• Composites Research
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• 제36권5호
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• pp.349-354
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• 2023

Poly(3-hexylthiophene) (P3HT)는 유기 용매에서 높은 용해도를 가지고 있으면서 상대적으로 쉽게 구할 수 있는 공액 고분자 중 하나이다. 그러나, 전자소자의 활성 소재로써 전기적 특성은 실제로 응용하기에는 부족하므로 추가 개선이 필요하다. 본 연구에서는, 서로 다른 위치 규칙성 (regio-regularity)을 가지는 두 P3HT 고분자 (즉, regioregular (RR) P3HT 및 regio-random (RRa) P3HT)를 혼합하여 혼합 박막의 전하 전달 특성을 크게 향상시킬 수 있음을 보여준다. 두 P3HT 고분자 간 비율을 변화시킴으로써 혼합 박막의 구조적 및 전기적 특성을 체계적으로 조사하였으며, 원자 힘 현미경(AFM), X선 회절(XRD) 및 UV-vis 흡수분광법을 사용하여 혼합 필름의 구조 및 광전자적 특성을 평가하였다. 혼합 박막의 결정성은 RRa-P3HT 함량이 20 wt%로 증가함에 따라 증가하였으며, 이후 80%까지 증가함에 따라 감소하였다. 전하 이동도의 경향성 또한 이와 같았으며, 20 wt%의 RRa-P3HT를 포함하는 혼합 박막의 전하 이동도는 가장 높은 0.029 cm²/V·s로 측정되었고 함량이 80 wt%까지증가함에따라 0.0007 cm²/V·s 로감소하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2005년도 춘계학술대회 논문집 디스플레이 광소자 분야
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• pp.84-87
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• 2005

본 논문에서는 p-type 고분자 물질인 P3HT (Poly-3-hexylthiophene)를 잉크젯 프린팅 방식으로 활성화층을 적층함으로써 Organic thin film transistor를 제작하여 이에 대한 특성을 연구하였다. Piezoelectric 방식의 잉크젯 프린팅을 이용하여 P3HT single drop jetting 시 두께 $150{\sim}200{\AA}$, 직경 약 70 ~ 80 um정도의 drop profile을 얻을 수 있었다. P3HT의 solvent로서 Chlorobenzene을 사용하여 농도 약 0.5 wt.%의 Ink-jet용 ink를 제작하여 이를 Channel Width 37, 236 um 크기의 Au 전극 위에 jetting 하여 각각의 특성을 측정하였다. 상기 실험은 상온의 외부환경에서 실시되었으며 실험 결과 최대 ${\mu}=1{\times}10^{-2}\;cm^2/Vsec$, $I_{on}/I_{off}=10^3{\sim}10^4$ 정도로서 off current가 높은 편이나 이동도 측면에서는 다른 방법의 박막 증착 실험결과와 비교할 때 동등 수준의 결과를 얻을 수 있었다.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제33권9호
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• pp.3107-3110
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• 2012

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2001년도 추계학술대회 논문집 Vol.14 No.1
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• pp.137-140
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• 2001

To improve structural properties and induce higher conductivity, we have annealed emitting layer. The temperature condition was investigated by various experiment. To observe the surface morphology of emitting layer, measured the AFM and the X -ray diffraction pattern of P3HT film is shown. It is move to slightly low angles and diffraction peaks also become much sharper. After annealing of emitting layer, EL intensity and Voltage-current-luminance curve is better as compared with untreated. But PL intensity was decreased. It is known that by emission principal. After annealing of emitting layer, EL devices enhances the interface adhesion between the emissive polymer and Indium-tin-oxide electrode, which takes a critical role to improve the emitting properties of EL devices.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1999년도 추계학술대회 논문집
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• pp.606-609
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• 1999

We fabricated white light-emitting diode which have a mixed single emitting layer containing poly(N-vinylcarbazole), trois(8-hydroxyquinoline)aluminum and poly(3-hexylthiophene) and investigated the emission properties of it. It is possible to obtain a blue light from poly(N-vinylcarbazole). green light from tris(8-hydroxyquinoline)aluminum and red light from poly(3-hexylthiophene). The fabricated device emits white light with slight orange light. We think that the energy transfer in a mixed layer occurred from PVK to Alq₃ and P3HT resulted in decreasing the blue light intensity from PVK. We find that the efficiency of the white light electroluminescent device can be improved by injecting electron more effectively and blue light need to improve the color purity of white light.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2001년도 추계학술대회 논문집
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• pp.137-140
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• 2001

To improve structural properties and induce higher conductivity, we have annealed emitting layer, The temperature condition was investigated by various experiment. To observe the surface morphology of emitting layer, measured the AFM and the X-ray diffraction pattern of P3HT film is shown. It is move to slightly low angles and diffraction peaks also become much sharper. After annealing of emitting layer, EL intensity and Voltage-current-luminance curve is better as compared with untreated. But PL intensity was decreased. It is known that by emission principal. After annealing of emitting layer, EL devices enhances the interface adhesion between the emissive polymer and Indium-tin-oxide electrode, which takes a critical role to improve the emitting properties of EL devices.

• 전자공학회논문지 IE
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• 제43권1호
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• pp.1-4
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• 2006

중합 박막 트랜지스터의 특성은 유기 반도체에 앞서 게이트유전체 표면의 화학적 변형에 의해 조절 가능하다. 화학적 처리는 자기조립 단분자막 형태의 유전물질과 함께 파생된 tantalum pentoxide($Ta_2O_5$) 표면으로 구성된다. Octadecyl trichlorosilane(OTS), hexamethyldisilazane (HMDS), aminopropyltreithoxysilane(ATS) 자기조립 단분자막의 성장은 중합체로 결합된 poly-3-hexylthiophene(P3HT)의 분위기에서 $0.01\sim0.06cm2/V{\cdot}s$의 이동도로 진행되었다. 이동도 향상 메커니즘은 중합체와 자기조립 단분자막 사이의 분자 상호작용에 영향을 미치는 것으로 확인하였다. 이는 향후 ploymer TFT의 유전박막 중 하나로서 유용하게 사용 될 것이다.

• Macromolecular Research
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• 제17권2호
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• pp.69-71
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• 2009

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2005년도 제29회 학술발표회 초록집
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• pp.139-139
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• 2005

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제20권4호
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• pp.294-302
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• 2007

We studied on possibility of the application of photolithography technique to patterning the organic active layer poly(3-hexylthiophene) (P3HT). In the case of selective etching method, we made thin oxide film on P3HT thin film using $O_2$ treatment. We achieved the field-effect mobilities in the saturation regime ${\sim}1.2{\times}10^{-3}\;cm^2/V{\cdot}s$, $I_{on/off}$ ratios ${\sim}10^5$ in the selective etching method, ${\sim}7.4{\times}10^{-4}cm^2/V{\cdot}s$, $I_{on/off}$ ratios ${\sim}5{\times}10^3$ in the lift-off one. These values are higher than ones of the unpatterned P3HT-based OTFTs. On the basis of the above results, we demonstrate the photolithographic patterning for P3HT active layer is successfully carried out without degradation of P3HT.