• ETRI Journal
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• 제27권5호
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• pp.484-490
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• 2005

We fabricated 40 Gb/s front-end optical receivers using spot-size converter integrated waveguide photodiodes (SSC-WGPDs). The fabricated SSC-WGPD chips showed a high responsivity of approximately 0.8 A/W and a 3 dB bandwidth of approximately 40 GHz. A selective wet-etching method was first adopted to realize the required width and depth of a tapered waveguide. Two types of electrical pre-amplifier chips were used in our study. One has higher gain and the other has a broader bandwidth. The 3 dB bandwidths of the higher gain and broader bandwidth modules were about 32 and 42 GHz, respectively. Clear 40 Gb/s non-return-to-zero (NRZ) eye diagrams showed good system applicability of these modules.

• Journal of the Optical Society of Korea
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• 제12권4호
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• pp.244-248
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• 2008

We have evaluated the performance of strain-chirped fiber Bragg grating (FBG) based tunable dispersion compensator in a 40 Gb/s transmission link. In our proposed compensator, the value of dispersion could be changed from -353 ps/nm to -962 ps/nm by adjusting the rotation angle of the metal beam on which the FBG was mounted. In order to evaluate the effect of ripples in reflectivity and variations in passband of the FBG based dispersion compensator, transmission performance has been measured with our tunable dispersion compensator. Error-free transmission of a 40 Gb/s non-return-to-zero (NRZ) signal over conventional single-mode fiber (SMF) was achieved.

• 전자통신동향분석
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• 제24권1호
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• pp.43-49
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• 2009

최근 높은 대역폭을 요구하는 다양한 IP 멀티미디어 애플리케이션이 증가하면서 10G 이더넷 서비스가 폭넓게 이용되고 있으나, 이도 가까운 시기에 트래픽의 한계에 이를 것에 대비하여 보다 큰 대역폭을 제공할 수 있는 40G급 이더넷 기술에 관한 표준화 드래프트 1.0 규격이 이더넷은 IEEE 802.3ba에 의해 2008년 9월 완성되었으며 2009년 완료를 목표로 하고 있다. 본 고에서는 표준화 기술이 어떻게 채택되고 있는지를 알아보고, 40G 표준화 이더넷 백플레인 기술 및 등화기 구현방안에 대하여 기술한다.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2001년도 하계종합학술대회 논문집(1)
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• pp.155-158
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• 2001

A 640Gb/s high-speed ATM switching system that is based on the technologies of advanced MCM, 0.25um CMOS and optical WDM interconnection is fabricated for future N-ISDN services. A 40 layer, 160mm$\times$114mm ceramic MCM realizes the basic ATM switch module with 80Gbps throughput. The basic unit ATM switch module with 80Gb/s throughput. The basic unit ATM switch MCM consists of in 8 chip advanced 0.25um CMOS VLSI and 32 chip I/O Bipolar VLSIs. The MCM employs an 40 layer, very thin layer ceramic MCM and a uniquely structured closed loop type liquid colling system is adopted to cope with the MCM's high-power dissipation of 230w. The MCM is Mounted on a 32cm$\times$50cm mother board. A three stage ATM switch is realized by optical WDM interconnection between the high-performance MCM.

• 한국통신학회논문지
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• 제40권7호
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• pp.1347-1353
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• 2015

$0.13-{\mu}m$ CMOS 공정기술을 이용하여 10 Gb/s 4채널 수직공진 표면 광레이저 (VCSEL) 드라이버 어레이를 구현하였다. 높은 전류 해상도, 전력 소모 및 칩 면적의 향상을 위해 시분할 센싱기법을 사용한 디지털 APC/AMC가 최초로 채택되었다. 측정된 -3 dB 주파수 대역폭은 9.2 GHz이고, 소신호 이득은 10.5 dB, 그리고 전류 해상도는 폭넓은 온도 범위에 대해 10 Gb/s 까지 안정한 파장동작을 위한 1 mA/step이다. 제안된 APC/AMC는 5 ~ 20 mA 의 바이어스 전류 제어 및 5 ~ 20 mA 의 변조전류제어를 입증하였다. 4 채널 칩 소모전력은 최대 바이어스 및 변조전류 하에서 371 mW, 칩 사이즈는 $3.71{\times}1.3mm^2$이다.

• 한국광학회지
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• 제14권5호
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• pp.509-514
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• 2003

SOA(Semiconductor Optical Amplifier)를 단일 기판에 집적한 Mach-Zehnder 간섭계 구조의 파장변환기를 제작하여 40 nm 지역폭에 대한 10 Gb/s 파장변환 특성을 조사하였다. 제작된 파장변환기는 BRS(Buried Ridge Structure)형 SOA와 수동 도파로를 butt-joint결합하여 단일 집적한 구조이다. 집적화 과정에서 높은 도파 손실을 발생시키는 p+ InP덮개층을 제거하고 무첨가 InP로 도파로 덮개층 및 전류 차단층을 동시에 형성시키는 새로운 방법을 이용하였고, 모듈 제작에서 경사진 도파로와 광섬유를 효율적으로 광 접속하기 위하여 경사진 광섬유 배열을 제작하여 사용하였다. 이와 같이 제작된 파장변환기 모듈을 이용하여 1535-1575 nm의 40 nm 대역폭에서 1 ㏈ 이하의 power penalty를 갖는 10 Gb/s 파장변환을 구현하였고, 특히 negative penalty를 갖는 파장변환을 성공적으로 구현함으로써 2R(re-amplification, re-shaping) 기능을 제공할 수 있음을 보였다.

• 전자통신동향분석
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• 제30권1호
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• pp.65-76
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• 2015

스마트폰의 보급에 따른 대용량 멀디미디어 서비스의 폭발적인 수요 증가에 따라데이터센터의 100Gb/s 광트랜시버에 대한 수요는 2017년을 기점으로 10Gb/s를 추월하여 2018년 데이터콤 전체 시장의 50% 이상을 차지할 전망이다. 한편, 데이터센터의 소비전력 및 시스템 집적도 증가를 위해 광트랜시버의 Form-factor는 CFP(40G/100G Form-factor Pluggable)에서 QSFP28($4{\times}28G$ Quad Small Form-factor Pluggable)로 약 1/14배 소형화될 전망이며, 이에 따른 광트랜시버 구성 부품의 집적도는 높아지고 소비전력은 현재 대비 1/9로 낮아져야 한다. 본고에서는 소형화 및 저전력화를 위한 광트랜시버의 표준화 및 기술동향과 국내외 시장동향에 대해 기술한다.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2001년도 하계종합학술대회 논문집(1)
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• pp.375-378
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• 2001

A 640Gb/s very advanced ATM switching system using 0.25um CMOS VLSI, 40 layer ceramic MCM and 10Gb/s, 8 wavelength 8$\times$8 optical WDM interconnection has been fabricated. To break though the interconnection bottleneck, optical WDM interconnection is used. It has 20Gb/s 8 wavelength 8$\times$8 interconnection capability. It realizes 640Gb/s interconnections within a very small size. Preliminary tests show that 800b1s ATM switch MCM and optical WDM interconnection technologies can be applied to future high speed broadband networks

• 전자통신동향분석
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• 제24권1호
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• pp.12-23
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• 2009

광트랜시버는 광전송 시스템, 대용량 라우터 및 스위치 등의 광통신 장치에서 전기 신호를 광신호로 바꿔 광섬유를 매체로 송신하며 송신된 광신호를 수신하여 다시 전기 신호로 바꿔주는 광송신과 광수신 기능을 담당하는 모듈을 말한다. 광 송수신 모듈은 초창기 155M, 622M, 2.5 Gb/s SDH/SONET 시스템에 사용되었을 때에는 광송신기와 광수신기가 분리되어 있는 구조였으나, 2000년 이후에 들어서서 광송신기와 수신기가 하나의 패키지 안에 구현된 지금의 광트랜시버 모듈이 등장하였다. 또한, 광트랜시버 모듈 업체를 중심으로 시스템 업체, 부품업체들이 모여 산업체 표준(MSA)을 정하면서 개발 비용과 시간 단축의 효과를 거두는 동시에, 기술면에서도 비약적인 발전을 거듭하고 있다. 이러한 광트랜시버의 발전 방향은 고속화, 소형화, 고성능화, 저가격화로 요약할 수 있다. 본 고에서는 10 Gb/s, 40 Gb/s, 100 Gb/s 광트랜시버를 중심으로 기술동향을 설명하고, 광트랜시버를 개발하는 데 필요한 요소기술에 관하여 살펴본다.

• 한국통신학회논문지
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• 제37B권9호
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• pp.814-821
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• 2012

본 논문에서는 하드웨어 기반의 플로우 수락 제어 알고리즘(FAC)을 이용하여 실시간 플로우 관리가 가능한 네트워크 프로세서인 옴니플로우 프로세서를 제안한다. 옴니플로우 프로세서는 플로우 연결 설정 및 해제를 실시간으로 처리하므로 플로우 업데이트 주기를 짧게 설정할 수 있고, 이 주기 내에 입력되지 않는 패킷들이 속하는 플로우의 연결을 해제함으로써 실제 유효한 플로우만을 효율적으로 관리할 수 있다. 그러므로 FAC를 통해 TCP 뿐만 아니라 UDP 응용서비스의 전송 신뢰성을 높힐 수 있다. 이 프로세서는 65nm CMOS 공정에 의해 총 2천5백만 게이트 용량의 칩으로 제작되었으며, 패킷 처리를 위한 32개의 RISC 코어를 이용하여 최대 동작 주파수가 555MHz 일 때 40Gb/s의 처리 성능을 갖는다.