• 기록학연구
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• 제74호
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• pp.5-43
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• 2022

본 연구는 기록의 '정동적 가치'에 대한 탐색을 목적으로 한다. 전통적으로 기록은 증거 가치, 정보 가치, 그리고 실물 가치를 지니는 것으로 평가되어왔다. 하지만, 1990년대 이후 시작된 서구 인문사회학 전반에서의 '정동적 전환(affective turn)'은 기록이 가지는 권위 밖 이질적인 것으로 간주되던 '정동 가치'에 대한 논의를 촉구했다. 불행히도 서구에서 기록의 정동적 가치에 대한 논의를 본격화했던 반면 국내 기록학계 내 기록에 대한 정동적 논의는 거의 부재한 실정이다. 본 연구는 기록의 정동적 가치를 본격적으로 탐색하기 위해 먼저 정동의 이론적 논의를 살핀다. 이어서 정동의 기록화를 보여줄 국내 사례를 구체적으로 다루고 있다. 재난 시대의 고통과 슬픔, 애도를 기록하는 대표적인 정동의 저장소로서 4.16 기억저장소의 기록관리 사례를 살펴본다. 이 연구는 사회적 정동의 예상치 못한 파급 효과를 드러냄과 동시에 극적계기를 제공한 세월호 참사, 그리고 이의 기록활동으로서 '4.16 기억저장소'를 동시대 트라우마적 사건의 생존자들과 유가족의 고통과 슬픔을 기록한 정동 기록의 대표 사례로 보고 집중적으로 관찰한다. 본 연구는 '4.16 기억저장소'의 사례를 통해 기존의 기록관리 관행과는 다른 정동 기록화의 차별성이 수집에서부터 평가 및 서비스에 이르기까지 어떻게 구현되는지를 구체적으로 드러내 보인다.

• 한국인터넷방송통신학회논문지
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• 제16권4호
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• pp.15-20
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• 2016

플래시 메모리는 초소형 전자기기부터 미디어 서버에 이르기까지 현대의 다양한 시스템에서 스토리지로 활용되고 있다. 플래시 메모리의 쓰기 증폭 (Write Amplification)은 가비지 컬렉션에서 발생하는 것으로 불규칙적인 성능의 주요 원인으로 지적되고 있다. 갑작스러운 속도지연은 실시간성 미디어를 위한 스토리지 시스템에서 치명적인 단점이 될 수 있다. 본 논문은 비휘발성램을 플래시 메모리 스토리지의 버퍼캐시로 사용하고 두 계층 간의 협동적 데이터 관리를 통해 플래시 메모리의 쓰깆 WAF를 절감하는 기법에 대해 제안한다. 비휘발성램에 캐쉬된 데이터는 플래시 메모리에서 가비지 컬렉션 수행 시 복사하지 않도록 한다. 이것은 복사되는 페이지의 수를 감소시켜 스토리지의 성능 및 내구성을 향상시킨다. 제안된 기법은 ssdsim 시뮬레이터에 구현되었으며 WAF와 응답시간의 표준편차를 각각 51.4%와 35.4% 개선할 수 있음을 보인다.

• 한국콘텐츠학회논문지
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• 제15권4호
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• pp.9-16
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• 2015

Linux와 같은 발전된 운영 체제의 가상 메모리 관리 기술은 메인 메모리와 하드디스크와 같은 저장 장치를 이용하여 응용 프로그램에게 가상의 큰 주소 공간을 제공해준다. 최근 저장 장치는 속도의 측면에서 비약적인 발전을 보이고 있기 때문에 고속의 차세대 저장 장치를 메모리 확장에 이용하면 메모리를 많이 사용하는 응용의 성능이 좋아질 것이다. 그러나 기존 운영체제의 가상 메모리 관리 오버헤드 때문에 응용의 성능을 극대화시킬 수 없다. 이러한 문제를 해결하기 위해 본 논문은 차세대 저장 장치를 메모리 확장에 사용했을 때 쓰기 연산을 위한 블록 주소를 할당하는 향상된 알고리즘 및 시스템 튜닝 기법들에 대해 제안하였고, 제안된 기법들을 Linux 3.14.3의 가상 메모리 관리 시스템에 구현하였다. 그리고 구현된 시스템을 벤치마크를 이용하여 실험을 하였고, 마이크로 벤치마크의 경우에 평균 3배, 과학 계산 벤치마크 응용의 경우에 24%의 성능 향상이 있음을 보였다.

• 디지털콘텐츠학회 논문지
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• 제16권4호
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• pp.535-543
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• 2015

현재 NAND 플래시 메모리기반 저장장치는 NAND 플래시 메모리의 단점을 감추고 장점을 극대화해 나가며 그 활용 영역을 지속적으로 넓혀왔다. 특히, 이러한 저장장치는 NAND 플래시 메모리의 고유한 특성인 "쓰기 전 지우기" 특성을 감추기 위하여 내부적으로 플래시 변환 계층(Flash Translation Layer)이라 불리는 소프트웨어 계층을 포함하고 있다. 플래시 변환 계층은 호스트로부터 요청된 데이터를 관리하기 위한 메타데이터를 포함하며, 메타데이터는 호스트의 요청들을 처리하기 위해 자주 접근되는 데이터이므로 내부 메모리에 저장되어 관리된다. 따라서 메모리에 저장된 메타데이터는 전원손실이 발생하게 되는 경우 모두 소멸되므로, 메타데이터를 주기적으로 저장하고 초기화 과정을 통해 메타데이터를 메모리에 적재할 수 있는 메타데이터 관리 정책이 필요하다. 따라서 우리는 메타데이터 관리의 핵심 요구사항을 모두 만족하면서 효율적으로 동작하는 메타데이터 관리 정책을 제안하며, 실험을 통해 제안하는 기법의 효율성을 증명하였다.

• 정보저장시스템학회논문집
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• 제3권2호
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• pp.94-112
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• 2007

Nano-sized inverted domain dots in ferroelectric materials have potential application in ultrahigh-density rewritable data storage systems. Herein, a data storage system is presented based on scanning non-linear dielectric microscopy and a thin film of ferroelectric single-crystal lithium tantalite. Through domain engineering, we succeeded to form an smallest artificial nano-domain single dot of 5.1 nm in diameter and artificial nano-domain dot-array with a memory density of 10.1 Tbit/$inch^2$ and a bit spacing of 8.0 nm, representing the highest memory density for rewritable data storage reported to date. Sub-nanosecond (500psec) domain switching speed also has been achieved. Next, long term retention characteristic of data with inverted domain dots is investigated by conducting heat treatment test. Obtained life time of inverted dot with the radius of 50nm was 16.9 years at $80^{\circ}C$. Finally, actual information storage with low bit error and high memory density was performed. A bit error ratio of less than $1\times10^{-4}$ was achieved at an areal density of 258 Gbit/inch2. Moreover, actual information storage is demonstrated at a density of 1 Tbit/$inch^2$.

• Journal of Information Processing Systems
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• 제4권1호
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• pp.9-16
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• 2008

This paper describes the design and implementation of a two-tier DBMS for handling massive data and providing faster response time. In the present day, the main requirements of DBMS are figured out using two aspects. The first is handling large amounts of data. And the second is providing fast response time. But in fact, Traditional DBMS cannot fulfill both the requirements. The disk-oriented DBMS can handle massive data but the response time is relatively slower than the memory-resident DBMS. On the other hand, the memory-resident DBMS can provide fast response time but they have original restrictions of database size. In this paper, to meet the requirements of handling large volumes of data and providing fast response time, a two-tier DBMS is proposed. The cold-data which does not require fast response times are managed by disk storage manager, and the hot-data which require fast response time among the large volumes of data are handled by memory storage manager as snapshots. As a result, the proposed system performs significantly better than disk-oriented DBMS with an added advantage to manage massive data at the same time.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제16권4호
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• pp.183-186
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• 2015

This research investigates the impact of charge spreading on the data retention of three-dimensional (3D) silicon-oxide-nitride-oxide-silicon (SONOS) flash memory where the charge trapping layer is shared along the cell string. In order to do so, this study conducts an electrical analysis of the planar SONOS test pattern where the silicon nitride charge storage layer is not isolated but extends beyond the gate electrode. Experimental results from the test pattern show larger retention loss in the devices with extended storage layers compared to isolated devices. This retention degradation is thought to be the result of an additional charge spreading through the extended silicon nitride layer along the width of the memory cell, which should be improved for the successful 3-D application of SONOS flash devices.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제16권5호
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• pp.290-292
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• 2015

We have reported about bipolar resistive switching effect on Poly[2-methoxy-5-(2-ethylhexyloxy)-1,4-phenylenevinylene]:Graphene oxide composite films, which are sandwiched between aluminum and indium tin oxide electrodes. In this case, I-V sweep curve showed a hysteretic behavior, which varied according to the polarity of the applied voltage bias. The device exhibited excellent switching characteristics, with the ON/OFF ratio being approximately two orders in magnitude. The device had good endurance (10⁵ cycles without degradation) and long retention time (5 × 10³ s) at room temperature. The bistable switching behavior varied according to the trapping and de-trapping of charges on GO sites; the carrier transport was described using the space-charge-limited current (SCLC) model.

• 한국정보과학회논문지:컴퓨팅의 실제 및 레터
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• 제16권4호
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• pp.462-466
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• 2010

본 논문은 하드디스크와 NAND 플래시메모리를 동시에 사용하는 저장 시스템 환경에서 전력 소모를 최소화하는 버퍼 캐쉬 관리 기법을 제안한다. 저장장치별 전력 소모율과 입출력 연산 종류(읽기 또는 쓰기) 및 블록의 재참조 가능성(최근성 및 빈도)을 통합적으로 고려하는 버퍼 캐쉬 관리 기법의 설계로 저장 시스템의 전력 소모량을 평균 18.0%, 최대 58.9%까지 줄일 수 있음을 보인다.

• 한국컴퓨터정보학회논문지
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• 제22권4호
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• pp.25-32
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• 2017

Recently, the use of NAND flash memory is being increased as a secondary device to displace conventional magnetic disk. NAND flash memory, as one among non-volatile memories, has many advantages such as low power, high reliability, low access latency, and so on. However, NAND flash memory has disadvantages such as erase-before-write, unbalanced operation speed, and limited P/E cycles, unlike conventional magnetic disk. To solve these problems, NAND flash memory mainly adopted FTL (Flash Translation Layer). In particular, garbage collection technique in FTL tried to improve the system lifetime. However, previous garbage collection techniques have a sensitive property of the system lifetime according to write pattern. To solve this problem, we propose BSGC (Balanced Selection-based Garbage Collection) technique. BSGC efficiently selects a victim block using all intervals from the past information to the current information. In this work, SFL (Search First linked List), as the proposed block allocation policy, prolongs the system lifetime additionally. In our experiments, SFL and BSGC prolonged the system lifetime about 12.85% on average and reduced page migrations about 22.12% on average. Moreover, SFL and BSGC reduced the average response time of 16.88% on average.