• Title/Summary/Keyword: 4성분 도금

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Preparation of Liquefied Cellulose and Analysis of Its Components by GC-MS Spectrometry (액화셀룰로오스의 제조 및 GC-MS에 의한 그 성분 분석)

  • 조국란;황병호;공영토;도금현
    • Journal of Korea Foresty Energy
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    • v.19 no.2
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    • pp.86-92
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    • 2000
  • The liquefactions of $\alpha$-cellulose(Sigma Chemical, C-8002, 47H0383) was prepared in the presence of phenol using sulfuric acid as a catalyst under $N_2$ gas protection at $180^{\circ}C$ for 60minutes to examine its components. The ratio of $\alpha$-cellulose to phenol was 1: 6.2(w/w), and that to sulfuric acid was 1: 0.05(g/$m\ell$). The yields of liquefaction were calculated after the liquefied mixtures were passed through 1G4 glass filter. The luquefied product of $\alpha$-cellulose was analyzed using GC-MS Spectormeter. The 12 compounds identified by GC-MS Spectrometer, of which peak area covers 54% as 2,4-dimethyl phenol, p-isopropyl phenol, 1-ethyl-3,5-dimethyl benzene, o-isopropyl phenol, (E)-2,4\` dihydroxy-stilbene, 2,2\`-methylene-bisphenol, 4,4\`-methylenebisphenol, 3-methyl-2-hydroxyphenyl-(E)-2-hydroxyl-4\`-methoxy-stilbene, 1-phyenyl-1-(4\`hydroxyphenyl)methanol phenol derivatives. From this results, the reaction pathways of the liquefaction of cellulose were proposed through electrophilic substitution reaction. Phenol as a solvent might react with the reaction intermediates as well in the cellulose liquefaction.

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A Study of the Making of Ornamental Metal Quiver Fittings in the Ancient Tombs of Jeongchon, Bogamri, Naju (나주 복암리 정촌 고분 출토 화살통 장식의 제작 방법 연구)

  • Lee, Hyeyoun
    • Korean Journal of Heritage: History & Science
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    • v.53 no.2
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    • pp.242-253
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    • 2020
  • Six ornamental metal quiver fittings were excavated from stone chamber No.1 of the ancient tombs of Jeongchon, Bokam-ri, Naju. The ornamental quiver fittings are metal, but the body of the quiver was made of organic material, so that it corroded and disappeared in the burial environment. The ornamental metal quiver fittings were made in pairs, and decorated one quiver according to the location they were found in and their forms. The ornamental metal quiver fitting can be divided into two types: A band style ornament (帶輪狀金具) which decorates the arrow pouch, and a board style ornament (板狀金具) which decorates the board connecting the waist belt. Two ornamental metal quiver fittings excavated from wooden coffin 2 of stone chamber No.1, were made in the band style, while the ornamental metal quiver fittings from southeast of stone chamber No.1 were identified as two boardstyle ornaments and two band-style ornaments for what was presumed to be belt loops. Material analysis of the ornamental metal quiver fittings shows that they are made of a gilt bronze plate attached to an iron plate, and the surface is marked with a speck of chisel to make lines and patterns. Chemical composition analysis (XRF) established that 24~40wt% Au and 50~93wt% Cu were detected on the gold surface, and it was confirmed that bronze corrosion had taken place on the gilt surface. SEM-EDS analysis of the gold plating layer identified a working line for glossing, and 7~9wt% Hg and an amalgam of gilt layers was detected, confirming the amalgam gilding. CT and FT-IR analysis established that the band style was double-layered with silk fabric under the iron plate, and there was also a lacquer piece underneath. The band-style ornaments have two layers of silk under the iron plate, along with lacquer pieces. Adding the fabric to the arrow pouch increases adhesion and decorative value. It is assumed that the lacquer pieces indicate that the surface of the lacquered arrow pouch had fallen together with the ornaments. On the other hand, the board-style ornaments have a thick layer of organic matter under the iron plate, but this is difficult to identify and appears to be a remnant of the quiver board. The characteristics of these ornamental metal quiver fittings were similar in Baekje, Silla, and Gaya cultures from the late 4th to the late 5th centuries, and enable us to identify the art of ancient gold craftwork at that time.

Vacuum Web-coater with High Speed Surface Modification Equipment for fabrication of 300 mm wide Flexible Copper Clad Laminate (FCCL) (초고속 대면적 표면 처리 장치가 부착된 300 mm 폭 연성 동박적층 필림 제작용 진공 웹 코터)

  • Choi, H.W.;Park, D.H.;Kim, J.H.;Choi, W.K.;Sohn, Y.J.;Song, B.S.;Cho, J.;Kim, Y.S.
    • Journal of the Korean Vacuum Society
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    • v.16 no.2
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    • pp.79-90
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    • 2007
  • Prototype of $800{\ell}$ vacuum web coater (Vic Mama) consisting of ion source with low energy less than 250 eV for high speed surface modification and 4 magnetron sputter cathodes was designed and constructed. Its performance was evaluated through fabricating the adhesiveless flexible copper clad laminate (FCCL). Pumping speed was monitored in both upper noncoating zone pumped down by 2 turbo pumps with 2000 l/sec pumping speed and lower surface modification and sputter zone vacuumed by turbo pumps with 450 1/sec and 1300 1/sec pumping speed respectively. Ion current density, plasma density, and uniformity of ion beam current were measured using Faraday cup and the distribution of magnetic field and erosion efficiency of sputter target were also investigated. With the irradiation of ion beams on polyimide (Kapton-E, $38{\mu}m$) at different fluences, the change of wetting angle of the deionized water to polyimide surface and those of surface chemical bonding were analyzed by wetting anglometer and x-ray photoelectron spectroscopy. After investigating the deposition rate of Ni-Cr tie layer and Cu layer was investigated with the variations of roll speed and input power to sputter cathode. FCCL fabricated by sputter and electrodeposition method and characterized in terms of the peel strength, thermal and chemical stability.

수소처리와 후성장층의 특성이 다이아몬드 박막의 전계방출 특성에 미치는 영향

  • 심재엽;송기문;이세종;백홍구
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2000.02a
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    • pp.96-96
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    • 2000
  • 화학증착법으로 증착된 다이아몬드 박막은 우수한 전기적 특성과 뛰어난 화학적, 열적 안정성 때문에 전계방출소재로 많은 관심을 불러 일으키고 있다. 다이아몬드 박막의 전계방출은 저전계에서 일어나는 것으로 알려져 있으며, 저전계방출의 원인을 규명하려는 많은 연구가 진행되어 왔다. 한편, 다이아몬드 박막의 전계방출전류는 금속기판의 사용에 의한 기판/다이아몬드 접촉의 개선, 다이아몬드 박막내의 흑연성분의 조절에 의한 구조변화, 보론이나 인 (P), 질소의 도핑, 수소 플라즈마나 cesium 등의 금속을 이용한 표면처리 등의 여러 방법에 의하여 향상된다는 것이 입증되었다. 그 외에 메탄과 대기 분위기 처리, 암모니아 분위기에서의 레이저 조사도 전계방출특성을 향상시키는 것으로 보고되었다. 그러나, 다이아몬드 박막의 성장후 구조적 특성이 다른 박막의 후성장이나 열분해된 운자수소 처리가 다이아몬드 박막의 전계방출특성에 미치는 영향에 관한 연구는 지금까지 이루어지지 않았다. 본 연구에서는 수소처리와 후성장이 다이아몬드 박막의 전계방출특성에 미치는 영향을 고찰하고 이로부터 그 원인을 규명하고자 하였다. 다이아몬드 박막은 hot-filament 화학증착법을 이용하여 증착하였다. 후성장한 다잉아몬드 박막내의 흑연성분과 박막의 두께를 체계적으로 조절하여 후성장 박막의 구조적 특성과 그 두께의 영향을 확인할 수 있었다. 후성장층내의 흑연성분과 두께가 증가할수록 전계방출특성은 향상되다가 저하되었다. 한편, 다이아몬드 박막을 성장시킨 후 수소분위기 처리를 함에 따라 전계방출특성은 향상되었지만 수소처리시간이 5분 이상으로 증가함에 따라 그 특성은 저하되었다. 본 연구에서는 수소처리와 후성장시 나타나는 전계방출특성의 변화 원인을 규명하고자 한다.기판위에서 polymer-like Carbon 구조는 향상되는 경향을 보였다.0 mm인 백금 망을 마스크로 사용하여 실제 3차원 미세구조를 제작하여 보았다. 그림 1에서 제작된 구조물의 SEM 사진을 보여주었으며, 식각된 면의 조도가 매우 뛰어나며 모서리의 직각성도 우수함을 확인할 수 있다. 이와 같이 도출된 시험 조건을 기초로 하여 리소그래피 후에 전기 도금을 이용한 금속 몰드 제작 및 이온빔 리소그래피 장점을 최대한 살릴수 있는 미세구조 제작에 대한 연구를 계속 추진할 계획이다. 비정질 Si1-xCx 박막을 증착하여 특성을 분석한 결과 성장된 박막의 성장률은 Carbonfid의 증가에 따라 다른 성장특성을 보였고, Silcne(SiH4) 가스량의 감소와 함께 박막의 성장률이 둔화됨을 볼 수 있다. 또한 Silane 가스량이 적어지는 영역에서는 가스량의 감소에 의해 성장속도가 둔화됨을 볼 수 있다. 또한 Silane 가스량이 적어지는 영역에서는 가스량의 감소에 의해 성장속도가 줄어들어 성장률이 Silane가스량에 의해 지배됨을 볼 수 있다. UV-VIS spectrophotometer에 의한 비정질 SiC 박막의 투과도와 파장과의 관계에 있어 유리를 기판으로 사용했으므로 유리의투과도를 감안했으며, 유리에 대한 상대적인 비율 관계로 투과도를 나타냈었다. 또한 비저질 SiC 박막의 흡수계수는 Ellipsometry에 의해 측정된 Δ과 Ψ값을 이용하여 시뮬레이션한 결과로 비정질 SiC 박막의 두께를 이용하여 구하였다. 또한 Tauc Plot을 통해 박막의 optical band gap을 2.6~3.7eV로 조절할 수 있었다. 20$0^{\circ}C$이상으로 증가시켜도 광투과율은 큰 변화를 나타내지 않았다.부터

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A Study on the Stability of Using Alkali Solution Desalination on Gilt Plated Silver-Iron Artifacts (알칼리 수용액을 이용한 출토 철지금은장관정의 탈염처리 적용성 평가)

  • Park, Jun Hyeon;Bae, Go Woon;Chung, Kwang Yong
    • Journal of Conservation Science
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    • v.37 no.2
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    • pp.179-189
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    • 2021
  • In this study, the research objects are gilt plated silver-iron nails excavated from the west of the tombs in Neungsan-ri, Buyeo. A gilt plated silver-iron nail was fabricated by combining silver and iron via heating and then gilding amalgam on top of this combination, demonstrating that this ancient artifact that can be replicated using current technology. Since the metal (Au, Ag) surface of these gilt plated artifacts are covered with iron oxide, which slips into the cracks and scratches of the artifacts as well, desalination is essential. Based on the results of the preliminary experiment, the research objects were classified into grades A, B, and C, according to the degree of corrosion and then desalinated using an alkali solution (NaOH, Sodium Sesquicarbonate of 0.1 M) at 60℃. The results demonstrate that the more serious is the degree of corrosion, the more is the amount of Cl- detected. Further, more Cl- was released when NaOH was used than when sodium sesquicarbonate was used, for all grades except Grade A. Furthermore, the more serious is the degree of corrosion, the longer is the desalination period and the reaction with NaOH for all grades except Grade A. A comparison of the Fe composition of the surface before and after desalination shows that Fe composition is the use of NaOH resulted in a smaller increase compared with the use of sodium sesquicarbonate, for all grades except Grade B. However, four of the nails were damaged owing to NaOH (Grade B 3ea, Grade C 1ea) during desalination. Thus, Cl- ions are more stably released when sodium sesquicarbonate is used than when NaOH is used.

Diagonal Magneto-impedance in Cu/Ni80Fe20 Core-Shell Composite Wire (Cu/Ni80Fe20 코어/쉘 복합 와이어에서 대각(Diagnonal) 자기임피던스)

  • Cho, Seong Eon;Goo, Tae Jun;Kim, Dong Young;Yoon, Seok Soo;Lee, Sang Hun
    • Journal of the Korean Magnetics Society
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    • v.25 no.4
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    • pp.129-137
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    • 2015
  • The Cu(radius ra = $95{\mu}m$)/$Ni_{80}Fe_{20}$(outer radius $r_b$ = $120{\mu}m$) core/shell composite wire is fabricated by electrodeposition. The two diagonal components of impedance tensor for the Cu/$Ni_{80}Fe_{20}$ core/shell composite wire in cylindrical coordinates, $Z_{zz}$ and $Z_{{\theta}{\theta}}$, are measured as a function of frequency in 10 kHz~10 MHz and external static magnetic field in 0 Oe~200 Oe. The equations expressing the diagonal $Z_{zz}$ and $Z_{{\theta}{\theta}}$ in terms of diagonal components of complex permeability tensor, ${\mu}^*_{zz}$ and ${\mu}^*_{{\theta}{\theta}}$, are derived from Maxwell's equations. The real and imaginary parts of ${\mu}^*_{zz}$(f) and ${\mu}^*_{{\theta}{\theta}}$(f) spectra are extracted from the measured $Z_{zz}$(f) and $Z_{{\theta}{\theta}}$(f) spectra, respectively. It is presened that the extraction of ${\mu}^*_{zz}$(f) and ${\mu}^*_{{\theta}{\theta}}$(f) spectra from the diagonal impedance spectra can be a versatile tool to investigate dymanic magnetization process in the core/shell composite wire.

Comparison of Quantitative Interfacial Adhesion Energy Measurement Method between Copper RDL and WPR Dielectric Interface for FOWLP Applications (FOWLP 적용을 위한 Cu 재배선과 WPR 절연층 계면의 정량적 계면접착에너지 측정방법 비교 평가)

  • Kim, Gahui;Lee, Jina;Park, Se-hoon;Kang, Sumin;Kim, Taek-Soo;Park, Young-Bae
    • Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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    • v.25 no.2
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    • pp.41-48
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    • 2018
  • The quantitative interfacial adhesion energy measurement method of copper redistribution layer and WPR dielectric interface were investigated using $90^{\circ}$ peel test, 4-point bending test, double cantilever beam (DCB) measurement for FOWLP Applications. Measured interfacial adhesion energy values of all three methods were higher than $5J/m^2$, which is considered as a minimum criterion for reliable Cu/low-k integration with CMP processes without delamination. Measured energy values increase with increasing phase angle, that is, in order of DCB, 4-point bending test, and $90^{\circ}$ peel test due to increasing roughness-related shielding and plastic energy dissipation effects, which match well interfacial fracture mechanics theory. Considering adhesion specimen preparation process, phase angle, measurement accuracy and bonding energy levels, both DCB and 4-point bending test methods are recommended for quantitative adhesion energy measurement of RDL interface depending on the real application situations.

Characteristics of Cyanide Decomposition by Hydrogen Peroxide Reduction (과산화수소에 의한 시안의 분해특성)

  • 이진영;윤호성;김철주;김성돈;김준수
    • Resources Recycling
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    • v.11 no.2
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    • pp.3-13
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    • 2002
  • The characteristics of cyanide decomposition in aqueous phase by hydrogen peroxide have been explored in an effort to develop a process to recycle waste water. The self-decomposition of $H_2O$$_2$at pH 10 or below was minimal even in 90 min., with keeping about 90% of $H_2O$$_2$undissociated. On the contrary, at pH 12 only 9% of it remained during the same time. In the presence of copper catalyst at 5 g Cu/L, complete decomposition of $H_2$O$_2$was accomplished at pH 12 even in a shorter time of 40 min. The volatility of free cyanide was decisively dependent on the solution pH: the majority of free cyanide was volatilized at pH 8 or below, however, only 10% of it was volatilized at pH 10 or above. In non-catalytic cyanide decomposition, the free cyanide removal was incomplete in 300 min. even in an excessive addition of $H_2$$O_2$at a $H_2$$O_2$/CN molar ratio of 4, with leaving behind about 8% of free cyanide. On the other hand, in the presence of copper catalyst at a Cu/CN molar ratio of 0.2, the free cyanide was mostly decomposed in only 16 min. at a reducedH202/CN molar ratio of 2. Ihe efnciency of HBO2 in cyanide decomposition decreased with increasing addition of H2O2 since the seu-decomposition rate of $H_2$$O_2$increased. At the optimum $H_2$$O_2$/mo1ar ratio 0.2 of and Cu/CN molar ratio of 0.05, the free cyanide could be completely decomposed in 70 min., having a self-decomposition rate of 22 mM/min and a H$_2$$O_2$ efficiency of 57%.

Self-forming Barrier Process Using Cu Alloy for Cu Interconnect

  • Mun, Dae-Yong;Han, Dong-Seok;Park, Jong-Wan
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2011.02a
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    • pp.189-190
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    • 2011
  • Cu가 기존 배선물질인 Al을 대체함에 따라 resistance-capacitance (RC) delay나 electromigration (EM) 등의 문제들이 어느 정도 해결되었다. 그러나 지속적인 배선 폭의 감소로 배선의 저항 증가, EM 현상 강화 그리고 stability 악화 등의 문제가 지속적으로 야기되고 있다. 이를 해결하기 위한 방법으로 Cu alloy seed layer를 이용한 barrier 자가형성 공정에 대한 연구를 진행하였다. 이 공정은 Cu 합금을 seed layer로 사용하여 도금을 한 후 열처리를 통해 SiO2와의 계면에서 barrier를 자가 형성시키는 공정이다. 이 공정은 매우 균일하고 얇은 barrier를 형성할 수 있고 별도의 barrier와 glue layer를 형성하지 않아 seed layer를 위한 공간을 추가로 확보할 수 있는 장점을 가지고 있다. 또한, via bottom에 barrier가 형성되지 않아 배선 전체 저항을 급격히 낮출 수 있다. 합금 물질로는 초기 Al이나 Mg에 대한 연구가 진행되었으나, 낮은 oxide formation energy로 인해 SiO2에 과도한 손상을 주는 문제점이 제기되었다. 최근 Mn을 합금 물질로 사용한 안정적인 barrier 형성 공정이 보고 되고 있다. 하지만, barrier 형성을 하기 위해 300도 이상의 열처리 온도가 필요하고 열처리 시간 또한 긴 단점이 있다. 본 실험에서는 co-sputtering system을 사용하여 Cu-V 합금을 형성하였고, barrier를 자가 형성을 위해 300도에서 500도까지 열처리 온도를 변화시키며 1시간 동안 열처리를 실시하였다. Cu-V 공정 조건 확립을 위해 AFM, XRD, 4-point probe system을 이용하여 표면 거칠기, 결정성과 비저항을 평가하였다. Cu-V 박막 내 V의 함량은 V target의 plasma power density를 변화시켜 조절 하였으며 XPS를 통해 분석하였다. 열처리 후 시편의 단면을 TEM으로 분석하여 Cu-V 박막과 SiO2 사이에 interlayer가 형성된 것을 확인 하였으며 EDS를 이용한 element mapping을 통해 Cu-V 내 V의 거동과 interlayer의 성분을 확인하였다. PVD Cu-V 박막은 기판 온도에 큰 영향을 받았고, 200 도 이상에서는 Cu의 높은 표면에너지에 의한 agglomeration 현상으로 거친 표면을 가지는 박막이 형성되었다. 7.61 at.%의 V함량을 가지는 Cu-V 박막을 300도에서 1시간 열처리 한 결과 4.5 nm의 V based oxide interlayer가 형성된 것을 확인하였다. 열처리에 의해 Cu-V 박막 내 V은 SiO2와의 계면과 박막 표면으로 확산하며 oxide를 형성했으며 Cu-V 박막 내 V 함량은 줄어들었다. 300, 400, 500도에서 열처리 한 결과 동일 조성과 열처리 온도에서 Cu-Mn에 의해 형성된 interlayer의 두께 보다 두껍게 성장 했다. 이는 V의 oxide formation nergyrk Mn 보다 작으므로 SiO2와의 계면에서 산화막 형성이 쉽기 때문으로 판단된다. 또한, V+5 이온 반경이 Mn+2 이온 반경보다 작아 oxide 내부에서 확산이 용이하며 oxide 박막 내에 여기되는 전기장이 더 큰 산화수를 가지는 V의 경우 더 크기 때문으로 판단된다.

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Self-formation of Diffusion Barrier at the Interface between Cu-V Alloy and $SiO_2$

  • Mun, Dae-Yong;Park, Jae-Hyeong;Han, Dong-Seok;Gang, Yu-Jin;Seo, Jin-Gyo;Yun, Don-Gyu;Sin, So-Ra;Park, Jong-Wan
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2012.02a
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    • pp.256-256
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    • 2012
  • Cu가 기존 배선물질인 Al을 대체함에 따라 resistance-capacitance delay와 electromigration (EM) 등의 문제들이 어느 정도 해결되었다. 그러나 지속적인 배선 폭의 감소로 배선의 저항 증가, EM 현상 강화 그리고 stability 악화 등의 문제가 지속적으로 야기되고 있다. 이를 해결하기 위한 방법으로 Cu alloy seed layer를 이용한 barrier 자가형성 공정에 대한 연구를 진행하였다. 이 공정은 Cu 합금을 seed layer로 사용하여 도금을 한 후 열처리를 통해 $SiO_2$와의 계면에서 barrier를 자가 형성시키는 공정이다. 이 공정은 매우 균일하고 얇은 barrier를 형성할 수 있고 별도의 barrier와 glue layer를 형성하지 않아 seed layer를 위한 공간을 추가로 확보할 수 있는 장점을 가지고 있다. 또한, via bottom에 barrier가 형성되지 않아 배선 전체 저항을 급격히 낮출 수 있다. 합금 물질로는 초기 Al이나 Mg에 대한 연구가 진행되었으나, 낮은 oxide formation energy로 인해 SiO2에 과도한 손상을 주는 문제점이 제기되었다. 최근 Mn을 합금 물질로 사용한 안정적인 barrier 형성 공정이 보고 되고 있다. 하지만, barrier 형성을 하기 위해 300도 이상의 열처리 온도가 필요하고 열처리 시간 또한 긴 단점이 있다. 본 실험에서는 co-sputtering system을 사용하여 Cu-V 합금을 형성하였고, barrier를 자가 형성을 위해 300도에서 500도까지 열처리 온도를 변화시키며 1시간 동안 열처리를 실시하였다. Cu-V 공정 조건 확립을 위해 AFM, XRD, 4-point probe system을 이용하여 표면 거칠기, 결정성과 비저항을 평가하였다. Cu-V 박막 내 V의 함량은 V target의 plasma power density를 변화시켜 조절 하였으며 XPS를 통해 분석하였다. 열처리 후 시편의 단면을 TEM으로 분석하여 Cu-V 박막과 $SiO_2$ 사이에 interlayer가 형성된 것을 확인 하였으며 EDS를 이용한 element mapping을 통해 Cu-V 내 V의 거동과 interlayer의 성분을 확인하였다. PVD Cu-V 박막은 기판 온도에 큰 영향을 받았고, 200도 이상에서는 Cu의 높은 표면에너지에 의한 agglomeration 현상으로 거친 표면을 가지는 박막이 형성되었다. 7.61 at.%의 V함량을 가지는 Cu-V 박막을 300도에서 1시간 열처리 한 결과 4.5 nm의 V based oxide interlayer가 형성된 것을 확인하였다. 열처리에 의해 Cu-V 박막 내 V은 $SiO_2$와의 계면과 박막 표면으로 확산하며 oxide를 형성했으며 Cu-V 박막 내 V 함량은 줄어들었다. 300, 400, 500도에서 열처리 한 결과 동일 조성과 열처리 온도에서 Cu-Mn에 의해 형성된 interlayer의 두께 보다 두껍게 성장했다. 이는 V의 oxide formation energy가 Mn 보다 작으므로 SiO2와의 계면에서 산화막 형성이 쉽기 때문으로 판단된다. 또한, $V^{+5}$이온 반경이 $Mn^{+2}$이온 반경보다 작아 oxide 내부에서 확산이 용이하며 oxide 박막 내에 여기되는 전기장이 더 큰 산화수를 가지는 V의 경우 더 크기 때문으로 판단된다.

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