• 한국지구과학회지
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• 제30권2호
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• pp.153-164
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• 2009

경상분지와 경기육괴 지역에서 획득된 총 7측점의 MT 자료를 이용하여 한반도의 광역적인 1차원 심부 전기비저항 구조를 조사하였다. 경상분지에 위치한 측점들은 주변 해양에 의한 왜곡을 보정하기 위해 반복적 텐서 벗겨내기 기법을 이용하여 해양효과를 보정하였다. 총 7측점에 대한 층서 구조 일차원 역산 결과는 천부지층, 상부지각, 하부 지각 및 상부 맨틀, 연약권으로 구분되는 4층 전기비저항 모델을 제시하였다. 이 중 상부지각과 하부 지각의 경계, 즉 콘라드면은 전 측점에서 뚜렷하게 나타났다. 경상분지 지역은 깊이 약 17km, 경기육괴 지역은 약 12km부근에 콘라드면이 존재하였다. 또한 경상분지 지역 상부지각의 전기비저항은 경기육괴에 비해 5배정도 높았다. 마지막으로 연약권은 깊이 약 100km 이하에 존재하며, 200-300 ohm-m의 전기비저항을 갖는 것으로 추정되었다.

• 한국지구물리탐사학회:학술대회논문집
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• 한국지구물리탐사학회 2007년도 공동학술대회 논문집
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• pp.267-272
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• 2007

Uiseong subbasin belonging to Kyungsang basin resulted from volcanic activity in the late Cretaceous. In this study, we carry out MT and gravity survey at the Hwasan caldera, which was formed of volcanic and abyssal rocks complex, then analyze and identify geological substructure. Potential survey such as gravity and magnetic survey has been mainly carried out in former studies, so depth information for understanding substructure was not enough. To complement a potential survey, we use MT method, which has high vertical resolution. Moreover we make a simple 2D model comparing with former study. The result of MT and gravity 2D modeling shows that this area is roughly composed of 3 layers; The bottom layer is a basement. In the second layer, intrusive rocks having high resistivity is placed along the ring faults and the sedimentary layer of low resistivity is inside caldera. The highest layer is alluvium. To comprehend the 3D structure of the Hwasan caldera, we perform 3D gravity inversion, and construct the 3D model from the result of 3D gravity inversion. MT responses are calculated by using the constructed 3D model and the 3D model of the Hwasan caldera's structure is suggested after comparing the calculated values with the observed values at MT line.

• 지구물리와물리탐사
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• 제19권2호
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• pp.59-66
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• 2016

환경오염부지의 오염원은 대부분 전기비저항이란 고유물성과 상관관계를 보이기 때문에 전기비저항 탐사는 지중 환경오염조사에 매우 효과적인 방법이다. 이 연구에서는 폐기물 매립장 주변에서 전기비저항 탐사를 수행하여 매립장 주변 지역의 하부 지질구조를 규명하는 한편 침출수 존재 여부 및 영향 범위를 파악하였다. 또한, 주변 관측정의 수질분석 결과와 전기비저항 탐사의 연관성에 대해 분석하였다. 그 결과, 전기비저항 탐사는 수질분석 자료와 매우 높은 연관성을 보였으며, 시추조사 결과와도 상당히 일치하는 것을 확인하였다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제31권4호
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• pp.208-211
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• 2018

This paper details the design of a 1,200 V class trench gate field stop IGBT (insulated gate bipolar transistor) with a nano gate structure smaller than 1 um. Decreasing the size is important for lowering the cost and increasing the efficiency of power devices because they are high-voltage switching devices, unlike memory devices. Therefore, in this paper, we used a 2-D device and process simulations to maintain a gate width of less than 1 um, and carried out experiments to determine design and process parameters to optimize the core electrical characteristics, such as breakdown voltage and on-state voltage drop. As a result of these experiments, we obtained a wafer resistivity of $45{\Omega}{\cdot}cm$, a drift layer depth of more than 180 um, an N+ buffer resistivity of 0.08, and an N+ buffer thickness of 0.5 um, which are important for maintaining 1,200 V class IGBTs. Specially, it is more important to optimize the resistivity of the wafer than the depth of the drift layer to maintain a high breakdown voltage for these devices.

• 지구물리와물리탐사
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• 제12권1호
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• pp.33-40
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• 2009

쌍극자-쌍극자 전기비저항 탐사를 수행하여 자료를 얻다 보면 종종 음의 겉보기 비저항값을 얻게 된다. 음의 겉보기 비저항이란 겉보기비저항 가단면도 상에서 주변자료와 반대되는 부호를 갖고 나타나는 비저항을 의미한다. 이러한 음의 겉보기 비저항은 보통 측정오차로 간주되어 현장 자료 해석시 무시되어 왔다. 일부 측정기기에서는 겉보기 비저항의 절대간이 기록되므로 이러한 음의 비저항값들이 주변값과 같은 부호를 갖는 것으로 환산되어 해석되기도 한다. 현장에서의 여러 실험 결과 옴의 겉보기 비저항갈은 측정오차나 자연전위의 영향에 의해 나타나는 현상이 아니었으며, 유도분극에 의한 영향도 아니었다. 한가지 가능성으로 지하 지질구조에 의한 영향으로 생각할 수 있다. 이 연구에서는 수치모델링을 통하여 평탄한 지형에서 음의 비저항이 지하 지질구조에 의하여 나타날 수 있다는 것을 보여준다. 현장자료를 시뮬레이션하기 위하여 3차원 전산모델링 알고리즘을 이용하였으며, 3차원 결과로부터 2차원 가단면도를 얻었다. 음의 비저항을 발생시키는 모델로는 U자형과 초승달모양의 전도체 모델을 가정하였다. 수치모델링 결과 이러한 지질구조로부터 음의 비저항이 나타날 수 있다는 것을 확인할 수 있었다. 일반적으로 전류전극으로부터의 거리가 멀어질수록 전위값이 증가하게 되면 전위차 곡선들이 서로 교차하면서 음의 비저항값이 나타나는데, 본 연구에서 제시된 결과들에 대해 전극위치에 대한 전위차 그래프를 그려봄으로써 이를 확인할 수 있었다. 본 연구에서 제시한 수치예제들은 현장조사에서 획득한 음의 겉보기 비저항값들이 지하 지질구조에 의해 발생할 수 있는 가능성을 제시하며, 향후 현장조사 자료 해석시 이를 고려하여 해석할 것을 제안한다.

• 센서학회지
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• 제1권2호
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• pp.165-172
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• 1992

3가와 5가 이온의 첨가가 전기전도도 및 감응도에 어떤 영향을 미치는가를 확인하기 위하여, In와 Sb를 Tin Oxide에 공침법으로 첨가하였다. Sb는 5가 이온으로 cassiterite 구조에 들어가서 열에너지에 의하여 이들 이온을 여기시켜 전도대로 밀어올리리라고 여겨진다. In 이온은 결정격자 속에 $In^{3+}$로 들어가서 원자가대로 부터 전자를 받게 되고 그러므로써 1가나 2가가 되리라 생각한다. 그러나, 이러한 현상들이 $SnO_{2}$에 존재하는 전위장벽을 2종의 이온첨가에 의하여 일어나는 resistivity에 끼치는 영향과 비교해 볼 때 감응도에는 어떤 영향을 보이는지 고찰하였다.

• 한국지반환경공학회 논문집
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• 제16권8호
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• pp.21-35
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• 2015

본 연구에서는 국내 3개 필 댐의 ECRD(Earth Core Rock-fill Dams) 댐체의 코어존에 대한 건전성 평가를 목적으로 2차원 및 3차원 전기비저항 탐사를 수행하였다. 2차원 전기비저항 탐사 결과, 대부분의 점토재로 축조된 코어존은 $50{\sim}400ohm{\cdot}m$ 이하의 저비저항대로 나타났으며, 그 하부의 기반암은 $1,000ohm{\cdot}m$ 이상의 고비저항대로 나타났다. 또한 3차원 전기비저항 탐사 결과에 의하면 코어존의 연약대로 판단되는 $100ohm{\cdot}m$ 이하의 저비저항대의 공간적인 분포영역을 확인할 수 있었다. 아울러 코어존의 토질시료 특성을 파악하기 위하여 시추조사와 토질 실내시험을 수행하였다. 시추조사 시 굴착수에 의한 댐체 내의 구조적 훼손을 방지하기 위하여 무수보링 방법을 택하였다. 그 결과 저비저항대로 나타나는 코어존의 시료는 모두 통일분류상 CL에 해당되며, 일부 저비저항대에서는 함수비가 높은 포화상태의 시료가 관찰되었다. 이러한 결과를 통해 ECRD 댐체 코어존의 건전성 평가에 전기비저항 탐사와 무수보링의 적용성은 매우 효율적인 방법이라 판단된다.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제10권7호
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• pp.700-705
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• 1997

Transparent conducting indium tin oxide (TC-ITO) thin films are deposited on soda lime glass by a dc magnetron sputtering technique having the unbalanced-magnet structure in order to improve the electrical/material characteristics and to avoid the surface damages. The material properties are measured by the x-ray diffractometer (XRD) and atomic force microscope (AFM). The (400) peak as the preferred orientation of <100> direction for ITO thin films is stabilized with the increase of substrate temperature. The surface roughness estimated by AFM 3D image at the substrate temperature of 40$0^{\circ}C$ is extremely uniform. The best resistivity of ITO films (5500 $\AA$ thick) at 40$0^{\circ}C$ is about 1.3$\times$10$^{-4}$ $\Omega$cm on the position of 4 cm from substrate center.

• 한국지구과학회지
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• 제32권6호
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• pp.548-559
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• 2011

의성소분지 화산칼데라 지역에서 3차원 복합 지구물리탐사를 수행하였다. 2차원적인 해석이 주를 이루었던 선행 연구의 제한점을 극복하기 위하여 간격이 조밀한 자기지전류탐사와 중력탐사를 수행하였다. 자기지전류탐사와 중력탐사 자료로부터 각기 해석된 역산 결과들에 대해 역산 자료간의 상관관계 및 새로 제안된 구조해석 방법을 이용하여 복합 해석하였으며, 이를 각 구조별로 3차원 지질구조로 영상화하였다. 이 연구에서 제안하는 구조화 지수(Structure Index; SI) 기법은 물성간의 공간적 상관관계와 물성 값의 이상 정도를 이용하여 계산되는 구조화 각도(Type Angle; TA) 및 구조화 강도(Type Intensity; TI) 값의 분포를 이용하는데, 이 기법을 통한 3차원 구조 해석을 수행하였다. 제안 기법을 화산칼데라에 적용한 결과 1) 화산칼데라 중앙부에서 심도 1 km 부근까지 연장되는 낮은 밀도와 전기비저항을 갖는 화산쇄설성 퇴적암류, 2) 높은 밀도와 전기비저항을 갖는 ring fault 주변의 관입 화성암류, 3) 3-5 km 심도의 상대적으로 낮은 전기비저항과 높은 밀도를 갖는 기반암을 3차원으로 영상화할 수 있었다.

• 전자공학회논문지A
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• 제30A권2호
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• pp.36-45
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• 1993

The n-channel MOSFETs with gate-$n^{-}$S/D overlapped structure have been fabricated by ITLDD(inverse-T gate lightly doped drain) technology. The gate length(L$_{mask}$) was 0.8$\mu$m. The degradation effects of hot carriers injected into the gate oxide were analyzed in terms of threshold voltage, transconductance and drain current variations. The degradation dependences on the gate voltage and drain voltage were characterized. The devices with higher n-concentration showed higher resistivity against the hot carrier injection. As the results of investigating the lifetime of the device, the lifetime showed longer than 10 years at V$_{d}$ = 5V for the overlapped devices with the implantation of an phosphorus dose of 5$\times$10$^{13}$ cm$^{-2}$ and an energy of 80 keV in the n$^{-}$resion.