• 한국자기학회:학술대회 개요집
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• 한국자기학회 2000년도 International Symposium on Magnetics The 2000 Fall Conference
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• pp.492-499
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• 2000

Co-Ni-Fe-N thin films were fabricated by a N$\sub$2/ reactive rf magnetron sputtering method. The nitrogen partial pressure (P$\sub$N2/) was varied in the range of 0∼10%. As P$\sub$N2/ increases in this range, the saturation magnetization (B$\sub$s/) linearly decreases from 19.8 kG to 14 kG and the electrical resistivity ($\rho$) increased from 27 to 155 ${\mu}$$\Omega$cm. The coercivity (H$\sub$c/) exhibits the minimum value at 4% of P$\sub$N2/. The magnetic anisotropy (H$\sub$k/) are in the range of 20∼50 Oe. High frequency characteristics of (Co$\sub$22.2/Ni$\sub$27.6/Fe$\sub$50.2/)$\sub$100-x/N$\sub$x/ films are excellent in the range of 3∼5% of P$\sub$N2/. Especially the effective permeability of the film fabricated at 4% of P$\sub$N2/ is 800, which is maintained up to 600 MHz. This film also shows Bs of 17.5 kG, H$\sub$c/ of 1.4 Oe, resistivity of 98 $\Omega$cm and H$\sub$k/ of about 25 Oe. Also, the corrosion resistance of (Co$\sub$22.2/Ni$\sub$27.6/Fe$\sub$50.2/)$\sub$100-x/N$\sub$x/ were improved with the increase in N concentration.

• Journal of Korean Vacuum Science & Technology
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• 제4권3호
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• pp.73-77
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• 2000

Single crystal and polycrystalline Si thin films were doped with phosphorus by a 2-zone diffusion method to develop the low-resistivity polycrystalline Si electrode for a hemispherical grain. Solid phosphorus source was used in order to achieve uniformly and highly doped surface region of polycrystalline Si films having rough surface morphology. In case of 2-zone diffusion method, it is proved that the heavy doping near the surface area can be achieved even at a relatively low temperature. SIMS analysis revealed that phosphorus doping concentration in case of using solid P as a doping source was about 50 times as that of phosphine source at 750$^{\circ}C$. Also, ASR analysis revealed that the carrier concentration was about 50 times as that of phosphine. In order to evaluate the electrical characteristics of doped polycrystalline Si films for semiconductor devices, MOS capacitors were fabricated to measure capacitance of polycrystalline Si films. In ${\pm}$2 V measuring condition, Si films, doped with solid source, have 8% higher $C_{min}$ than that of unadditional doped Si films and 3% higher $C_{min}$ than that of Si films doped with $PH_3$ source. The leakage current of these films was a few fA/${\mu}m^2$. As a result, a 2-zone diffusion method is suggested as an effective method to achieve highly doped polycrystalline Si films even at low temperature.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제29권5호
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• pp.279-283
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• 2016

In this study, we intended to achieve both antibacterial properties and electromagnetic shielding using the Al-doped ZnO (AZO) films. FTS (Facial Target Sputtering) magnetron sputtering was used for the AZO thin films instead of the conventional RF sputtering because the FTS sputtering could avoid the damage for the plasma as well as fabrication of thin films with a high quality. The 300-nm thick AZO thin films grown on glass substrate showed a resistivity of about $7{\times}10^{-4}{\Omega}-cm$ and a transmittance of about 90% at a wavelength of 550 nm. AZO thin films were investigated for the electromagnetic shielding effectiveness measured by 2-port network method at 1.5 ~ 3 GHz. The AZO (300 nm)/glass films showed an EMI shielding effectiveness of approximately 27 dB. An antibacterial effect was measured by the film attachment method (JIS Z 2801). The percent reductions of bacteria by AZO films were 99.99668% and 99.99999% against Staphylococcus aureus and Escherichia coli, respectively.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2009년도 하계학술대회 논문집
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• pp.319-320
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• 2009

In this study, high-quality Al-N doped p-type ZnO thin films were deposited on n-type Si (100) wafer or Si coated with buffer layer by DC magnetron sputtering in the mixture of $N_2$ and $O_2$ gas. The target was ceramic ZnO mixed with $Al_2O_3$ (2 wt%). The p-type ZnO thin film showed higher carrier concentration $2.93\times10^{17}cm^{-3}$, lower resistivity of $5.349\;{\Omega}cm$ and mobility of $3.99\;cm^2V^{-1}S^{-1}$, respectively. According to PL spectrum, the Al donor energy level depth ($E_d$) of Al-N codoped p-type ZnO film was reduced to about 51 meV, and the N acceptor energy level depth ($E_a$) was reduced to 63 meV, respectively.

• 한국터널지하공간학회 논문집
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• 제17권3호
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• pp.205-214
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• 2015

급격한 도시화 및 산업화는 전력구를 비롯한 공동구의 수요를 증가시키고 있다. 하지만 기존 지하매설물, 특히 전력구에 대한 불충분한 정보와 지하매설물의 무분별한 건설로 인해 최근 도심지 내 새로운 지하매설물을 건설하는 것이 매우 어렵다. 뿐만 아니라, 전력구를 비롯한 지하매설물이 건설된 위치와 방향에 대한 부족한 정보는 신규 지하매설물의 계획노선을 설정하는데 많은 문제를 야기시키고 있다. 이러한 문제를 해결하기 위해서 본 연구에서는 기존의 전기비저항 탐사방법과는 다른 이론적 방법으로 해결하고자 하였다. 전력구를 비롯한 지하매설물이 건설된 지반에서 가우스 법칙과 라플라스식을 이용하여 전기장 해석이 수행하였다. 전력구의 방향, 전력구의 위치, 전력구의 전기전도도 등의 함수로 표현된 전기비저항 이론식은 전기장해석을 통해서 획득하였다. 이론식을 검증하기 위해서 현장실험이 수행되었으며 현장실험 결과, 지반 내 지하매설물의 위치와 방향을 오차범위 내에서 예측하였다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2003년도 학술대회 논문집 전문대학교육위원
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• pp.124-126
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• 2003

The results of investigations of $Ag_2Se$ single crystal is presented. $Ag_2Se$ crystal was grown by the Bridgman method. The $Ag_2Se$ single crystal was an orthorhombic structure with lattice constance a=4.1686 $\AA$, b=9.0425 $\AA$, c=8.0065 $\AA$. Hall effect shows a n-type conductivity in the $Ag_2Se$ single crystal. The electrical resistivity values was $1.25{\times}10^3ohm^{-1}cm^{-1}$ and electron mobility was $-5.48{\times}10^3cm^2/V{\cdot}sec$ at room temperature(RT).

• 태양에너지
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• 제19권3호
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• pp.125-131
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• 1999

This paper deals with a novel structure of poly-Si solar cell. A grain boundary(GB) of poly-Si acts as potential barrier and recombination center for photo-generated carriers. To reduce unwanted side effects at the GB of poly-Si, we employed physical GB removal of poly-Si using chemical solutions. Various chemical etchants such as Sirtl, Yang, Secco, and Schimmel were investigated for the preferential GB etching. Etch depth about 10 ${\mu}m$ was achieved by a Schimmel etchant. After a chemical etching of poly-Si, we used $POCl_3$ for emitter junction formation. This paper used an easy method of top electrode formation using a RF sputter grown ITO film. ITO films with thickness of 300 nm showed resistivity of $1.26{\times}10^{-4}{\Omega}-cm$ and overall transmittance above 80%. Using a preferential GB etching and ITO top electrode, we developed a new fabrication procedure of poly-Si solar cells. Employing optimized process conditions, we were able to achieve conversion efficiency as high as 16.6% at an input power of 20 $mW/cm^2$. This paper investigates the effects of process parameters: etching conditions, ITO deposition factors, and emitter doping densities in a poly-Si cell fabrication procedure.

• 한국지구과학회지
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• 제26권5호
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• pp.429-435
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• 2005

물리탐사와 시추자료에 대해 지구통계학적 복합해석 기술을 적용하여 3차원의 암반등급 해석을 수행하였다. 자료 복합 해석을 위한 다양한 지구통계학적 기술 중에서, 본 연구에서는 물리탐사 자료의 값을 추정하고자 하는 지점의 암반등급의 평균치로 치환하는 국소 변이 평균에 의한 단순 크리깅 기술(Simple Kriging with local varying means)을 사용하였다. 암석의 전기비저항 값은 RMR(Rock Mass Rating)값과 양의 상관관계를 갖는 것으로 알려져 있으나 상관 관계 만에 의한 대응방식은 그 양상이 매우 복잡하고 공간적으로 연관되어 있는 경우가 많아 단순히 적용하기 어려운 경우가 많다. 본 연구에서는 전기비저항과 RMR의 일반적 선형 상관관계 외에 지시자 변환(indicator transform)에 의한 비선형 상관관계를 유도하는 방식을 제안하였다. 또한 본 연구에서는 선형 및 비선형 상관관계에 의해 대응된 비저항 값이 실제 RMR과 비교할 때 나타나는 잔차(residual)에 대해 3차원 지구통계학적 분석을 적용하여 이 결과를 상관관계 결과에 추가함으로써 공간적 특성을 반영하는 RMR 평가를 수행할 수 있었다. 사용된 물리탐사 자료는 전기비저항 및 MT(Magnetotelluric) 탐사 자료이며, 총 10공의 시추자료를 통해 획득한 암반등급 값을 이용하였다. 이와 같은 해석은 조사 대상에 대한 광역적 지질조건을 보다 현실적으로 반영하는 암반등급 분포를 만들어내는 것으로 보인다.

• 자원환경지질
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• 제43권3호
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• pp.259-267
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• 2010

국내에서 노멀전기검층은 지반조사, 지하수 환경조사, 지열조사, 지질조사, 광물자원 평가 등의 다양한 분야에서 널리 이용되고 있다. 노멀전기검층은 지표 전기비저항탐사법과는 달리 완전공간에 대한 자료를 취득하기 때문에 지표부근에 수위가 위치하는 시추공에서 자료를 취득하는 경우, 수위 및 지표에 대한 영향을 고려해야 한다. 이 연구는 노멀전기검층 존데, 전류리턴전극, 기준점전위전극, 시추공내 지하수위 등을 포함하는 실제 물리검층 환경과 동일한 조건에서 노멀전기검층을 시물레이션하여 지표 및 지하수 수위가 노멀전기검층에 미치는 영향을 분석하였다. 수치 모델링은 2차원 목표지향 자기적응 고차 hp 유한요소법(2D goal-oriented high-order self-adaptive hp finite element method)을 이용하였다(여기서 h는 요소의 크기, p는 노드에서의 근사 차수). 이 알고리듬을 이용하여 측정한 겉보기비저항의 오차가 1%보다 작도록 계산할 수 있는 최적 hp 격자를 구성함으로써 매우 정밀한 결과를 얻었다. 수치실험결과, 지표부근에서 취득한 노멀전기검층 자료는 기준점전위전극이 시추공에 가까울수록 자료의 왜곡이 증가하며 장노멀전기검층에서의 왜곡이 단노멀전기검층에서 보다 심함을 알 수 있었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1992년도 추계학술대회 논문집
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• pp.22-27
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• 1992

Phosphorus doped hydrogenated microcrystalline silicon (${\mu}c$-Si:H) thin films were deposited by PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition) method using 10.2% $SiH_4$ gas (diluted in Ar) and 308ppm $PH_3$ gas (diluted in Ar). The structural, optical and electrical properties of the films were investigated as a function of substrate temperature(15 to $400^{\circ}C$) and RF power(10 to 120W). The thin film deposited by varing substrate temperature had columnar structure and microcrystalline phase. The volume fraction of microcrystalline phase in the films deposited at RF power of 80W, increased with increasing substrate temperature up to $200^{\circ}C$, and then decreased with further increasing substrate temperature. Volume fraction of microcrystalline phase increased monotonously with increasing RF power at substrate temperature of $250^{\circ}C$. With increasing volume fraction of microcrystalline, electrical resistivity of films decreased to 0.274 ${\Omega}cm$.