본 연구에서는 다파장 라만 라이다 시스템을 이용하여 대기 중의 비구형 순수 황사입자와 구형 오염 입자가 혼합된 황사 입자의 단산란 알베도를 산출할 수 있는 방법론을 제시하고, 실제 대기 관측 사례 분석 자료로부터 정확도를 검증하고자 하였다. 편광소멸도는 황사와 비황사와의 혼합정도에 반비례함을 응용하여 편광소멸도 값으로부터 황사비를 산출하고 이를 이용하여 황사와 비황사로 황사층을 구분하였다. 산출된 비황사의 두 파장(355, 532 nm)의 소산계수와 세 파장(355, 532, 1064 nm)의 후방산란계수를 이용하여 역행렬 분석을 수행하여 비황사의 고도별 단산란알베도를 도출하였다. 황사와 비황사의 가중치를 소산계수값으로부터 산출하고 각 가중치를 황사와 비황사에 적용하여 황사 층 전체의 고도별 단산란알베도를 산출하였다. 단, 황사의 단산란알베도는 순수황사로 가정하여 발원지에서 측정된 순수황사가 나타내는 0.96의 값을 적용하였다. 본 연구로부터 개발된 분석방법은 기존의 원격탐사 기술의 한계점을 극복하여 황사의 이동시 타 오염입자와의 혼합에 따른 광학적 특성의 변화에 대한 정밀한 자료를 제공할 수 있을 것으로 기대된다.
본 논문에서는 code V 시뮬레이터를 이용하여 광 HDMI 인터페이스에 적용하기 위한 집적형 2채널 TO 구조 광송신기의 광학계 설계를 하였다. 제안된 집적형 2채널 TO 구조 광송신기는 지름의 6.4 mm인 하나의 8 pin TO-CAN 패키지 안에 2개의 VCSEL을 평행하게 부착하고 그 위에 반구(hemisphere) 렌즈가 부착된 직육면체 모양($1mm(H){\times}2mm(W){\times}4mm(D)$)의 렌즈필터 블록 (lens filter block) 을 올려놓은 구조이다. 집적형 2채널 TO 구조 광송신기 제작 시 1060 nm/1270 nm와 1330 nm/1550 nm로 두 개 파장씩 묶어 TO-CAN 형태로 제작하므로, 이들 파장 조합에서 반구 렌즈의 지름은 0.6 mm, 볼 렌즈와 렌즈 필터 간격(L)은 파장 1060 nm/1270 nm 조합의 경우 1.7 mm, 파장 1330 nm/1550 nm 조합의 경우 2.0 mm일 때 최적의 결과를 얻을 수 있었다. 이때 렌즈필터 블록의 초점거리($f_0$)는 1060 nm, 1270 nm, 1330 nm, 1550 nm 파장에 대하여 0.351 mm, 0.354 mm, 0.355 mm, 0.359 mm이었으며 렌즈 필터 블록과 볼 렌즈를 통과한 빛의 초점 위치(F)는 파장 1060 nm/1270 nm 조합의 경우 0.62 mm, 파장 1330 nm/1550 nm 조합의 경우 0.60 mm ~ 0.66 mm이었다.
$LuNbO_4:0.2Yb^{3+},xTm^{3+}$ powders were prepared using a solid-state reaction process. The effects of the amount of Tm on up-conversion(UC) and down-conversion(DC) luminescence properties are investigated. X-ray diffraction patterns confirm that $Yb^{3+}$ and $Tm^{3+}$ ions are successfully incorporated into Lu sites. Under 980 nm excitation, the UC spectra of the powders predominantly exhibit strong near-infrared emission bands that peak at 805 nm, whereas weak 480 nm emission bands are observed as well. The emission bands are assigned to the $^1G_4{\rightarrow}^3H_6$ (480 nm) and 3 $^3H_4{\rightarrow}^3H_6$ (805 nm) transitions of the $Tm^{3+}$ ions via an energy transfer from $Yb^{3+}$ to $Tm^{3+}$; two- and three-photon UC processes are responsible for the 805 and 480 nm emissions, respectively. The DC emission spectra exhibit blue emission ($^1D_2{\rightarrow}^3F_4$) of $Tm^{3+}$ at 458 nm. The amount of Tm affects the emission intensity with the strongest emissions at x = 0.007 and 0.02 for the UC and DC luminescence, respectively. The results demonstrate that $LuNbO_4:Yb^{3+},Tm^{3+}$ phosphors are suitable for bio-applications.
Silicon nanocrystalline thin films on p-type (100) silicon substrate have been fabricated by pulsed laser deposition technique using a Nd:YAG laser with the wavelength of 355, 532, and 1064 nm. The base vacuum in the chamber was down to $10^-6$ Torr and the laser energy densities were 1.0~3.0 J/$\textrm{cm}^2$ After deposition, silicon nanocrystalline thin films have been annealed at nitrogen gas. Strong Blue and green luminescence from silicon nanocrystalline thin films have been observed at room temperature by photoluminescence and its peak energies shift to green when the wavelength is increased from 355 to 1064 nm.
Micromachining using the DPSS 3rd Harmonic Laser (355nm) has outstanding advantages as a UV source in comparison with Excimer lasers in various aspects such as maintenance cost, maskless machining, high repetition rate and so on. It also has the greater absorptivity of many materials in contrast to other IR sources. In this paper, the process for micro-drilling of blind hole in Cu/PI/Cu substrate with the DPSS UV laser and the scanning device is investigated by the experimental methods. It is known that there is a large gap between the ablation threshold of copper and that of PI. We use the Archimedes spiral path for the blind hole with different energy densities to ablate the different material. Finally, the blind via hole of diameter 100$\mu\textrm{m}$ and 50$\mu\textrm{m}$ was drilled.
We studied the dependence of the performance of schottky barrier metal-oxide-field effect transistors(SB MOSFETs) on the work function of source/drain metals. A strong impact of the various work functions and the light wavelengths on the transistor characteristics is found and explained using experimental data. We used an insulator of a high thickness (100nm) and back gate issues in SOI substrate, subthreshold swing was measured to 300~400[mV/dec] comparing with a ideal subthreshold swing of 60[mV/dec]. Excellent characteristics of Al/Si was demonstrated higher on/off current ratios of ${\sim}10^7$ than others. In addition, extensive photoresponse analysis has been performed using halogen and deuterium light sources(200<$\lambda$<2000nm).
Photochemical and photothermal effects have correlation with each other and depend on laser wavelength. Multi-scanning laser ablation process of polymer with DPSS(Diode Pumped Solid State) 3rd harmonic Nd:YVO$_4$ laser with wavelength of 355nm is applied to fabricate three-dimensional micro shape. The DPSSL photomachining system can rapidly and cheaply fabricate 2D pattern or 3D shape with high efficiency because we only use CAD/CAM software and precision stages instead of complex projection mask. Photomachinability of polymer is highly influenced by laser wavelength and its own chemical structure. So the optical characteristics of polymers for 355nm laser source is investigated by experimentally and theoretically.
The technologies of laser micromachining are changed toward more complex-micropatterning, from the micro circle-shaped hole drilling to the micro arbitrary-shaped hole drilling. In this paper, the fundamental experiments by using DPSS 3rd harmonic $Nd:YVO_4\;laser({\lambda}=355nm)$ were carried out in order to obtain the feasibility of flexible micropatterning by various fixed masks. Fixed masks and Galvano scanners were investigatde to make micro patterns. from these experimental results, micropatterns on PEN film were rapidly manufactured in large area.
Si nanocrstallites on p-tyre (100) Si substrate have been fabricated by pulsed laser deposition technique using a Nd:YAG laser with the wavelength of 355, 532 and 1064 nm. The base vacuum in the chamber was down to $10^{-5}$ Torr and the pressure of the gas during deposition was varied from 1 to 3 Torr. After deposition, Si nanocrystallites have been annealed at $N_2$ gas. Nitrogen have been used as ambient gases. Strong blue and green luminescence from Si nanocrystallites has been observed in room temperature by photoluminescence and its peak energies shift to green when the wavelength is increased from 355-1064 nm
We have studied a laser direct writing lithography(LDWL). This is more important to apply to micro patterning using UV laser. We demonstrate the possibility of LDWL and construct the fabrication system. We use Galvano scanner to process quickly micro patterns from computer data. And laser beam is focused with $F-{\theta}$ lens. AZ5214 and SU-8 photoresist are chosen as experimental materials and a kind of well-known positive and negative photoresist respectively. Laser ablation mechanism depends on the optical properties of polymer. In this paper, therefore we investigate the phenomenon of laser ablation according to the laser fluence variation and measure the shape profile of micro patterned holes. From these experimental results, we show that LDWL is very useful to process various micro patterns directly.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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