• 한국재료학회지
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• 제23권2호
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• pp.123-127
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• 2013

The electrolytic reduction of a spent oxide fuel involves liberation of the oxygen in a molten LiCl electrolyte, which is a chemically aggressive environment that is too crosive for typical structural materials. Therefore, it is essential to choose the optimum material for the process equipment for handling a molten salt. In this study, the corrosion behavior of pyro-carbon made by CVD was investigated in a molten LiCl-$Li_2O$ salt under an oxidation atmosphere at $650^{\circ}C$ and $750^{\circ}C$ for 72 hours. Pyro-carbon showed no chemical reactions with the molten salt because of its low wettability between pyro-carbon and the molten salt. As a result of XRD analysis, pyro-carbon exposed to the molten salt showed pure graphite after corrosion tests. As a result of TGA, whereas the coated layer by CVD showed high anti-oxidation, the non-coated layer showed relatively low anti-oxidation. The stable phases in the reactions were $C_{(S)}$, $Li_2CO_{3(S)}$, $LiCl_{(l)}$, $Li_2O$ at $650^{\circ}C$ and $C_{(S)}$, $LiCl_{(l)}$, $Li_2O_{(S)}$ at $750^{\circ}C$. $Li_2CO_{(S)}$ was decomposed at $750^{\circ}C$ into $Li_2O_{(S)}$ and $CO_{2(g)}$.

• 한국콘텐츠학회논문지
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• 제9권10호
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• pp.451-463
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• 2009

본 연구의 목적은 태양전지의 변환효율을 높이기 위한 박막형 소재 물질 개발과 전지의 조립과정을 개선 발달시키기 위한 것이다. 이 연구에 사용된 이산화티타니움은 물과 알콕사이드 몰비, 용액 pH의 변화, 분말의 묵힘조건 등 반응조건을 조절한 솔-겔 방법에 의하여 조제되었다. 준비된 이산화티타니움은 $300{\sim}750^{\circ}C$의 열처리조건 범위에서 소결하였다. $600^{\circ}C$의 열조건에서 만들어진 이산화티타니움은 XRD 패턴에서 강한 세기의 아나타제형이 나타났고, $750^{\circ}C$에서 소결되었을 때에는 아나타제형와 루틸형의 혼합물이 나타났다. 또한 소결온도와 묵힘시간 등에 따라 합성된 이산화티타니움의 특성은 묵힘시간이 증가함에 따라 아나타제형 결정으로 변환되는 것을 확인할 수 있었다. 한편 전류밀도는 묵힘시간과 온도에 따라 증가하였고, 변환효율은 전류밀도의 증가로 역시 증가함을 알 수 있었다. 산소분위기하에서 산소와 카드뮴텔루라이드의 화학결합이 생성됨을 관찰할 수 있었고, 카드뮴텔루라이드의 박막위의 산소가 크롬메이트와 하이드라진 처리에 의하여 감소되는 것을 알수 있었다. 결론적으로 공기분위기하에서 $550^{\circ}C$의 급속 소결조건에서 만들어진 카드뮴텔루라이드의 에너지변환효율은 $0.07cm^2$, $1.0cm^2$의 면적에 대해 각각 12.0%, 6.0%로 나타내었다.

• 한국자기학회지
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• 제3권3호
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• pp.201-207
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• 1993

$Pr_{15}Fe_{77}B_{8}$ 조성의 합금을 Ar분위기에서 유도용해로를 이용하여 주조하 였다. 이 합금을 석영관에 넣어 고주파 유도로를 이용하여 용해한 후 0.6 nm의 분출구를 통해 회전하는 Cu wheel위에 분사하여 비본형태로 제조하였다. 이 리본을 열간변형하여 결정방향성을 주었는데 이를 위 해 먼저 $680^{\circ}C$에서 $21.8\;kg/mm^{2}$의 압력으로 hot-press하여 92%의 densification을 갖는 시편을 얻을 수 있었다. 이 시편을 다양한 조건하에서 die-upset을 행하였다. 변형율이 높을 수록 $_{i}H_{c}$는 저하되었으나, $B_{r}$은 현저하게 증가되었으며, XRD 분석 결과(006)면에서의 회절강도가 증가되었다. 따라서 압축방향으로 자화용이축이 형성되었음을 알 수 있었다. Die-upset시의 변형속도가 빠를 수록 $_{i}H_{c}$는 증가되었으나, $B_{r}$은 감소되었다. 가공온도에 따른 $B_{r}$의 변화는 $750^{\circ}C$ 까지 상승한 후 감소되었다. 이 조성의 $4{\pi}M_{s}$는 11.8 kG였고 $750^{\circ}C$에서 0.05 mm/sec의 가공속도로 변형률 0.8로 die-upset한 경우에는 $B_{r}$이 11.0 kG로 우수한 자기이방성을 가지고 있으나, die-upset후에 $_{i}H_{c}$가 낮은 문제점이 있다.

• 청정기술
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• 제20권1호
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• pp.64-71
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• 2014

열중량분석기를 이용하여 이산화탄소 분위기에서 알칼리계 염류가 에코(Eco)탄의 가스화 반응에 미치는 영향을 알아보았다. $750{\sim}900^{\circ}C$에서 탄산칼륨, 탄산나트륨, 탄산칼슘, 백운석(Dolomite) 7 wt%의 알칼리염을 첨가한 것과 원탄을 이용하여 실험을 진행하였다. $850^{\circ}C$에서의 가스화 결과, 이산화탄소의 농도가 증가할수록 반응속도가 증가하는 경향을 관찰하였다. 그러나 70% 이상의 농도에서는 반응속도의 증가량이 크게 증가하지 않음을 관찰하였다. 가스화 반응속도는 7 wt% 탄산나트륨 > 7 wt% 탄산칼륨 > 원탄> 7 wt% 백운석 > 7 wt% 탄산칼슘 순으로 나타났다. $700^{\circ}C$, $800^{\circ}C$, $850^{\circ}C$ 그리고 $900^{\circ}C$의 등온, 상압조건에서 가스화 실험 결과, 온도가 증가할수록 반응속도가 증가함을 관찰하였다. 차(char)-이산화탄소 가스화 반응의 기-고체 모델은 volumetric reaction model (VRM)이 탄소 전환율 거동을 가장 잘 묘사했다. 이를 이용하여 얻은 탄산나트륨의 활성화 에너지는 83 kJ/mol로 가장 낮게 얻어졌다.

• 한국결정성장학회지
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• 제4권4호
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• pp.347-355
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• 1994

솔-젤공정에 의하여 실리콘 웨이퍼 위에 형성한 $PbTiO_3$ 박막의 결정 구조 및 성분 분포에 미치는 열처리 효과를 고찰하기 위하여 $400^{\circ}C에서 750^{\circ}C$ 까지의 온도 범위에서 열처리를 수행하여 $440^{\circ}C$에서 열처리한 박막에서도 peroxskite 구조만을 갖는 박막이 형성됨을 새로이 발견하였다. $480^{\circ}C$에서 $550^{\circ}C$까지 열처리한 박막은 소량의 pyrochlore 구조가 함께 형성되 었으며 $600^{\circ}C$ 이상에서 열처리한 박막은 단지perovskite 구조만을 가졌으나 납의 승화가 급격 하게 증가하는 것이 관찰되었다.

• Parasites, Hosts and Diseases
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• 제32권1호
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• pp.57-60
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• 1994

Thelohanellus kitauei 포자의 운명을 조사하기 위하여 in vitro에서 극사탈출률을 경시적으로 조사하였다. 포자를 0.45% 및 0.9%식염수, 증류수 그리고 Tyrode액에 현탁시켜 $-70^{\circ}C$에 냉동하여 장기간 보존한 바 거의 모든 포자의 활성은 최초 냉동후 1.750일 째까지 초기와 거의 같았다. 0.45% 및 0.9%식염수 그리고 증류수에 현탁시켜 $5^{\circ}C$에 보존한 포자는 각각 1,628일, 1,614일 그리고 1,721일, 항생제를 첨가한 위의 현탁액에서는 각각 1,628일, 1.614일 그리고 1,714일에 모든 포자가 사멸하였다. 한편, Tyrode액에 현탁시킨 것은 모두 235일에 모든 포자가 사멸하였다.

• 한국재료학회지
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• 제4권4호
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• pp.385-392
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• 1994

Microwave플라즈마 화학 증착법으로 다이아몬드 박막을 증착하여 morphology변화를 관찰하였다. 기판 온도가 $550^{\circ}C$에서 $750^{\circ}C$로 증가함에 따라 다이아몬드 박막의 표면 morpholoty는 {111}에서 {100}, cauliflower형태로 변화하는 것과 함께, 증착층내의 nondiamond성분이 증가하는 것을 발견하였다. 증착 층 내에 존재하는 nondiamond성분은 다이아몬드 입자의 입계에 분포하고 있음을 마이크로 Raman분석으로부터 추측할 수 있었다. 증착층의 texture orientation 을 X-선 회절 분석기로 확인한 결과, $550^{\circ}C$에서는 증착층의 texture orientation이 관찰되지 않았지만 온도가 증가함에 따라 <100>에서 <110>으로 변화하는 것을 관찰할 수 있었다.

• Tribology and Lubricants
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• 제16권4호
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• pp.282-288
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• 2000

A sliding friction and wear test for silicon nitride (Si,N4) was conducted using a ball-on-disk specimen configuration. The material used in this study was HIPed silicon nitride. The tests were carried out from room temperature to 1000$^{\circ}C$ using self-mated silicon nitride couples in laboratory air. The worn surfaces were observed by SEM and the debris particles from the worn surfaces were analyzed for oxidation by XPS. The normal load was found to have a more significant influence on the friction coefficient of the silicon nitride than an elevated temperature. The specific wear rate was found to decrease along with the sliding distance. The specific wear rate at 29.4 N and 1000$^{\circ}C$ was 292 times larger than that at room temperature. The main wear mechanism from room temperature to 750$^{\circ}C$ was caused by brittle fracture whereas from 750$^{\circ}C$ to 1000$^{\circ}C$ the wear mechanism was mainly influenced by the oxidation of silicon nitride due to the increased temperature. The oxidation of silicon nitride at a high temperature was a significant factor in the wear increase.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2002년도 하계학술대회 논문집
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• pp.202-205
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• 2002

Polycrystalline silicon thin film transistors (poly-Si TFTs) are used in a wide variety of applications, and will figure prominently future high-resolution, high-performance flat panel display technology However, it was very difficult to fabricate high performance poly-Si TFTs at a temperature lower than 300$^{\circ}C$ for glass substrate. Conventional process on a glass substrate were limited temperature less than 600$^{\circ}C$ This paper proposes a high temperature process above 750$^{\circ}C$ using a flexible molybdenum substrate deposited hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) and than crystallized a rapid thermal processor (RTP) at the various temperatures from 750$^{\circ}C$ to 1050$^{\circ}C$. The high temperature annealed poly-Si film illustrated field effect mobility higher than 30 $\textrm{cm}^2$/Vs, achieved I$\sub$on//I$\sub$off/ current ratio of 10$^4$ and crystall volume fraction of 92%. In this paper, we introduce the new TFTs Process as flexible substrate very promising roll-to-roll process, and exhibit the properties of high temperature crystallized poly-Si Tn on molybdenum substrate.

• 센서학회지
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• 제27권4호
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• pp.249-253
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• 2018

Infrared transparent ZnS ceramics were synthesized through hydrothermal synthesis ($180^{\circ}C$, 70 h) and sintered using a hot press process at $750^{\circ}C-1000^{\circ}C$. We carried out x-ray diffraction, scanning electron microscopy, and Fourier transform-infrared spectroscopy to confirm the optical properties of the ZnS ceramics after sintering at various temperatures. The phase of ZnS nanopowders was a single phase (cubic) without the hexagonal phase. However, as sintering temperature increased, the formation and increment of hexagonal structures was confirmed. The ZnS ceramic sintered at a temperature of $750^{\circ}C$ showed poor transmittance because it was not completely sintered and because of the pore effect. The ZnS ceramic with the highest transmittance (approximately 69%) was sintered at $800^{\circ}C$. As sintering temperature increased, transmittance gradually decreased owing to the increase in the formation of the hexagonal phase.