 확실히 규명되지 않아 본 연구에서는 두께와 열처리 조건에 따른 결정성 및 방향성을 조사하기 위하여 $\alpha$-phase와 $\beta$-phase의 phase transition 현상 및 전기적 광학적 특성을 규명 하고자 한다. 진공증착 방법 중 하나인 PVD 방법의 thermal evaporation deposition을 이용하여 glass, ITO 기판위에 두께와 열처리에 따른 전기적?광학적 특성을 연구하였다. Cu-Pc 박막의 성장두께는 5nm~50nm 이내로 fluxmeter 및 thickness monitor를 이용하여 제어하였다. 5nm~50nm의 두께에 따른 기판온도를 $200^{\circ}C$로 고정하여 전열 처리 및 후열 처리하여 온도에 따른 박막을 성장한 후, 결정 구조 및 특성 변화와 phase transition 분석하였다. 제작된 Cu-Pc의 박막은 $\alpha$-phase와 $\beta$-phase로 구분할 수 있으며, 열처리에 따른 phase transition 현상이 뚜렷함을 알 수 있다. XRD(X-ray diffraction)를 통하여 박막에 대한 결정 구조 분석 및 FE-SEM(field emission scanning electron microscopy)와 AFM(atomic force microscopy)을 이용하여 Cu-Pc 박막의 구조적 결정성과 방향성 등, 표면 상태와 형상구조에 대해 표면의 특성을 측정하며, 광 흡수도(UV-visible absorption spectra)을 이용하여 phase transition 현상에 따른 I-V 특성을 비교분석 하였다.
TiN thin films were grown on (100) Si substrate by atomic layer epitaxy at 130 - $240^{\circ}C$ using TEMAT and NH3 as precursors. Reactants were injected into the reactor in sequence of TEMAT precursor vapor pulse, N2 purging gas pulse, NH3 gas pulse and N2 purging gas pulse so that gas-phase reactions could be removed. The films were characterized by means of x-ray diffraction(XRD), 4-point probe, atomic force microscopy(AFM) and auger electron spectroscopy(AES).
비정질상과 결정상으로 가역변화하는 특성을 이용하여, 기존의 읽기전용 기록매체인 Compact Disk(CD)를 대체할 차세대 광기록매체로 주목받고 있는 Ge$_{2}$Sb$_{2}$Te$_{5}$(GST)의 상태변화에 따른 굴절율과 소광계수, 박막의 두께와 밀도 등 박막상수들을 구하였다. DC 스퍼터링방법으로 제작한 두꺼운 GST의 복소굴절율을 양자역학적 분산식을 이용한 모델링방법으로 구하고, 한편으로는 표면미시거칠기를 AFM(Atomic Force Microscopy)으로 결정한 다음, 타원해석 스펙트럼들을 수치해석적 역방계산하여 구한 복소굴절율과 비교하였다. 결정상과 비정질상일 때의 GST의 복소굴절율을 각각 구하고 이로부터 계산된 반사율을 측정된 반사율과 비교함으로써 수치해석적인 방법이 실제 GST의 복소굴절율과 더 일치하는 값ㅇㄹ 가지게 됨을 확인하였다. 이렇게 구한 GST의 복소굴절율을 기준데이터로 사용하여 실제 설계두께를 가지는 GST박막의 두께 및 표면거칠기층을 정량적으로 구하였다.다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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