• ETRI Journal
• /
• 제37권6호
• /
• pp.1120-1128
• /
• 2015

We propose a pseudo optical N-level pulse-amplitude modulation (PO PAM-N) signal using a few externally-modulated lasers (EMLs) operating at different wavelengths, which is suitable for upgrading the transmission speed over an optical link of < 10 km single-mode fiber with low-cost components. To compare a PO PAM-N signal with that of a standard optical PAM-N signal, we perform experiments for evaluating the performance of a 51.56-Gb/s PO PAM-4 signal and standard 51.56-Gb/s optical PAM-4 signal. The receiver sensitivity (at $BER=10^{-5}$) of the PO PAM-4 signal is 1.5 dB better than the receiver sensitivity of a standard optical PAM-4 signal. We also investigate the feasibility of PO PAM-N (N = 4, 8, and 16) signals operating at 103.12 Gb/s, considering relative intensity noise, timing jitter, extinction ratio (ER) of EMLs, and dispersion. From the results, a PO PAM-8 signal performs better than PO PAM-4 and PO PAM-16 signals at 103.12 Gb/s. Finally, we suggest a timing control method to suppress the effect of dispersion in a PO PAM-N signal. We show that the tolerance to dispersion of a 103.12-Gb/s PO PAM-8 signal can be improved to ${\pm}40ps/nm$ by applying a proposed scheme.

• 한국진공학회:학술대회논문집
• /
• 한국진공학회 2010년도 제39회 하계학술대회 초록집
• /
• pp.222-222
• /
• 2010

III-V반도체 태양전지는 다양한 에너지 밴드갭을 만들 수 있으며 다중접합 태양전지의 경우 흡수 전류가 커져 효율이 증가한다. 태양전지의 효율의 증가는 태양광 발전시스템의 발전 단가를 낮추는 중요한 요인이다. 우리는 효율이 높은 III-V 태양전지를 제작하기 위해 일차적으로 Ge기판 위에 GaAs를 성장하고자 한다. Ge기판과 GaAs의 격자상수는 0.07%차이로 거의 일치하나 물질의 열팽창계수가 다르고 비극성인 Ge기판 위에 극성인 GaAs를 성장 시 위상불일치(Anti Phase Domain) 나타난다. 위상불일치 현상을 줄이기 위해 성장 시 온도와 V/III비율, 성장두께 등을 달리하여 성장한다. 표면의 상태가 좋아질수록 위상불일치 현상이 작으며 단일성장 보다 두 단계 과정으로 성장 했을 때 표면의 상태가 더 좋은 결과를 바탕으로[1], 20nm 이하로 얇게 seed층을 성장하고 그 위에 두꺼운 버퍼층을 성장하는 두 단계로 진행하였다. seed층의 성장온도는 $400{\sim}550^{\circ}C$, V/III 비율을 3.5~30으로 다양하게 바꿔가면서 표면의 상태를 비교하였다. 이때 버퍼층의 성장 온도와 V/III 비율은 $680^{\circ}C$, 192으로 일정하게 유지하였다. 표면은 SEM과 AFM을 통해 분석하였으며 결정질의 상태는 XRD 장비(Panalytical사)로 분석하고 광학적 특성은 LTPL(Accent Optical Technologies사)로 측정하였다. 실험의 결과는 seed층의 온도가 낮고 V/III 비율이 낮으며 성장률이 높았을 때 표면상태가 좋은 반면 버퍼층은 온도가 높고 V/III 비율이 높으며 성장률이 낮을 때 표면상태가 좋았다. seed층을 $450^{\circ}C$온도에서 V/III 비율이 3.5이고 성장률이 버퍼층에 비교하여 크게 하여 성장 했을 때 표면 거칠기가 3.75nm로 작아 표면의 상태가 좋음을 확인할 수 있었다. 두 단계 성장 시 표면의 상태는 seed층의 조건에 따라 결정됨을 알 수 있었다. 표면상태가 좋았을 때 결정상태 역시 좋았으며 성장률이 바뀜에 따라 반치폭이 42~45 arcsec의 값을 나타내었다. 광학적 특성은 10K에서 1.1512eV 밴드갭 에너지를 가지고 있어 양질의 GaAs가 성장됨을 알 수 있다.

• 한국재료학회지
• /
• 제27권2호
• /
• pp.89-93
• /
• 2017

A thin film thermoelectric generator that consisted of 5 p/n pairs was fabricated with $1{\mu}m$-thick n-type $In_3Sb_1Te_2$ and p-type $Ge_2Sb_2Te_5$ deposited via radio frequency magnetron sputtering. First, $1{\mu}m$-thick GST and IST thin films were deposited at $250^{\circ}C$ and room temperature, respectively, via radio-frequency sputtering; these films were annealed from 250 to $450^{\circ}C$ via rapid thermal annealing. The optimal power factor was found at an annealing temperature of $400^{\circ}C$ for 10 min. To demonstrate thermoelectric generation, we measured the output voltage and estimated the maximum power of the n-IST/p-GST generator by imposing a temperature difference between the hot and cold junctions. The maximum output voltage and the estimated maximum power of the $1{\mu}m$-thick n-IST/p-GST TE generators are approximately 17.1 mV and 5.1 nW at ${\Delta}T=12K$, respectively.

• Corrosion Science and Technology
• /
• 제7권1호
• /
• pp.16-21
• /
• 2008

A non-phosphorous program employing an alkyl epoxy carboxylate (AEC) has been successfully applied to petrochemical and other large industrial open recirculating cooling water systems. AEC is a patented non-phosphorous calcium carbonate scale inhibitor that has demonstrated better scale inhibition abilities than traditional organic phosphonates. In addition to its antiscalant properties, AEC inhibits carbon steel corrosion when used at high dosages. AEC can be combined with zinc to form a non-phosphorous program with very low levels of phosphate to provide an environmentally acceptable program. In actual applications, the total phosphate developed in the cooling system from cycling the makeup is below 1 ppm as $PO_4$. This level has complied with the highest standards of wastewater discharge limitations. The performance of two AEC/Zinc applications is reviewed. In both cases excellent corrosion and scale control were achieved with AEC/Zinc programs. One case history details the performance with a low hardness water (100 ppm calcium, as $CaCO_3$) operating at 8-10 cycles of concentration. The corrosive nature of the water and the long retention time of the system stressed both the corrosion and scale control capabilities of the program. The second case history demonstrates the performance of the program with a moderate hardness water (400-600 ppm calcium, as $CaCO_3$), but under harsh conditions of high temperature and low flow. The AEC/zinc combination has been found to be highly effective in controlling the corrosion of ferrous metals. AEC can provide good corrosion inhibition at high concentrations, while zinc is known to be an excellent cathodic inhibitor. The combination of the two inhibitors not only provides a synergistic blend that is effective over a wide range of operating conditions, but also is environmentally friendly.

• 대한전기학회:학술대회논문집
• /
• 대한전기학회 2004년도 하계학술대회 논문집 B
• /
• pp.1172-1175
• /
• 2004

포항 방사광 가속기의 선형가속기는 2.5GeV 전자빔용 마이크로웨이브의 발생을 위하여 80 MW급 클라이스트론(klystron) 11대와 입사부용 65 MW 급 클라이스트론 1대를 사용한다. 80 MW 급 클라이스트론 부하를 구동하기 위하여 최대 펄스 정격출력 200MW(400kV, 500A, 평탄도 $4.4\;{\mu}s$)인 대출력 펄스 전원공급 장치(modulator)가 요구된다. 모듈레이터 시스템 용 PFN(pulse forming network) 커패시터의 충전용 입력전원으로써 최대 출력전압 50 kV, ${\pm}\;0.5\%$ 이내의 전압제어가 가능한 고전압 인버터 전원장치를 적용하여 PLS 선형가속기용 국산화 개발 클라이스트론 부하의 성능시험을 수행하였다. 국산화 개발된 S-band 펄스 클라이스트론은 고전압 길들이기 과정을 거쳐 최대 정격 출력 빔 전압 400 kV 이상까지 시험 완료하였다. 클라이스트론의 정확한 RF 출력성능의 측정을 위하여 방향성 결합기와 검파기를 설치하여 측정시스템의 성능을 개선하였다. 본 논문에서는 포항 방사광 가속기의 국산화 개발 1호 클라이스트론 부하의 성능시험을 위한 50 kV 급 인버터시스템 적용과정에서 수행하였던 시험장치 개선과 PFN의 충전 특성을 분석하였다. 또한, 클라이스트론의 고전압 및 RF 길들이기 시험 결과에 관하여 고찰하고자 한다.

• Asian-Australasian Journal of Animal Sciences
• /
• 제12권3호
• /
• pp.400-410
• /
• 1999

Five experiments were conducted using finishing pigs (PIC L326 sires $\times$ C15 dams) to examine the effects of expander operating conditions on nutrient digestibility in finishing pigs. The effects of different expanding conditions (0, 11.7, 24.4, $32.5kg/cm^2$) for corn-SBM based diets (Exp. 1), wheat meddlings diet (Exp. 2), sorghum-SBM based diets (Exp. 3) and wheat-SBM based diet (Exp. 4). Exp. 5 was conducted as a $2{\times}4$ factorial arrangement and factors examined were 2 soy products (raw soybean and SBM) and 4 expanding conditions (0, 14.1, 28.1, $42.2kg/cm^2$). In experiment 1, total production rates (p>0.10) were similar among treatments. The amount of fines decreased (cubic effect, p<0.001) as cone pressure was increased from 0 to $11.7kg/cm^2$, with smaller differences as cone pressure was further increased to $35.2kg/cm^2$. Nutrient digestibilities increased (p<0.02) as the feed was subjected to higher cone pressures. Digestibilities of DM, N, and GE were maximized at $24.4kg/cm^2$ cone pressure. The DE of the diet expanded at 24.4 and $35.2kg/cm^2$ increased by 172 and 109 kcal/kg, respectively, compared to the diet processed at $0kg/cm^2$ cone pressure. In experiment 2, total production and screened pellets production rates were similar among the processing treatments (p>0.21). The amount of fines decreased (quadratic effect, p<0.03) by 9 kg/h as cone pressure was increased from 0 to $11.7kg/cm^2$. Digestibilities of DM (p<0.02), N (p<0.001), and GE (p<0.002) were increased as cone pressure was increased from 0 to $35.2kg/cm^2$. DM, N, and GE digestibility in the pigs fed the midds-based diet increased by 8, 13, and 10%, respectively, at the highest processing cone pressure compared to the diets without any cone pressure. In experiment 3, the conditioned mash moistures for the treatments were numerically similar around 15% moisture. As the expander cone pressure was increased from 0 to $11.7kg/cm^2$, energy consumption for the pellet mill decreased (quadratic effect, p<0.004) from 14.1 to 12.0 kWh/t. Dry matter and gross energy digestibility increased (cubic effects, p<0.006) as cone pressure was increased from 0 to $35.2kg/cm^2$ with the largest improvement occurring as cone pressure was increased from 0 to $11.7kg/cm^2$. Nitrogen digestibility increased (cubic effect, p<0.001) from 78.3 to 81.0% as the feed was subjected to the higher cone pressures, with N digestibility being maximized at $24.4kg/cm^2$ cone pressure. The DE of the diet increased (cubic effect, p<0.001) by 225 kcal/kg as cone pressure was increased from 0 to $11.7kg/cm^2$. In experiment 4, pellet moisture decreased and moisture loss increased as cone pressure was increased from 0 to $35.2kg/cm^2$. Also, starch gelatinization of the wheat-based diets increased from 16.8 to 49.1% as the diets were processed at 0 and $35.2kg/cm^2$ cone pressure. Nutrient digestibilities were not affected (p>0.18) by any increase in cone pressure. In experiment 5, pellet moisture decreased as cone pressure was increased 0 to $35.2kg/cm^2$. The amount of moisture loss for the diets expanded at $42.2kg/cm^2$ was 3.0 and 3.8% for the SBM and raw soybean (RB) diets, respectively. Starch gelatinization for the SBM diets were 19% greater than the RB diets. The RB diets had lower DM, N and GE digestibilities as compared to the SBM diets. The DE of the RB diets were lower (p<0.02) than the SBM diets. DM (p<0.06), N (p<0.02), and GE (p<0.001) digestibilities of the dietary treatments increased as cone pressure was increased 0 to $42.2kg/cm^2$.

• 한국진공학회:학술대회논문집
• /
• 한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
• /
• pp.399-399
• /
• 2013

Metal silicides는 Si 기반의microelectronic devices의 interconnect와 contact 물질 등에 사용하기 위하여 그 형성 mechanism과 전기적 특성에 대한 연구가 많이 이루어지고 있다. 이 중 Rare-earth(RE) silicides는 저온에서 silicides를 형성하고, n-type Si과 낮은 Schottky Barrier contact (~0.3 eV)을 이룬다. 또한 낮은 resistivity와 Si과의 작은 lattice mismatch, 그리고 epitaxial growth의 가능성, 높은 thermal stability 등의 장점을 갖고 있다. RE silicides 중 ytterbium silicide는 가장 낮은 electric work function을 갖고 있어 n-channel schottky barrier MOSFETs의 source/drain으로 주목받고 있다. 또한 Silicon 기반의 CMOSFETs의 성능 향상 한계로 인하여 germanium 기반의 소자에 대한 연구가 이루어져 왔다. Ge 기반 FETs 제작을 위해서는 낮은 source/drain series/contact resistances의 contact을 형성해야 한다. 본 연구에서는 저접촉 저항 contact material로서 ytterbium germanide의 가능성에 대해 고찰하고자 하였다. HRTEM과 EDS를 이용하여 ytterbium germanide의 미세구조 분석과 면저항 및 Schottky Barrier Heights 등의 전기적 특성 분석을 진행하였다. Low doped n-type Ge (100) wafer를 1%의 hydrofluoric (HF) acid solution에 세정하여 native oxide layer를 제거하고, 고진공에서 RF sputtering 법을 이용하여 ytterbium 30 nm를 먼저 증착하고, 그 위에 ytterbium의 oxidation을 방지하기 위한 capping layer로 100 nm 두께의 TiN을 증착하였다. 증착 후, rapid thermal anneal (RTA)을 이용하여 N2 분위기에서 $300{\sim}700^{\circ}C$에서 각각 1분간 열처리하여 ytterbium germanides를 형성하였다. Ytterbium germanide의 미세구조 분석은 transmission electron microscopy (JEM-2100F)을 이용하였다. 면 저항 측정을 위해 sulfuric acid와 hydrogen peroxide solution (H2SO4:H2O2=6:1)에서 strip을 진행하여 TiN과 unreacted Yb을 제거하였고, 4-point probe를 통하여 측정하였다. Yb germanides의 면저항은 열처리 온도 증가에 따라 감소하다 증가하는 경향을 보이고, $400{\sim}500^{\circ}C$에서 가장 작은 면저항을 나타내었다. HRTEM 분석 결과, deposition 과정에서 Yb과 Si의 intermixing이 일어나 amorphous layer가 존재하였고, 열처리 온도가 증가하면서 diffusion이 더 활발히 일어나 amorphous layer의 두께가 증가하였다. $350^{\circ}C$ 열처리 샘플에서 germanide/Ge interface에서 epitaxial 구조의 crystalline Yb germanide가 형성되었고, EDS 측정 및 diffraction pattern을 통하여 안정상인 YbGe2-X phase임을 확인하였다. 이러한 epitaxial growth는 면저항의 감소를 가져왔으며, 열처리 온도가 증가하면서 epitaxial layer가 증가하다가 고온에서 polycrystalline 구조의 Yb germanide가 형성되어 면저항의 증가를 가져왔다. Schottky Barrier Heights 측정 결과 또한 면저항 경향과 동일하게 열처리 증가에 따라 감소하다가 고온에서 다시 증가하였다.

• 한국결정성장학회:학술대회논문집
• /
• 한국결정성장학회 1997년도 Proceedings of the 12th KACG Technical Meeting and the 4th Korea-Japan EMGS (Electronic Materials Growth Symposium)
• /
• pp.231-236
• /
• 1997

To improve electrical properties and uniformity of high-low doped n-type GaAs, new ohmic contacts with a low-resistance and the superior uniformity was developed using a concept of hybrid ohmic contact. The hybrid ohmic contact displayed good surface and interface morphology and had minimum contact resistivity of 3${\times}$10-6 $\Omega$$\textrm{cm}^2$ in a wide annealing temperature ranged from 340$^{\circ}C$ to 420$^{\circ}C$, which was much wider than that of conventional ohmic contacts. The microstructural analysis showed that the Pd/Ge ohmic contact at low annealing temperature (∼300$^{\circ}C$) and also annealing temperature (∼400$^{\circ}C$), resulting ij hybrid ohmic contacts.

• 대한전기학회:학술대회논문집
• /
• 대한전기학회 2011년도 제42회 하계학술대회
• /
• pp.1525-1527
• /
• 2011

포항가속기 연구소에서 3.0 GeV의 에너지로 성능향상(PLS-II)를 위하여 선형가속기에 모듈레이터를 증설하였다. 추가 증설을 위하여 사용될 200 MW 인버터 모듈레이터를 설계, 제작, 시험하고자 한다. 모듈레이터에는 Inverter type 고전압 전원장치를 사용하였으며 사양은 펄스 전압 400 kV, 전류 500A, 펄스폭 8us, 반복횟수 30 Hz이며 부하는 80 MW 클라이스트론을 사용하여 시험할 하였다. 본 논문에서는 설계, 제작 및 시험 결과에 대하여 논하고자 한다.

• 원자력산업
• /
• 제5권11호통권33호
• /
• pp.56-65
• /
• 1985

다음은 미국 MIT원자력공학과의 Hansen 교수와 서독 베를린공과대학의 Winje교수가 공동으로 양국 원자력발전소의 가동실적(1980-1983년까지 년간)을 비교분석한 보고서의 내용이다. 대상으로한 원자로는 미국이 PWR(WH사제) 21기, BWR(GE사제) 22기이고, 서독측은 PWR(KWU사제)6기, BWR(동)4기인데 주요분석은 PWR에 중점을 두고 있으며(표1, 표2) 대상으로한 원자로는 (1) 출력 400MWe이상 (2) 1980년이전에 상업운전개시 (3) NSSS와 터빈$\cdot$발전기의 공급자가 동일이라는 기준으로 선택되어 있다. 가동실적의 비교로는 공통의 지표로 가동율(일정기간중의 발전량을 동기간중의 정격출력발전량으로 나눈 것)을 사용하고 있다. 그밖에 발전손실(정격출력발전량과 실제발전량의 차이)의 원인을 비교분석하여 양국 원전운전실적의 상위와 그 요인$\cdot$배경을 명백히 하려는 것이 연구의 개요이다.